681.2
   С 31


    Птащенко, О. О.
    Вплив структури р-n переходів на їх характеристики як газових сенсорів [Текст] / О. О. Птащенко, Ф. О. Птащенко, В. В. Шугарова // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4) : тези доповідей / АН ВШУ, ІФН НАНУ, ОНУ. - Одеса : Астропринт, 2010 = Sensors electronics and microsystems technology (SEMST-4). - С. 72 . - ISBN 978-966-190-339-4
УДК

Кл.слова (ненормовані):
сенсори газові -- р-n переходи -- тунельні діоди
Дод.точки доступу:
Смитнина, В. А. \гол. ред.\
Птащенко, Ф. О.
Шугарова, В. В.
Академія наук вищої школи України
НАН України. Інститут фізики напівпровідників
Одеський національний університет

Примірників усього: 1
аб.1 (1)
Вільних прим. немає