621.385.3
   П 49


   
    Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления [Текст] = GaAs Fet Principles and Technology / ред.: Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуол ; пер. с англ., ред. Г. В. Петров. - Москва : Радио и связь, 1988. - 496 с. : ил. - ISBN 5-256-00136-1 : 2.70 р., -5 р.
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
полевые транзисторы -- транзисторы на арсениде галлия -- полуизолирующие подложки
Дод.точки доступу:
Ди Лоренцо, Д. В. \ред.\
Канделуол, Д. Д. \ред.\
Петров, Г. В. \пер. с англ., ред.\

Примірників усього: 2
аб.1 (1), 0 (1)
Вільні: аб.1 (1), 0 (1)