Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Періодичні видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>K=плотность локализованных состояний<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 по 4
1.
Шифр: phtt/2007/49/5
   Журнал

Физика твердого тела [Текст] : науч. журн./ Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург : Наука, 1959 - . - ISSN 0367-3294. - Виходить щомісячно
2007р. т.49 N 5 . - 400.89, р.
Зміст:
Сидоров, С. Л. Избыточный ток в контактах на основе диборида магния / С. Л. Сидоров [и др. ]
Кл.слова: диборид магния, избыточный ток, рассеяние электронов
Жирнов, С. В. Поверхностные поляритоны на границе анизотропного сверхпроводника и диэлектрика / С. В. Жирнов, Д. И. Семенцов
Кл.слова: анизотропные сверхпроводники, диэлектрики, диэлектрическая проницаемость
Каширина, Н. И. Диффузия одноэлектронных и двухэлектронных вакансионных центров в полярных кристаллах / Н. И. Каширина ; Н. И. Кашина [и др. ]
Кл.слова: двухэлектронные вакансионные центры, диффузионный барьер анионных вакансий, диффузия
Логвинов, Г. Н. Разогрев образца лазерным импульсом / Г. Н. Логвинов [и др. ]
Кл.слова: адиабатическая изоляция, изотермический контакт, коэффициент поглощения света
Данишевский, А. М. Фотолюминесценция слоев SiO[2], приготовленных на пленках бета-SiO[2], и анализ их элементного состава / А. М. Данишевский [и др. ]
Кл.слова: метод резерфордовского рассеяния, метод ядерных реакций, пленки
Зацепин, А. Ф. Нейтронно-индуцированный молекулярный дефект O{-}[2] в ортогерманате бериллия / А. Ф. Зацепин [и др. ]
Кл.слова: молекулярные кислородные центры, нейтронное облучение, нейтронно-индуцированный молекулярный дефект
Житейцев, Е. Р. ЭПР центров трехвалентного железа в кристалле SrF[2] : Fe / Е. Р. Житейцев, В. А. Уланов, М. М. Зарипов
Кл.слова: кристаллическая решетка, парамагнитные центры, спектры ЭПР
Каминский, А. С. Ориентация кольцевых гексавакансий при изгибе кристаллов кремния / А. С. Каминский
Кл.слова: вакансионные кластеры, кольцевые гексавакансии, кремний
Миронов, С. Ю. Анализ эволюции дислокационных границ в ходе холодной деформации микрокристаллического титана / С. Ю. Миронов, М. М. Мышляев
Кл.слова: большеугловые границы, дислокационные границы, малоугловые границы
Головин, Ю. И. Влияние слабых магнитных полей на динамику изменений микротвердости кремния, индуцируемых малоинтенсивным бета-облучением / Ю. И. Головин [и др. ]
Кл.слова: бета-облучение, кремний, магнитные поля
Мазилкин, А. А. Структурные изменения в алюминиевых сплавах при интенсивной пластической деформации / А. А. Мазилкин [и др. ]
Кл.слова: алюминиевые сплавы, интенсивная пластическая деформация, метод кручения
Гуткин, М. Ю. Механизм образования деформационных двойников в нанокристаллических материалах / М. Ю. Гуткин, И. А. Овидько, Н. В. Скиба
Кл.слова: внешнее сдвиговое напряжение, гетерогенное зарождение двойникующих дислокаций, двойникующие дислокации
Житару, Р. П. Влияние отдыха на микромеханические свойства предварительно деформированных монокристаллов MgO / Р. П. Житару, В. А. Рахвалов
Кл.слова: активность акустической эмиссии, акустическая эмиссия, микроиндентирование
Скрышевский, Ю. А. Механизм возбуждения фосфоресценции пирена в фотопроводящей полимерной матрице / Ю. А. Скрышевский, А. Ю. Вахнин
Кл.слова: квантовые выходы, пирен, флуоресценция
Махнев, А. А. Особенности поведения оптических свойств EuBaCo[2]O[5+дельта] при переходе металл-изолятор / А. А. Махнев [и др. ]
Кл.слова: дисперсия оптической проводимости, комплексная диэлектрическая проницаемость, оптическая проводимость
Овчинников, С. Г. Механизм магнитного упорядочения в двухслойных пленках Dy[1-x]-Ni[x]-Ni / С. Г. Овчинников [и др. ]
Кл.слова: двуслойные пленки, магнитное упорядочение, магнитное упорядочение диспрозия
Моргунов, Р. Б. Спин-фрустрированные антиферромагнетики на основе BEDT-TTF и дицианамидных комплексов марганца / Р. Б. Моргунов [и др. ]
Кл.слова: анионная подрешетка, антиферромагнетики, дицианамидные комплексы марганца
Виноградова, Г. И. Влияние носителей заряда на магнитные свойства ферромагнитного полупроводника CdCr[2]Se[4] / Г. И. Виноградова [и др. ]
Кл.слова: Кюри температура, легирование монокристаллов, носители заряда
Захвалинский, В. С. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в LaMnO[3+сигма] / В. С. Захвалинский [и др. ]
Кл.слова: длина прыжка, магнитосопротивление, плотность локализованных состояний
Керимов, М. К. Влияние структурных и электрофизических параметров пирофазы на пироэлектрические свойства композита полимер-пироэлектрическая керамика / М. К. Керимов [и др. ]
Кл.слова: композиты, композиты полимер-пироэлектрическая керамика, пироэлектрическая фаза
Гладкий, В. В. Квазистатические петли диэлектрического гистерезиса фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика в области размытого фазового перехода / В. В. Гладкий [и др. ]
Кл.слова: диэлектрический гистерезис, квазистатические петли, ниобат бария-стронция
Хоменко, А. В. Гистерезисные явления при плавлении ультратонкой пленки смазки / А. В. Хоменко, Я. А. Ляшенко
Кл.слова: гистерезисные явления, Лоуренца модель, модель Лоуренца
Шмытько, И. М. Структурные аспекты твердофазной аморфизации в монокристаллах Eu[2] (MoO[4]) [3] / И. М. Шмытько [и др. ]
Кл.слова: аморфоподобные спектры рассеяния, дифракция, кристаллографические плоскости
Усачев, Д. Ю. Фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением геомертически неоднородных поверхностей / Д. Ю. Усачев [и др. ]
Кл.слова: монослойное графитовое покрытие, тонкая гофрированная монокристаллическая пленка, фотоэлектронная спектроскопия
Мельникова, С. В. Фазовые переходы в оксофториде (NH[4]) [3]NbOF[6] / С. В. Мельникова, Н. М. Лапташ, А. Л. Жогаль
Кл.слова: оксофторид, скачки двупреломления, спонтанная деформация
Борздов, А. В. Рассеяние электронов в транзисторной структуре GaAs/AlAs / А. Б. Борздов, Д. В. Поздняков
Кл.слова: высокоскоростные полевые транзисторы, квантовая проволока, Паули принцип
Кручинин, С. Ю. Спектроскопия выжигания долгоживущих провалов в системе квантовые точки-матрица: квантово-размерный эффект Штарка и электропоглощение / С. Ю. Кручинин, А. В. Федоров
Кл.слова: выжигание долгоживущих спектральных провалов, квантово-размерный эффект Штарка, квантовые точки
Парахонский, А. Л. Гигантские флуктуации интенсивности излучения двумерных электронов в режиме квантового эффекта Холла / А. Л. Парахонский [и др. ]
Кл.слова: гигантские флуктуации, двумерные электроны, интенсивность излучения
Рыбкин, А. Г. Электронная структура нанокластеров золота на оксидированной поверхности / А. Г. Рыбкин [и др. ]
Кл.слова: благородные металлы, метод фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением, монокристаллы
Агеев, В. Н. Электронно-стимулированная десорбция атомов натрия с вольфрама, покрытого пленкой германия / В. Н. Агеев, Ю. А. Кузнецов
Кл.слова: времяпролетный метод, ионизация адсорбированного натрия, ионизация германия
Моргунов, Р. Б. Микроволновой отклик на магнитный фазовый переход в молекулярном магнетике на основе кластеров [Mn[12]O[12] (MeCO[2]) [16] (H[2]O) [4]] и молекул тетраметил-тетратиофульвалена / Р. Б. Моргунов [и др. ]
Кл.слова: высокоспиновые кластеры, дополнительный сигнал, кластеры
Кузнецов, С. С. Наноактуатор, основанный на углеродной нанотрубке / С. С. Кузнецов, Ю. Е. Лозовик, А. М. Попов
Кл.слова: наноактуатор, нанотрубки, наноэлектромеханические системы
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

2.


    Захвалинский, В. С.
    Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в LaMnO[3+сигма] [Текст] / В. С. Захвалинский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, № 5. - С. . 870-876. - Библиогр.: с. 875-876 (20 назв. )
УДК
ББК 22.37

Рубрики: Физика--Физика твердого тела

Кл.слова (ненормовані):
длина прыжка -- магнитосопротивление -- плотность локализованных состояний -- прыжковая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- электропроводность -- энергетический спектр носителей заряда
Анотація: Исследованы электропроводность и магнитосопротивление образцов LaMnO[3+сигма] с целью получения информации о механизмах проводимости и энергетическом спектре носителей заряда, включая структуру плотности локализованных состояний вблизи уровня Ферми.
Дод.точки доступу:
Laiho, R.
Лисунов, К. Г.
Lahderanta, E.
Петренко, П. А.
Степанов, Ю. П.
Стамов, В. Н.
шубников, М. Л.
Хохулин, А. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

3.
Шифр: Ф8/1988/22/8
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1988р. т.22 N 8
Зміст:
Алмазов, Л. А. Бесконтактный метод определения коэффициента биполярной диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводниках / Л. А. Алмазов, В. К. Малютенко, Л. Л. Федоренко. - С.1337–1340. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИИ, ИНФРАКРАСНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, ЛАЗЕРНЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ
Румянцев, Е. Л. Особенности спектра одноосно деформированных полупроводников с вырожденными зонами в магнитном поле, перпендикулярном давлению / Е. Л. Румянцев, О. Э. Рут. - С.1341–1347. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УРОВНИ ЛАНДАУ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УРОВНИ, КВАНТОВАНИЕ
Богданов, Е. В. Деформационные потенциалы запрещенной зоны у полупроводникового сплава Bi0.9Sb0.1 и определение прямых энергетических щелей с помощью резонансной ударной ионизации / Е. В. Богданов, М. Ю. Лавренюк, Н. Я. Минина. - С.1348–1352. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, СЖАТИЯ, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Жук, Б. В. Быстродействующий фототранзистор на гетероструктуре ZnSe–GaAs / Б. В. Жук [и др.]. - С.1353–1358. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Зленко А. А., Прохоров А. М., Разов Е. Н., Щербаков Е. А.
Кл.слова: ЭМИТТЕРНЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ПРЕДЕЛЬНЫЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Королев, В. Л. Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия / В. Л. Королев, В. Г. Сидоров. - С.1359–1364. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, СПЕКТРЫ ИЗЛУЧЕНИЙ, ПЕРЕХОДЫ
Байрамов, М. А. Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках n-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций / М. А. Байрамов [и др.]. - С.1365–1369. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Веденеев А. С., Волков Л. В., Ждан А. Г.
Кл.слова: ЭФФЕКТ ХОЛЛА, ЭЛЕКТРОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЗАРЯДЫ
Немов, С. А. Плотность резонансных состояний по данным термоэдс в PbTe‹Тl› / С. А. Немов, Ю. И. Равич. - С.1370–1374. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАССЕЯНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДЫРКИ
Угрин, Ю. О. О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb / Ю. О. Угрин, Е. М. Шерегий. - С.1375–1380. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОБЛАСТИ ПРОВОДИМОСТИ, ДЫРКИ, УЗКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гельмонт, Б. Л. Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом / Б. Л. Гельмонт, Г. Г. Зегря. - С.1381–1386. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕОДНОРОДНЫЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ, КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ, УРАВНЕНИЯ МАКСВЕЛЛА
Гуткин, А. А. Эффект Холла в p-GaAs‹Mn› / А. А. Гуткин [и др.]. - С.1387–1390. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Колчанова Н. М., Лагунова Т. С., Плотицын А. Е., Рещиков М. А., Саморуков Б. Е.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, АКЦЕПТОРЫ, ДЫРКИ
Андреев, В. М. Влияние радиации на фотоэлектрические параметры AlGaAs–(p–n)-GaAs-гетероструктур / В. М. Андреев [и др.]. - С.1391–1395. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гусинский Г. М., Калиновский В. С., Салиева О. К., Соловьев В. А., Сулима О. В., Хаммедов А. М.
Кл.слова: ОБЛУЧЕНИЯ, СМЕЩЕНИЯ ДЫРОК, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕГРАДАЦИИ
Лончаков, А. Т. Особенности термомагнитных эффектов в n-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик / А. Т. Лончаков, Г. А. Матвеев, И. М. Цидильковский. - С.1396–1400. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ТЕРМОЭДС, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Арсеньев, В. Г. Методика лазерного катодопоглощения / В. Г. Арсеньев [и др.]. - С.1401–1404. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Богданкевич О.В., Зверев М. М., Копыт С. П., Кудеяров Ю. А.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ, СПЕКТРЫ
Болотов, В. В. Определение характерных времен формирования неоднородного профиля вакансионных дефектов в кремнии у границы раздела под действием электрического поля / В. В. Болотов, В. А. Стучинский. - С.1405–1407. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДИОДЫ ШОТТКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОБЛУЧЕНИЯ
Троян, Ю. Г. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в монокристаллах Pb0.8Sn0.2Te / Ю. Г. Троян, Ф. Ф. Сизов. - С.1408–1411. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕЛАКСАЦИИ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Диджюлис, А. А. Разогрев электронно-дырочной плазмы при стримерном разряде в полупроводниках / А. А. Диджюлис, Е. В. Шатковский. - С.1412–1415. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, МОНОКРИСТАЛЛЫ, СПЕКТРЫ
Голубев, В. Г. Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний в полупроводниках / В. Г. Голубев [и др.]. - С.1416–1421. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванов-Омский В. И., Осутин А. В., Сейсян Р. П., Эфрос Ал. Л., Язева Т. В.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, МЕЛКИЕ ДОНОРЫ, СПЕКТРЫ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЙ
Балтрамеюнас, Р. Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния / Р. Балтрамеюнас [и др.]. - С.1422–1427. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гашка Р., Куокштис Э., Нятикшис В., Пятраускас М.
Кл.слова: ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ, ДИФРАКЦИОННАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ
Тарбаев, Н. И. Излучательная рекомбинация халькогенидов кадмия, индуцированная низкотемпературной пластической деформацией / Н. И. Тарбаев, Е. А. Сальков, Г. А. Шепельский. - С.1428–1433. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, ДЕФЕКТЫ, СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
Горбовицкий, Б. М. Теорема “площадей” и межподзонное бесстолкновительное поглощение ультракоротких импульсов света в кубическом полупроводнике / Б. М. Горбовицкий. - С.1434–1438. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЕРЕХОДЫ, ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ, ВОЛНОВЫЕ ФУНКЦИИ
Грехов, А. М. Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза / А. М. Грехов. - С.1439–1445. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДЕФЕКТЫ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СОСТОЯНИЯ
Поляков, В. И. Особенности фотоотклика гетероструктур GaAs–Al0.3Ga0.7As с модулированным легированием / В. И. Поляков [и др.]. - С.1446–1451. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Перов П. И., Ермаков М. Г., Ермакова О. Н., Сергеев В. И.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ, ЭНЕРГИЯ КВАНТОВ, ИМПУЛЬСНОЕ ОСВЕЩЕНИЕ
Якунин, М. В. Магнитофононный резонанс на горячих носителях в HgTe: влияние одноосной деформации и анизотропия / М. В. Якунин. - С.1452–1461. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ, УРОВНИ ЛАНДАУ, ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Брандт, Н. Б. Зона локальных состояний в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.125), облученном электронами I. Гальваномагнитные явления под давлением / Н. Б. Брандт [и др.]. - С.1462–1468. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Доропей В. Н., Дубков В. П., Скипетров Е. П.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА
Брандт, Н. Б. Зона локальных состояний в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.125), облученном электронами II. Структура локальной зоны / Н. Б. Брандт [и др.]. - С.1469–1473. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Доропей В. Н., Дубков В. П., Скипетров Е. П.
Кл.слова: КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ
Якимчук, Д. Ю. Исследование вольтамперных характеристик гетеропереходов p-Pb0.8Sn0.2Te/n-PbTe0.92Se0.08 / Д. Ю. Якимчук [и др.]. - С.1474–1478. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Давыдов М. С., Чишко В. Ф., Цвейбак И. Я., Крапухин В. В., Соколов И. А.
Кл.слова: ВРЕМЯ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ, ПРОЦЕССЫ ГЕНЕРАЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Махмудов, А. Ш. Происхождение глубоких уровней примесей непереходных элементов в кремнии и германии / А. Ш. Махмудов. - С.1479–1483. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ, ФУНКЦИИ ГРИНА
Витовский, Н. А. Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в n-германии / Н. А. Витовский [и др.]. - С.1483–1486. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Емцев В. В., Машовец Т. В., Полоскин Д. С.
Кл.слова: РАСЧЕТНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПАРЫ ФРЕНКЕЛЯ
Миргородский, В . И. Акустоэлектронное затухание в условиях нестационарной фотопроводимости в сульфиде кадмия / В . И. Миргородский, С. В. Пешин. - С.1486–1488. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Стружкин, В. В. Возбужденные состояния акцепторов в алмазе в приближении эффективной массы / В. В. Стружкин, М. И. Еремец. - С.1488–1490. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ, СИНТЕТИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ АЛМАЗЫ, ПРИМЕСИ
Гуга, К. Ю. Влияние гидростатического давления на N-ОДП в условиях магнитоконцентрационного эффекта / К. Ю. Гуга, В. П. Кислый, В. К. Малютенко. - С.1490–1492. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВСЕСТОРОННЕЕ СЖАТИЕ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ, ПРОВОДИМОСТИ
Исмайлов, Н. Д. Влияние промежуточного диэлектрического слоя на фототок в поверхностно-барьерных структурах металл–n-CdxHg1-xTe / Н. Д. Исмайлов, Э. К. Гусейнов, Э. И. Курбанова. - С.1493–1494. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, РЕКОМБИНАЦИИ, НОСИТЕЛИ ТОКА
Бакуева, Л. Г. Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца / Л. Г. Бакуева, В. И. Ильин, С. Ф. Мусихин. - С.1495–1497. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗАПОРНЫЕ СЛОИ, ФОТООТВЕТЫ, ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
Малютенко, В. К. N-ОДП при пинч-эффекте в несобственных полупроводниках / В. К. Малютенко, Ю. М. Малозовский. - С.1497–1500. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПРОВОДИМОСТИ
Кучма, А. Е. Особенности локализации носителей в обогащенном слое на поверхности узкощелевого полупроводника / А. Е. Кучма, В. А. Свердлов. - С.1500–1503. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, НЕПАРАБОЛИЧНОСТЬ, МАГНИТООСЦИЛЛЯЦИИ
Карягин, В. В. Термоэдс услечения 2D-электронного газа гетероструктуры GaAs–GaAlAs / В. В. Карягин, И. И. Ляпилин, В. В. Дякин. - С.1503–1505. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КВАНТУЮЩИЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ФОНОНЫ
Колдаев, И. М. Аккумуляция в n+–n-n+–структурах на основе AIIBVI при различных длинах волн фотовозбуждения / И. М. Колдаев. - С.1505–1507. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: БИПОЛЯРНЫЕ ЭФФЕКТЫ, ПОГЛОЩЕНИЕ СВЕТА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Качлишвили, З. С. Зависимость пробивного поля (Eпр) от степени компенсации (C) в n-Ge / З. С. Качлишвили, Э. Г. Хизанишвили. - С.1507–1509. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОБОИ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗАВИСИМОСТИ, КОЭФФИЦИЕНТЫ УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ
Курбанов, К. Р. Электрические свойства Pb1-xSnxTe‹Br› и механизмы рассеяния электронов / К. Р. Курбанов [и др.]. - С.1509–1511. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Палкин А. М., Скубневский Э. В., Станкевич Е. Т.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ
Хохлов, А. Ф. Ионно-лучевое легирование аморфного кремния, содержащего изовалентную примесь германия / А. Ф. Хохлов [и др.]. - С.1511–1514. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Машин А. И., Ершов А. В., Машин Н. И., Игнатьева Е. А.
Кл.слова: ПРОВОДИМОСТИ, ПЛОТНОСТЬ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ СОСТОЯНИЙ, ЛЕГИРОВАНИЕ БОРОМ
Вейс, А. Н. Резонансные состояния, связанные с вакансиями халькогена, в электронном сульфиде свинца / А. Н. Вейс, Р. Ю. Крупицкая, А. В. Лумер. - С.1514–1516. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, СПЕКТРАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОГЛОЩЕНИЯ
Гостев, А. В. Визуализация потенциального поля при возбуждении рекомбинационных волн в кремнии / А. В. Гостев [и др.]. - С.1516–1519. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Корнилов Б. В., Привезенцев В. В., Pay Э.И ., Щетинин А. Г.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПРИМЕСИ ЦИНКА, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Леонов, В. В. Прогнозирование типа проводимости эвтектических сплавов AIIIBV–Ge(Si) / В. В. Леонов. - С.1519–1520. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДЕФЕКТЫ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ
Ваксер, А. И. Неустойчивость холодных электронов в полупроводниках / А. И. Ваксер. - С.1520–1524. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, СОСТОЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ
Аврутин, Е. А. Оценка времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облученном тяжелыми ионами / Е. А. Аврутин, М. Е. Портной. - С.1524–1526. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ГЕНЕРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ, СКОРОСТИ ЗАХВАТА ЧАСТИЦ
Андреев, В. М. Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов / В. М. Андреев, В. К. Еремин, Н. Б. Строкан. - С.1526–1528. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОДВИЖНОСТИ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ, ПЕРЕХОДЫ
Андрушко, А. И. Поверхностно-барьерные структуры Au-p-InAs1-x-ySbxPy / А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков. - С.1528–1529. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, МЕХАНИЗМЫ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

4.


   
    Ионно-лучевое легирование аморфного кремния, содержащего изовалентную примесь германия [Текст] / А. Ф. Хохлов [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 8. - С. 1511–1514. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ПРОВОДИМОСТИ -- ПЛОТНОСТЬ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ СОСТОЯНИЙ -- ЛЕГИРОВАНИЕ БОРОМ
Дод.точки доступу:
Хохлов, А. Ф.
Машин, А. И.
Ершов, А. В.
Машин, Н. И.
Игнатьева, Е. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua