Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Книжкові видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
 Знайдено у інших БД:Періодичні видання (82)Повнотекстова база "Навчальні видання" (1)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>K=ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 17
Показані документи с 1 по 10
 1-10    11-17 
1.
   537.3
   С 37


    Симашкевич, А. В.
    Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений AII BIV [Текст] / А. В. Симашкевич ; отв. ред П. А. Гашин ; КГУ. - Кишинев : Штиинца, 1980. - 156 с. : ил. - 1.50 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ -- ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ -- ОПТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ -- ПРИМЕНЕНИЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
Дод.точки доступу:
Гашин, П. А. \отв. ред.\
Кишиневский государственный университет

Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільні: аб.1 (1)

Знайти схожі

2.
   621.385
   Г 18


    Гаман, Василий Иванович.
    Физика полупроводниковых приборов [Текст] : учеб. пособие / В. И. Гаман ; ТГУ. - Томск : ТГУ, 1989. - 336 с. : ил. - 0.70 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
термоэлектронная эмиссия -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- гетеропереходы
Дод.точки доступу:
Томский государственный университет

Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільні: аб.1 (1)

Знайти схожі

3.
   537.3
   С 85


    Стриха, Виталий Илларионович.
    Контактные явления в полупроводниках [Текст] : учебное пособие / В. И. Стриха. - Киев : Вища шк., 1982. - 223 с. : ил. - 0.65 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- ГОМОПЕРЕХОДЫ -- ПРОБОЙНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ -- P-N ПЕРЕХОДЫ
Примірників усього: 3
аб.4 (1), аб.3 (1), аб.1 (1)
Вільні: аб.4 (1), аб.3 (1), аб.1 (1)

Знайти схожі

4.
   621.378.3
   К 33


   Кейси, Х.

    Лазеры на гетероструктурах [Текст] = Heterostructure Lasers : в 2 т. / Х. Кейси, М. Паниш.
   Т. 1 : Основные принципы / ред. П. Г. Елисеев ; пер. с англ. А. Е. Дракин. - Москва : Мир, 1981. - 300 с. : ил. - 2.80 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ВОЛНЫ -- ИЗЛУЧЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
Дод.точки доступу:
Паниш, М.
Елисеев, П. Г. \ред.\
Дракин, А. Е. \пер. с англ.\

Примірників усього: 2
аб.4 (1), аб.1 (1)
Вільні: аб.4 (1), аб.1 (1)

Знайти схожі

5.
   621.378.3
   К 33


   Кейси, Х.

    Лазеры на гетероструктурах [Текст] = Heterostructure Lasers : в 2 т. / Х. Кейси, М. Паниш.
   Т. 2 : Материалы. Рабочие характеристики / ред. П. Г. Елисеев ; пер. c англ. Б. Н. Свердлов. - Москва : Мир, 1981. - 300 с. : ил. - 3.60 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ВОЛНЫ -- ИЗЛУЧЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
Дод.точки доступу:
Паниш, М.
Елисеев, П. Г. \ред.\
Свердлов, Б. Н. \пер. c англ.\

Примірників усього: 2
аб.4 (1), аб.1 (1)
Вільні: аб.4 (1), аб.1 (1)

Знайти схожі

6.
   621.385.1
   М 31


    Маслов, Алексей Андреевич.
    Технология и конструкции полупроводниковых приборов [Текст] / А. А. Маслов. - Москва : Энергия, 1970. - 296 с. : ил. - 1.19 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Примірників усього: 3
аб.3 (2), аб.1 (1)
Вільні: аб.3 (2), аб.1 (1)

Знайти схожі

7.
   621.315.5
   З-86


    Зорин, Константин Алексеевич.
    Фотоэлектрические свойства гетеропереходов и их использование в преобразователях изображения [Текст] / К. А. Зорин. - Москва : Электроника, 1976. - 41 с. : рис. - (Обзоры по электронной технике. Полупроводниковые приборы ; вып. 7(379)). - 0.22 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ФОТОПРИЕМНИКИ -- ПОСТОЯННЫЕ РЕШЕТКИ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- БЕЗВАКУУМНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ИЗОБРАЖЕНИЯ
Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільні: аб.1 (1)

Знайти схожі

8.
   621.315.5
   М 60


    Милнс, А.
    Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник [Текст] = Heterojunctions and Metal-Semionductor Junctions / А. Милнс, Д. Фойхт ; пер. с англ. А. А. Гиппиус ; ред. В. С. Вавилов. - Москва : Мир, 1975. - 431 с. : ил. - 2.44 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ИЗОТОПНЫЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- БАРЬЕРЫ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК -- ФОТОЭМИССИОННЫЕ КАТОДЫ
Дод.точки доступу:
Фойхт, Д.
Гиппиус, А. А. \пер. с англ.\
Вавилов, В. С. \ред.\

Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільні: аб.1 (1)

Знайти схожі

9.
   621.315.5
   Ф 81


   
    Фотоэлектрические свойства гетеропереходов [Текст] / ИПФ АН МолССР ; отв. ред. С. И. Радауцан. - Кишинев : Штиинца, 1980. - 183 с. : ил. - 1.90 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УСТАНОВКИ -- ФОТОЭЛЕМЕНТЫ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ЗОНДЫ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ УЛЬТРАЗВУКА -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
Дод.точки доступу:
Радауцан, С. И. \отв. ред.\
АН МолССР. Институт прикладной физики

Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільні: аб.1 (1)

Знайти схожі

10.
   621.315.592
   К 56


    Коваль, Лариса Петровна.
    Релаксация напряжений и формирование дислокационной структуры в эпитаксиальных системах с малым несоответствием [Рукопис] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Л. П. Коваль ; рук. работы М. Я. Фукс ; ХПИ. - Харьков, 1983. - 132 с. : ил. - Библиогр.: с. 121-132 (103 назв.)
    Зміст:
Обзор литературы . - С .8-35
1. Напряжения в эпитаксиальных системах . - С .8-18
2. Механизмы релаксации в эпитаксиальных системах . - С .19-33
3. Заключение к обзору и постановка задачи . - С .34-35
Образцы и методика исследований . - С .36-51
1. Объекты исследований . - С .36
2. Методы наклонных рентгеновских съемок . - С .36-41
3. Метод измерения кривизны макроскопического изгиба эпитаксиальных систем . - С .42
4. Рентгеновская топография . - С .43-51
Остаточные напряжения и дислокационная структура в эпитаксиальных системах с малым несоответствием . - С .52-87
1. Типы дислокационных структур в эпитаксиальных системах с малым несоответствием . - С .53-57
2. О взаимосвязи дислокационной структуры подложки и эпитаксиальной пленки . - С .58-66
3. Неоднородность макродеформаций и дислокационной структуры в эпитаксиальной системе MgxMn1-xFeO4/MgO . - С .67-77
4. Зависимость остаточной деформации и дислокационной структуры в эпитаксиальной системе Ge/GaAs . - С .78-87
Релаксация напряжений несоответствия . - С .88-117
1. Дислокации, параллельные межфазной границе . - С .88-96
2. Зарождение дислокаций несоответствия в отсутствии концентраторов напряжений, введенных диссоциацией GaAs . - С .97-100
3. Кинетика дислокаций и формирование сетки ДН при краевом зарождении . - С .101-103
4. Зарождение и распространение дислокаций при наличии концентраторов напряжений . - С .104-108
5. Изменение структурного совершенства по толщине пленки . - С .109-114
6. Специфика процессов релаксации в эпитаксиальных системах с малым несоответствием Ge . - С .115-117
Выводы . - С .118-120
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- ДИСЛОКАЦИОННАЯ СТРУКТУРА -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ
Дод.точки доступу:
Фукс, М. Я. \рук. работы.\
Харьковский политехнический институт

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 1-10    11-17 
 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua