Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Книжкові видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
 Знайдено у інших БД:Періодичні видання (13)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>K=КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 по 4
1.
   621.382.049.77
   Р 86


    Румак, Николай Владимирович.
    Компоненты МОП-интегральных микросхем [Текст] / Н. В. Румак ; ред. А. П. Достанко ; ФТИ АН БССР. - Минск : Навука i тэхнiка, 1991. - 311 с. : ил. - ISBN 5-343-00824-0 : 2.30 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
элементы микросхем -- кремниевые пластины -- затворы -- пленки подзатворного диэлектрика
Дод.точки доступу:
Достанко, А. П. \ред.\
АН БССР. Физико-технический институт

Примірників усього: 2
аб.3 (1), аб.1 (1)
Вільні: аб.3 (1), аб.1 (1)

Знайти схожі

2.
   621.385
   Э 45


    Электроника [Текст] / ВИНИТИ АН СССР; гл. ред. Ю. Н. Дьяков.
   Т. 27 : Интегральные микросхемы и функциональные устройства / науч. ред. В. А. Марасанов. - Москва : ВИНИТИ, 1990. - 175 с. : рис., табл. - (Итоги науки и техники). - ISSN 0202-0150. - 1.70 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ -- ПЛАЗМЕННЫЕ УСТРОЙСТВА -- ТЕХНОЛОГИЯ СБИС -- КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА
Дод.точки доступу:
Дьяков, Ю. Н. \гл. ред.\
Марасанов, В. А. \науч. ред.\
АН СССР. Всесоюзный институт научной и технической информации

Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільні: аб.1 (1)

Знайти схожі

3.
   621.385.1
   Т 38


   
    Технология быстродействующих силовых полупроводниковых приборов [Текст] : сб. статей / НИИ ПО “ТЭЗ им. М. И. Калинина” ; ред. У. Верги. - Таллин : Валгус, 1984. - 196 с. : ил. - 0.65 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
очистка шлифованных поверхностей -- неразрушающий контроль -- кремниевые пластины -- полупроводниковые структуры -- мощные транзисторы -- силовые полупроводниковые приборы
Дод.точки доступу:
Верги, У. \ред.\
Научно-исследовательский институт ПО “Таллинский электротехнический завод имени М. И. Калинина”

Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільні: аб.1 (1)

Знайти схожі

4.
   537.3
   М 50


    Мёнх, В.
    Напряжение пробоя диффузионных p-n переходов в кремнии [Текст] = Zur Durchbruchspannung Diffundierter pn-Ubergange in Silizium : перевод № 53/ЭТ-3795 / В. Мёнх ; пер. с нем. Я. П. Рокицкая. - Москва : Институт “Электроника”, 1968. - 27 с. : ил. - (Переводы иностранной литературы. Полупроводниковые приборы). - 0.08 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ДИФФУЗИЯ -- ГЕТТЕРИРОВАНИЕ -- ЕМКОСТЬ -- ПРОФИЛЬ КОНЦЕНТРАЦИИ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ГРАДИЕНТ КОНЦЕНТРАЦИИ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ
Дод.точки доступу:
Рокицкая, Я. П. \пер. с нем.\

Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільні: аб.1 (1)

Знайти схожі

 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua