> Шифр: Ф8/1988/22/1 Журнал 1988р. т.22 N 1 Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV : обзор / А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну. - С.3–14. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Лебедев, А. А. Влияние ориентированной деформации и gamma-облучения на уровни платины в кремнии / А. А. Лебедев, Н. А. Султанов. - С.16–19. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: АКЦЕПТОРЫ, ДОНОРЫ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ Аблова, М. С. Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния / М. С. Аблова [и др.]. - С.20–23. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Абдуманапов У. Ж., Абдурахманов К. П., Куликов Г. С., Уткин-Эдин Д. П., Ходжаев К. X. Кл.слова: ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, ДОНОРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ Ивченко, Е. Л. Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой / Е. Л. Ивченко, В. А. Кособукин. - С.24–30. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: СВЕТОВЫЕ ВОЛНЫ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОНИЦАЕМОСТИ, ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ДИСПЕРСИИ Обухов, С. А. Переход металл–диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем / С. А. Обухов. - С.31–34. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПРОВОДИМОСТИ, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ Гореленок, А. Т. Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами / А. Т. Гореленок [и др.]. - С.35–43. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Груздов В. Г., Ракеш Кумар, Мамутин В. В., Полянская Т. А., Савельев И. Г., Шмарцев Ю. В. Кл.слова: ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, КОНЦЕНТРАЦИИ ДОНОРОВ Марков, А. В. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs / А. В. Марков [и др.]. - С.44–48. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Омельяновский Э. М., Освенский В. Б., Поляков А. Я., Ковальчук И. А., Райхштейн В. И., Тишкин М. В. Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, СПЕКТРЫ ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛОВУШКИ Болотов, В. В. Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии / В. В. Болотов, А. В. Карпов, В. А . Стучинский. - С.49–55. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДИФФУЗИИ ВАКАНСИЙ, ДИОДЫ ШОТТКИ Афонин, О. Ф. Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами / О. Ф. Афонин [и др.]. - С.56–61. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Викторов Б. В., Забродин Б. В., Козловский В. В., Марущак Н. В., Шустров Б. А. Кл.слова: ПРИМЕСИ, ЯДЕРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Пономаренко, В. П. Статические характеристики МДП транзисторов на основе CdxHg1-xTe / В. П. Пономаренко, И. В. Шиманский, В. И. Стафеев. - С.62–65. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ИНДУЦИРОВАННЫЕ КАНАЛЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Берковиц, В. Л. Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений AIIIBV / В. Л. Берковиц [и др.]. - С.66–71. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Киселев В. А., Минашвили Т. А., Сафаров В. И. Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ, СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ, АДСОРБЦИИ Стариков, Е. В. Новый подход к расчету спектра дифференциальной подвижности горячих носителей заряда: прямое моделирование градиента функции распределения методом Монте–Карло / Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов. - С.72–78. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ВЕКТОРНЫЕ ФУНКЦИИ, КОРРЕЛЯЦИОННЫЕ МАТРИЦЫ Баязитов, Р. М. Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния / Р. М. Баязитов [и др.]. - С.79–83. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Ивлев Г. Д., Хайбуллин И. Б., Малевич В. Л., Саинов Н. А. Кл.слова: ОТРАЖАТЕЛЬНЫЕ СПОСОБНОСТИ, ЖИДКОФАЗНЫЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ Буторин, О. В. Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости / О. В. Буторин, А. Г. Казанский. - С.84–86. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ, ДЕГИДРОГЕНИЗАЦИИ Мармур, И. Я. Фотоемкостной эффект на запертых p–n-переходах / И. Я. Мармур, Ю. Б. Новиков, Я. А. Оксман. - С.87–92. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ИНФРАКРАСНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, ФОТООТВЕТЫ, БАРЬЕРНЫЕ ЕМКОСТИ Шаронова, Л. В. Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx / Л. В. Шаронова [и др.]. - С.93–96. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Полянская Т. А., Нажмудинов X. Г., Каряев В. Н., Зайцева Л. А. Кл.слова: СПЕКТРЫ ФОТООТВЕТОВ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ Тарасик, М. И. Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта / М. И. Тарасик, Д. С. Шварков, А. М. Янченко. - С.97–100. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: УРОВЕНЬ ФЕРМИ, ОДНООСНЫЕ НАГРУЗКИ, ИОНИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ Красильник, З. Ф. Отрицательные массы и отрицательная проводимость на циклотронном резонансе в полупроводниках p-типа группы AIIIBV / З. Ф. Красильник. - С.101–104. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ИНВЕРСИИ, ДЫРКИ, МАЗЕРЫ Козырев, С. В. Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами / С. В. Козырев, А. Я. Шик. - С.105–111. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПЕРЕХОДЫ, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Полупанов, А. Ф. Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках / А. Ф. Полупанов, Р. Таскинбоев. - С.112–117. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ТЕОРИЯ ВОЗМУЩЕНИЙ, ТЯЖЕЛЫЕ ДЫРКИ, ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ Мастеров, В. Ф. О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами / В. Ф. Мастеров, В. А. Харченко, О. Д. Хохрякова. - С.118–122. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ Бахадырханов, М. К. Распад твердого раствора Si‹Mn› при всестороннем гидростатическом сжатии / М. К. Бахадырханов, А. Абдураимов, X. М. Илиев. - С.123–128. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ДЕФОРМАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, КИНЕТИКА РАСПАДА, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ Константинов, О. В. Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле / О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Царенков. - С.129–132. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПАРЫ, ФОТОПРИЕМНИКИ Аникин, М. М. Электростатические свойства SiC-6H-структур с резким p–n-переходом / М. М. Аникин [и др.]. - С.133–136. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Лебедев А. А., Попов И. В., Пятко С. Н., Растегаев В. П., Сыркин А. Л., Царенков Б. В., Челноков В. Е. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, НАПРЯЖЕНИЯ Семиколенова, Н. А. Поляритоны в арсениде галлия n-типа / Н. А. Семиколенова. - С.137–139. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ЗАТУХАНИЯ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОНИЦАЕМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Алексеенко, М. В. Эксперименальное определение холл-фактора в сложной валентной зоне p-Ge / М. В. Алексеенко [и др.]. - С.140–142. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Андреев А. Г., Забродский А. Г., Попов В. В. Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, ДЫРКИ, ПРИМЕСИ Бобрикова, О. В. Влияние электрического поля на накопление A, E-центров в кремнии / О. В. Бобрикова, В. Ф. Стась. - С.143–146. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ВАКАНСИИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ Балтрамеюнас, Р. Влияние мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах кремния / Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас. - С.146–147. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, НЕЛИНЕЙНЫЕ РЕФРАКЦИИ, ЛЕГИРОВАНИЯ Воронина, Т. И. Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных редкоземельными элементами / Т. И. Воронина [и др.]. - С.147–150. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Лагунова Т. С., Саморуков Б. Е., Стругов Н. А. Кл.слова: ФОНОВЫЕ ПРИМЕСИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Пека, Г. П. Фоточувствительность длинных диодных структур на основе варизонных твердых растворов AlxGa1-xAs / Г. П. Пека [и др.]. - С.150–152. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Пулеметов Д. А., Радзивилюк В. А., Смоляр А. Н., Шимулите Е. А. Кл.слова: ФОТОДИОДЫ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ Гицу, Д. В. Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах n-TlSbSe2 / Д. В. Гицу [и др.]. - С.152–154. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Гринчешен И. Н., Красовский В. Ф., Попович Н. С. Кл.слова: СЛОИСТЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ, АКЦЕПТОРНЫЕ УРОВНИ Балагуров, Л. А. Исследование спектра локальных состояний a-Si : H методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии / Л. А. Балагуров [и др.]. - С.155–157. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Омельяновский Э. М., Пинскер Т. Н., Примбетов К. К., Уткин-Эдин Д. П. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ Баранский, П. И. Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев n-GaP / П. И. Баранский [и др.]. - С.158–161. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Беляев А. Е., Городничий О. П., Макаренко В. Г. Кл.слова: РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, МЕЖДОЛИННЫЕ РАССЕЯНИЯ, КРИСТАЛЛЫ Регель, А. Р. Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии / А. Р. Регель [и др.]. - С.161–164. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Серегин П. П., Мездрогина М. М., Насрединов Ф. С., Аблова М. С., Абдуманапов У. Ж. Кл.слова: ЛЕГИРОВАНИЯ, РАСПЫЛЕНИЕ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ Константинов, А. О. О механизме диффузии бора в карбиде кремния / А. О. Константинов. - С.164–168. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПЕРЕХОДЫ, АССОЦИАТЫ Балагуров, Л. А. Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния / Л. А. Балагуров [и др.]. - С.168–171. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Омельяновский Э. М., Осташко С. А., Стариков М. Н., Стыс Л. Е. Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ Вейс, А. Н. Электрофизические и оптические свойства p-PbTe‹Ag› / А. Н. Вейс [и др.]. - С.171–173. - Библиогр. в конце ст. Інші автори: Гриневич А. В., Кайданов В. И., Мельник Р. Б., Немов С. А. Кл.слова: ПРИМЕСИ, ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ Гасымов, Т. М. Термоэдс горячих носителей тока в полупроводниках при сильной анизотропии функции распределения фононов / Т. М. Гасымов, А. А. Катанов. - С.173–175. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: НЕВЫРОЖДЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КИНЕТИЧЕСКИЕ УРАВНЕНИЯ, УВЛЕЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ Мезрин, О. А. Диффузия горячих фотоэлектронов в металл – эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки / О. А. Мезрин, С. И. Трошков. - С.176–179. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ФОТОДИОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ТЕРМАЛИЗАЦИИ Баженов, В. К. Электронные состояния одиночных вакансий в ZnSe и CdTe / В. К. Баженов, Д. Л. Кардашев, А. В. Нахабин. - С.179–181. - Библиогр. в конце ст. Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ОРБИТАЛИ, ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1) Вільні: чз.1 (1) |