Х 23 Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т Оптимизация параметра состава X по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой Al[[d]]x[[/d]]Ga[[d]]1-x[[/d]]As-In[[d]]x[[/d]]Ga[[d]]1-x[[/d]]As-GaAs [Текст] / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, А. В. Фролов> // Вестник Национального технического университета “ХПИ” : сб. науч. тр. : темат. вып. / Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т. - Харьков : НТУ “ХПИ”, 2011. - Вып. 54: Новые решения в современных технологиях. - С. 144-152. - Библиогр.: с. 152 (5 назв.)
Кл.слова (ненормовані): ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Дод.точки доступу: Сокол, Е. И. \отв. ред.\ Слипченко, Н. И. Письменецкий, В. А. Фролов, А. В. Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т Примірників усього: 5 аб.1 (5) Вільні: аб.1 (5) |