Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Книжкові видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Пошуковий запит: (<.>U=621.315.592(04)<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.
   621.315.592
   К 56


    Коваль, Лариса Петровна.
    Релаксация напряжений и формирование дислокационной структуры в эпитаксиальных системах с малым несоответствием [Рукопис] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Л. П. Коваль ; рук. работы М. Я. Фукс ; ХПИ. - Харьков, 1983. - 132 с. : ил. - Библиогр.: с. 121-132 (103 назв.)
    Зміст:
Обзор литературы . - С .8-35
1. Напряжения в эпитаксиальных системах . - С .8-18
2. Механизмы релаксации в эпитаксиальных системах . - С .19-33
3. Заключение к обзору и постановка задачи . - С .34-35
Образцы и методика исследований . - С .36-51
1. Объекты исследований . - С .36
2. Методы наклонных рентгеновских съемок . - С .36-41
3. Метод измерения кривизны макроскопического изгиба эпитаксиальных систем . - С .42
4. Рентгеновская топография . - С .43-51
Остаточные напряжения и дислокационная структура в эпитаксиальных системах с малым несоответствием . - С .52-87
1. Типы дислокационных структур в эпитаксиальных системах с малым несоответствием . - С .53-57
2. О взаимосвязи дислокационной структуры подложки и эпитаксиальной пленки . - С .58-66
3. Неоднородность макродеформаций и дислокационной структуры в эпитаксиальной системе MgxMn1-xFeO4/MgO . - С .67-77
4. Зависимость остаточной деформации и дислокационной структуры в эпитаксиальной системе Ge/GaAs . - С .78-87
Релаксация напряжений несоответствия . - С .88-117
1. Дислокации, параллельные межфазной границе . - С .88-96
2. Зарождение дислокаций несоответствия в отсутствии концентраторов напряжений, введенных диссоциацией GaAs . - С .97-100
3. Кинетика дислокаций и формирование сетки ДН при краевом зарождении . - С .101-103
4. Зарождение и распространение дислокаций при наличии концентраторов напряжений . - С .104-108
5. Изменение структурного совершенства по толщине пленки . - С .109-114
6. Специфика процессов релаксации в эпитаксиальных системах с малым несоответствием Ge . - С .115-117
Выводы . - С .118-120
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- ДИСЛОКАЦИОННАЯ СТРУКТУРА -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ
Дод.точки доступу:
Фукс, М. Я. \рук. работы.\
Харьковский политехнический институт

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua