> Шифр: Ф8/1989/23/5 Журнал 1989р. т.23 N 5 Алексеев, М. А. Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках : обзор / М. А. Алексеев [и др.]. - С.761–779. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Карлик И. Я., Мирлин Д. Н., Сапега В. Ф. Кл.слова: ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, РЕЛАКСАЦИИ Баранов, А. Н. Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в p-GaSb / А. Н. Баранов [и др.]. - С.780–786. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Воронина Т. И., Лагунова Т. С., Тимченко И. Н., Чугуева З. И., Шерстнев В. В., Яковлев Ю. П. Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, ПОДВИЖНОСТИ Воронин, С. Т. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+—nu —pi—n+-структур / С. Т. Воронин [и др.]. - С.787–791. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Кравченко А. Ф., Шерстяков А. П., Горбушов К. В. Кл.слова: ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ, ПЕРЕХОДЫ, ИНЖЕКЦИОННЫЕ УСИЛЕНИЯ Балтрамеюнас, Р. Исследование оптического усиления в сверхрешетках GaAs—AlxGa1-xAs / Р. Балтрамеюнас [и др.]. - С.792–795. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Вайнерт X., Геразимас Е., Куокштис Э., Хеннебергер Ф. Кл.слова: СПЕКТРЫ, СТРУКТУРЫ, ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ Германенко, А. В. Кинетические явления в одноосно деформированном p-Hg1-xCdxTe с varepsilong›0 / А. В. Германенко [и др.]. - С.796–803. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Миньков Г. М., Румянцев Е. Л., Рут О. Э., Инишева О. В. Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА, СВОБОДНЫЕ ДЫРКИ, АКЦЕПТОРЫ Васильев, А. Э. Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия / А. Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров. - С.804–808. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ, ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ Осипов, В. В. К теории внутризонного оптического поглощения в гетероструктурах с квантовыми ямами / В. В. Осипов, Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин. - С.809–815. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ФОТОИОНИЗАЦИИ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ Гинзбург, Л. П. Проводящая зона в условиях структурного беспорядка / Л. П. Гинзбург. - С.813–819. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ Кибис, О. В. Влияние деформации на энергетический спектр валентной зоны в двумерных полупроводниковых системах / О. В. Кибис. - С.820–825. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ДЫРОЧНЫЕ СПЕКТРЫ, КВАНТУЮЩИЕ ПОТЕНЦИАЛЫ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ Карпова, И. В. Оже-рекомбинация в сильно легированном германии / И. В. Карпова, В. И. Перель, С. М. Сыровегин. - С.826–831. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ГЛУБОКИЕ УРОВНИ, ФОНОВЫЕ ПРИМЕСИ, НОСИТЕЛИ Корнеева, Л. А. Кооперативные эффекты в кильватере быстрых ориентированных частиц в полупроводниках / Л. А. Корнеева, Е. А. Мазур, А. И. Руденко. - С.832–838. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ, ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ, ЭЛЕКТРОН-ДЫРОЧНАЯ ПЛАЗМА Гашимзаде, Н. Ф. Локализованные электронные состояния на дефектах полупроводниковой сверхрешетки / Н. Ф. Гашимзаде, Е. Л. Ивченко, В. А. Кособукин. - С.839–844. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: СВЕРХСТРУКТУРЫ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ Евтихиев, В. П. Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/n-(Al, Ga)As / В. П. Евтихиев [и др.]. - С.845–848. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Копьев П. С., Надточий М. Ю., Устинов В. М. Кл.слова: СПЕКТРАЛЬНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ, ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПАРЫ Резников, Б. И. Нестационарный фотоэффект в варизонной m—p—n-структуре I. Распространение импульса неравновесных носителей заряда / Б. И. Резников, Г. В. Царенков. - С.849–856. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ, РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИМПУЛЬСОВ, ОБЪЕМНЫЕ ЗАРЯДЫ Крючков, С. В. Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей / С. В. Крючков, Г. А. Сыродоев. - С.857–864. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: УЗКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЕЙ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ Лукашевич, Т. А. Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении / Т. А. Лукашевич, Л. В. Мизрухин. - С.865–868. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, УРОВЕНЬ ФЕРМИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ Медведкин, Г. А. Фотоэффект в гетероструктурах In2O3/CuInSe2, полученных методом термического окисления / Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров. - С.869–872. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: СПЕКТРАЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ, ФОТООТВЕТЫ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ Бугай, А. А. Частотная зависимость ширины линии ЭПР в аморфном кремнии в интервале 9/130 ГГц / А. А. Бугай [и др.]. - С.872–874. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Зарицкий И. М., Лукин С. Н., Неймарк Е. И., Кабдин Н. Н. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ, ИОННЫЕ ИМПЛАНТАЦИИ Лашкарев, Г. В. Особенности поведения примеси хрома в теллуриде свинца / Г. В. Лашкарев [и др.]. - С.874–876. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Бродовой А. В., Радченко М. В., Колесник С. П., Вертелецкий П. В. Кл.слова: УЗКОЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КРИСТАЛЛЫ, ЛЕГИРОВАНИЕ Абдуллаев, А. А. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, А. З. Гаджиев. - С.876–880. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ТРАНСФОРМАЦИИ, МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ Кузнецов, В. В. Край собственного поглощения AlxGa1-xAs1-yPy / В. В. Кузнецов, В. Н. Разбегаев, Сайд Эль-Гизири. - С.880–881. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ Лукьянченко, А. И. Отрицательная дифференциальная фотопроводимость. Эффект ИК гашения фотопроводимости / А. И. Лукьянченко. - С.882–885. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ ПОДСВЕТКИ, ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ Колковский, И. И. Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного n-Si / И. И. Колковский, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша. - С.885–887. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ, РОСТОВЫЕ МИКРОДЕФЕКТЫ Крутоголов, Ю. К. Исследование зонной структуры твердых растворов In1-xGaxP с использованием фотоэлектрического метода / Ю. К. Крутоголов [и др.]. - С.887–890. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Довженко С. В., Диордиев С. А., Крутоголова Л. И., Кунакин Ю. И., Рыжих С. А. Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПЕРЕХОДЫ, ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ Бакин, Н. Н. Образование центров E10 (Ec—0.62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-InP при электронном и gamma-облучениях / Н. Н. Бакин [и др.]. - С.890–892. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Брудный В. Н., Пешев В. В., Смородинов С. В. Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ДИОДЫ, ПАРЫ ФРЕНКЕЛЯ Аброян, И. А. Ионно-стимулированное восстановление кристаллической структуры GaAs / И. А. Аброян [и др.]. - С.892–894. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Беляков В. С., Крысов Г. А., Титов А. И. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПОДЛОЖКИ, КРИСТАЛЛИЗАЦИИ, ОБЛУЧЕНИЕ ИОНАМИ Оконечников, А. П. Диффузионная длина дырок в селениде цинка / А. П. Оконечников, Н. Н. Мельник. - С.894–896. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФОТОЭФФЕКТЫ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ Лебедев, А. А. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в p+—p0—pi—n0-структурах арсенида галлия / А. А. Лебедев [и др.]. - С.897–899. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Митрохин В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Степанова М. Н., Ярославцев Н. П. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ПРИМЕСИ, МЕТОД ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ Акимов, Б. А. Динамика движения рабочей точки на падающей ветви вольтамперной характеристики сплавов Pb1-xSnxTe‹In› / Б. А. Акимов, Д. Р. Хохлов, С. Н. Чесноков. - С.899–900. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ДЖОУЛЕВ ПРОБОЙ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СОСТОЯНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ Прозоровский, В. Д. Диэлектрические свойства Pb1-xSnx‹Cd, Zn› / В. Д. Прозоровский [и др.]. - С.901–903. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Решидова И. Ю., Таряник Н. В., Браташевский Ю. А. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, РЕШЕТКИ КРИСТАЛЛОВ, ЛЕГИРОВАНИЕ Сванбаев, Е. А. О размерах упорядоченных областей в некристаллическом гидрогенизированном кремнии / Е. А. Сванбаев, Т. И. Таурбаев. - С.903–905. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: МИКРОКРИСТАЛЛЫ, ВОДОРОД, СТРУКТУРЫ Гредескул, Т. С. Ток через полупроводниковую пластину с неравновесными фононами / Т. С. Гредескул, Ю. Г. Гуревич, О. Л. Машкевич. - С.905–909. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ЭФФЕКТ ПЕЛЬТЬЕ, НЕОДНОРОДНОСТЬ ТЕМПЕРАТУР, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Пахаруков, Ю. В. Некоторые аспекты эффекта радиационного упорядочения / Ю. В. Пахаруков. - С.909–911. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, МАЛЫЕ ДОЗЫ ОБЛУЧЕНИЯ, СТРУКТУРНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ Витовский, Н. А. Скопления атомов меди в германии / Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, Л. В. Налбандян. - С.911–914. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ, АКЦЕПТОРЫ Шаховцов, В. И. Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах кислорода в Si / В. И. Шаховцов, И. И. Ясковец. - С.914–916. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ Галаев, А. А. Влияние электронного облучения на характер низкотемпературной проводимости и емкости в кремниевых МДП структурах / А. А. Галаев, Е. А. Выговская, М. Д. Малинкович. - С.916–919. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: НАПРЯЖЕНИЯ, ОСЦИЛЛЯЦИИ ПРОВОДИМОСТИ, ТЕОРИЯ ПРОТЕКАНИЯ Витман, Р. Ф. Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в n-Si / Р. Ф. Витман [и др.]. - С.919–921. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Гусева Н. Б., Лебедев А. А., Таптыгов Э. С. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ Саморуков, Б. Е. Влияние облучения электронами на свойства фосфида индия, легированного 3d-элементами / Б. Е. Саморуков, С. В. Слободчиков. - С.921–925. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ОБЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНАМИ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1) Вільні: чз.1 (1) |