С 31 Птащенко, О. О. Вплив структури р-n переходів на їх характеристики як газових сенсорів [Текст] / О. О. Птащенко, Ф. О. Птащенко, В. В. Шугарова> // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4) : тези доповідей / АН ВШУ, ІФН НАНУ, ОНУ. - Одеса : Астропринт, 2010 = Sensors electronics and microsystems technology (SEMST-4). - С. 72 . - ISBN 978-966-190-339-4
Кл.слова (ненормовані): сенсори газові -- р-n переходи -- тунельні діоди Дод.точки доступу: Смитнина, В. А. \гол. ред.\ Птащенко, Ф. О. Шугарова, В. В. Академія наук вищої школи України НАН України. Інститут фізики напівпровідників Одеський національний університет Примірників усього: 1 аб.1 (1) Вільних прим. немає |