062
   Х 23


Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т

   
    Оптимизация параметра состава X по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой Al[[d]]x[[/d]]Ga[[d]]1-x[[/d]]As-In[[d]]x[[/d]]Ga[[d]]1-x[[/d]]As-GaAs [Текст] / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, А. В. Фролов // Вестник Национального технического университета “ХПИ” : сб. науч. тр. : темат. вып. / Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т. - Харьков : НТУ “ХПИ”, 2011. - Вып. 54: Новые решения в современных технологиях. - С. 144-152. - Библиогр.: с. 152 (5 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормовані):
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Дод.точки доступу:
Сокол, Е. И. \отв. ред.\
Слипченко, Н. И.
Письменецкий, В. А.
Фролов, А. В.
Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т

Примірників усього: 5
аб.1 (5)
Вільні: аб.1 (5)