Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Книжкові видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>U=621.383(04)<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Показані документи с 1 по 9
1.
   637.2
   Х93


    Хрипунов, Г. С.
    Исследование структурных и фотоэлектрических процессов в пленочных тыльно-барьерных гетеросистемах на основе Cd Te [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Г. С. Хрипунов. - [Б. м. : б. в.], 1990. - 152 с. - 0 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
фотоэлектрические преобразователи -- электростатика -- гетерогенные системы
Примірників усього: 1
0 (1)
Вільні: 0 (1)

Знайти схожі

2.
   637.2
   Х93


    Хрипунов, Г. С.
    Исследование структурных и фотоэлектрических процессов в пленочных тыльно-барьерных гетеросистемах на основе Cd Te [Текст] : автореф.дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г.С. Хрипунов. - [Б. м. : б. в.], 1990. - 20 с. - 0 р.
УДК

Кл.слова (ненормовані):
электростатика -- гетерогенные системы
Примірників усього: 1
0 (1)
Вільні: 0 (1)

Знайти схожі

3.
   621.383
   Б 73


    Богатыренко, Константин Иванович.
    Теория и принципы построения многокоординатных оптико-электронных развертывающих преобразователей для систем управления пространственным положением объектов [Рукопис] : дис. ... д-ра техн. наук : 05.13.03 / К. И. Богатыренко ; ХГАДТУ. - Харьков, 1997. - 329 с. : рис., табл.
    Зміст:
Современное состояние проблемы измерения параметров движения для систем управления пространственным положением объектов . - С .16-58
1. Классификация методов и технических стредств измерения параметров движения . - С .16-28
2. Методы и технические средства измерения параметров движения . - С .28-58
3. Состояние вопроса исследования погрешностей преобразователей с разверткой и разработки методов их уменьшения
Теория, принципы построения и разработка оптико-электронных преобразователей параметров движения для систем управления пространственным положением объектов . - С .59-132
1. Классификация оптико-электронных преобразователей параметров движения . - С .59-61
2. Теория и принципы построения ОМП параметров вращательного движения . - С .61-77
3. Теория и принципы построения ОМП параметров линейного движения . - С .77-81
4. ОМП с прямой засечкой . - С .81-97
5. Теория и принципы построения ОМП пространственного положения объекта . - С .97-127
6. Особенности сканирующих ОМП параметров движения и общие принцципы их построения . - С .127-129
7. Микрогеодезия как новый подход к построению оптико- электронных ОМП положения . - С .129-132
Исследование погрешностей оптико-электронных преобразователей параметров движения и разработка методов их уменьшения . - С .133-234
1. Принятая классификация погрешностей ОМП . - С .133-134
2. Погрешности, возникающие в узле развертки . - С .134-155
3. Погрешности, возникающие при приеме оптического сигнала . - С .155-193
4. Погрешности ОМП пространственного положения объекта . - С .193-207
5. Разработка методов уменьшения погрешностей ОМП . - С .207-234
Разработка и внедрение специализированных оптико-электронных преобразователей для систем управления пространственным положением объектов . - С .235-272
1. Разработка и внедрение одно- и двухкоординатных оптико-электронных преобразователей положения . - С .235-258
2. Разработка и внедрение многокоординатных оптико-электронных преобразователей положения . - С .258-270
3. Перспективы развития и использования оптико-электронных преобразователей параметров движения . - С .270-272
Заключение . - С .273-277
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
оптико-электронные преобразователи -- системы управления -- системы воспроизведения движения
Дод.точки доступу:
Харьковский государственный автомобильно-дорожный технический университет

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

4.
   621.383
   С 13


    Сагайда, Иван Михайлович.
    Фотоэлектрические первичные преобразователи для целей автоматизации сложных теплотехнических процессов (исследование, разработка, внедрение) [Рукопис] : дис. ... д-ра техн. наук : 05.13.05 / И. М. Сагайда ; КИИ. - Краматорск, 1990. - 673 с. : рис., табл., фот. + 1 прил. - Библиогр.: с. 424-447 (278 назв.)
Диссертация переплетена в 2 т. с одним инвентарным номером
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
фотоэлектрические преобразователи -- оптические сигналы -- оптические излучения -- оптические помехи -- помехоустойчивость сигналов -- волоконная оптика
Дод.точки доступу:
Краматорский индустриальный институт

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

5.
   621.383
   Ч-72


    Чишкала, Владимир Алексеевич.
    Высокоскоростные процессы получения комбинированных силицидных покрытий на тугоплавких металлах [Рукопис] : дис. ... / В. А. Чишкала ; науч. рук. Е. П. Нечипоренко ; ХПИ. - Харьков, 1988. - 143 с. : ил. - Библиогр.: с. 127-136 (105 назв.)
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
оптические средства связи -- кварцевые волокна -- кварцевые оптические волокна -- системы оптической связи
Дод.точки доступу:
Нечипоренко, Е. П. \науч. рук.\
Харьковский политехнический институт

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

6.
   621.383
   П 16


    Панчева, Ганна Михайлівна.
    Технологія кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями [Рукопис] : дис. ... канд. техн. наук : 05.17.01 / Г. М. Панчева ; наук. кер. Г. И. Гринь ; НТУ “ХПІ”. - Харків, 2015. - 175 с. : іл. - Бібліогр.: с. 143-160 (155 назв.)
    Зміст:
Вступ . - С .5-12
Досягнутий рівень дослідження процесу створення та використання матеріалів для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії . - С .13-42
1. Основні тенденції використання нетрадиційних джерел енергії . - С .13-30
2. Основні характеристики фоточутливих матеріалів . - С .30-32
3. Методи одержання тонких плівок напівпровідникових сполук . - С .32-41
4. Вибір методу і обгрунтування напрямків дослідження . - С .41-42
Теоретичні дослідження процесу нанесення сульфіду кадмію хімічним способом . - С .43-68
1. Теоретичне обгрунтування вибору реагентів для осадження . - С .43-48
2. Вибір системи хімічних рівнянь та методу розрахунків . - С .48-52
4. Розрахунок термодинамічних параметрів системи. Хімізм процесу . - С .52-68
Дослідження кінетики процесу нанесення сульфіду кадмію на поверхню підкладки хімічним способом . - С .69-103
1. Експериментальна установка та методика проведення експериментів . - С .69-71
2. Кінетика процесу осадження CdS . - С .71-76
3. Вплив основних параметрів на кінетику осадження . - С .76-95
4. Математична модель процесу оасдження . - С .95-103
Дослідження зв’язку електрофізичних та фотохімічних параметрів CdS . - С .104-125
1. Дослідження параметрів процесу осадження сульфіду кадмію із розчину . - С .104-111
2. Експериментальна установка та методи вимірювання електрофізичних параметрів плівок сульфіду кадмію . - С .111-126
Розробка принципової технологічної схеми та вибір основного обладнання . - С .126-140
1. Принципова технологічна схема процесу осадження кадмій вмісних багатошарових покриттів . - С .126-131
2. Основне обладнання процесу . - С .131-134
3. Дослідно-промислові випробування . - С .134-137
4. Техніко-економічні показники виробництва . - С .137-140
Висновки загальні . - С .141-142
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
сульфід кадмію -- багатошарові покриття -- фотоелектричний перетворювач -- технологія неорганічних речовин
Есть полнотекстовые версии (доступ потребує авторизації)

Дод.точки доступу:
Гринь, Григорий Иванович (доктор технических наук) \наук. кер.\
Панчева, Анна Михайловна
Національний технічний університет “Харківський політехнічний інститут”

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

7.
   621.383
   П 16


    Панчева, Ганна Михайлівна.
    Технологія кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.17.01 / Г. М. Панчева ; НТУ “ХПІ”. - Харків, 2015. - 20 с. : ил.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
сульфід кадмію -- фотоелектричний перетворювач -- багатошарові покриття -- технологія неорганічних речовин
Дод.точки доступу:
Панчева, Анна Михайловна
Національний технічний університет “Харківський політехнічний інститут”

Примірників усього: 2
чз.1 (2)
Вільні: чз.1 (2)

Знайти схожі

8.
   537.221
   О-60


    Опанасюк, Анатолий Сергеевич.
    Получение и исследование базовых слоев теллурида кадмия для пленочных фотоэлектрических преобразователей [Рукопис] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. С. Опанасюк ; науч. рук. Б. С. Бойко ; ХПИ. - Харьков, 1986. - 260 с. : ил. - Библиогр.: с. 243-158 (149 назв.)
    Зміст:
Введение . - С .5-8
Аналитический обзор . - С .9-43
1. Требования к материалу базового слоя и конструкции эффективных ФЭП . - С .9-15
2. Влияние структурных особенностей поликристаллических базовых слоев на эксплуатационные характеристики ФЭП . - С .15-31
3. Анализ причин низкой эффективности ФЭП на основе CdTe . - С .31-44
Методы получения и исследования пленок CdTe для базовых слоев ФЭП . - С .44-78
1. Обоснование выбора метода квазизамкнутого объема для конденсации CdTe . - С .44-47
2. Конструкция испарительного устройства и методика пленок в КЗО . - С .47-54
3. Методика исследования фазового состава слоев CdTe . - С .54-56
4. Изучение неоднородностей электронной плотности в пленках . - С .56-61
5. Методика электроизмерений . - С .61-64
6. Определение объемных и контактных параметров структур со слоем CdTe . - С .64-67
7. Идентификация механизма зарядопереноса в исследуемых структурах . - С .67-74
8. Дифференциальная методика обработки ВАХ в режиме ТОПЗ . - С .74-78
Кристаллическая структура базовых слоев CdTe для пленочных ФЭП . - С .79-151
1. Влияние физико-технологических условий конденсации в КЗО на структурные характеристики поликристаллических пленок . - С .79-103
2. Пористость поликристаллических пленок . - С .103-115
3. Макронапряжения в системе базовый слой - подложка . - С .115-135
4. Период решетки в базовых слоях ФЭП . - С .135-145
5. Рекомендации по выбору материала подложек для получения базовых слоев с оптимальной кристаллической структурой . - С .145-151
Электрофизические характеристики поликристаллических пленок CdTe . - С .152-200
Исследование оптимальных способов формирования гетеросистем на основе CdTe для ФЭП . - С .197-236
1. Выбор легирующей примеси и расчет температурных режимов испарения легандов для получения активированных пленок . - С .201-215
2. Исследование оптимальных способов получения эпитаксиальных пленок CdTe . - С .215-228
3. Структура и электрические свойства пленочных ФЭП с гетеропереходом p-CdTe-n-CdS . - С .228-236
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ПОДЛОЖКИ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
Дод.точки доступу:
Бойко, Борис Тимофеевич (26.02.1930-2008) \науч. рук. .\
Харьковский политехнический институт

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

9.
   621.383
   С 32


    Сергиенко, Олег Юрьевич.
    Методы и средства контроля артериального давления и алгоритмы функционирования оптоэлектронных сфигмоманометров [Рукопис] : дис. ... канд. техн. наук : 05.11.13 / О. Ю. Сергиенко ; науч. рук. В. Е. Тырса ; ХГАДТУ. - Харьков, 1996. - 181 с. : ил. - Библиогр.: с. 158-169 (107 назв.)
    Зміст:
История вопроса . - С .11-28
1. Роль и значение информации об артериальном давлении (АД) оператора в человеко-машинных системах . - 11-13Методы и средства прямого и косвеного усовершенствования
2. Методы и средства прямого и косвенного измерения АД . - С .13-21
3. Метод Короткова - Рива-Роччи и его усовершенствование . - С .21-25
4. Возможные пути автоматизации измерения АД . - С .25-28
Обзор существующих технических устройств для решения задач, возникающих в процессе измерения АД . - С .29-73
1. Методы и средства регистрации пульсовой волны . - С .29--62
2. Методы регистрации пневматического давления, пригодные для использования в измерителях АД . - С .62-68
3. Методы дискриминации сигналов . - С .68-73
Разработка функциональных схем автоматических сфигмоманометров (СМ) . - С .74-134
1. Функциональная схема СМ, региструющего систолическое и диастолическое давление на основе интегральной оценки давления на манжете . - С .74-91
2. Цифровые анализаторы сигналов . - С .911-96
3. Схема определения систолического и диастолического АД на основе анализа сигнала ИСС . - С .96-102
4. Возможности определения АД на основе анализа бросков давления в пневматическом манжете . - С .102-109
5. Выбор математической модели дискретизации (квантования) одного импульса сигнала ИСС . - С .109-128
6. Поиск экстремумов систолы и диастолы на основании вариации шага дискретизации и анализа приращения кодов . - С .128-134
Экспериментальные исследования . - С .135-155
1. Описание установки . - С .135-147
2. Выполнение исследований и их результаты . - С .147-152
3. Инженерная методика проектирования автоматического СМ . - С .152-155
Заключение . - С .156-157
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
АНАЛОГОВЫЕ АНАЛИЗАТОРЫ -- ИЗМЕРЕНИЕ АРТЕРИАЛЬНОГО ДАВЛЕНИЯ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СИГНАЛЫ
Дод.точки доступу:
Тырса, В. Е. \науч. рук. .\
Харьковский государственный автомобильно-дорожный технический университет

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі


 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua