О-60 Опанасюк, Анатолий Сергеевич. Получение и исследование базовых слоев теллурида кадмия для пленочных фотоэлектрических преобразователей [Рукопис] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. С. Опанасюк ; науч. рук. Б. С. Бойко ; ХПИ. - Харьков, 1986. - 260 с. : ил. - Библиогр.: с. 243-158 (149 назв.) Зміст: Введение . - С .5-8 Аналитический обзор . - С .9-43 1. Требования к материалу базового слоя и конструкции эффективных ФЭП . - С .9-15 2. Влияние структурных особенностей поликристаллических базовых слоев на эксплуатационные характеристики ФЭП . - С .15-31 3. Анализ причин низкой эффективности ФЭП на основе CdTe . - С .31-44 Методы получения и исследования пленок CdTe для базовых слоев ФЭП . - С .44-78 1. Обоснование выбора метода квазизамкнутого объема для конденсации CdTe . - С .44-47 2. Конструкция испарительного устройства и методика пленок в КЗО . - С .47-54 3. Методика исследования фазового состава слоев CdTe . - С .54-56 4. Изучение неоднородностей электронной плотности в пленках . - С .56-61 5. Методика электроизмерений . - С .61-64 6. Определение объемных и контактных параметров структур со слоем CdTe . - С .64-67 7. Идентификация механизма зарядопереноса в исследуемых структурах . - С .67-74 8. Дифференциальная методика обработки ВАХ в режиме ТОПЗ . - С .74-78 Кристаллическая структура базовых слоев CdTe для пленочных ФЭП . - С .79-151 1. Влияние физико-технологических условий конденсации в КЗО на структурные характеристики поликристаллических пленок . - С .79-103 2. Пористость поликристаллических пленок . - С .103-115 3. Макронапряжения в системе базовый слой - подложка . - С .115-135 4. Период решетки в базовых слоях ФЭП . - С .135-145 5. Рекомендации по выбору материала подложек для получения базовых слоев с оптимальной кристаллической структурой . - С .145-151 Электрофизические характеристики поликристаллических пленок CdTe . - С .152-200 Исследование оптимальных способов формирования гетеросистем на основе CdTe для ФЭП . - С .197-236 1. Выбор легирующей примеси и расчет температурных режимов испарения легандов для получения активированных пленок . - С .201-215 2. Исследование оптимальных способов получения эпитаксиальных пленок CdTe . - С .215-228 3. Структура и электрические свойства пленочных ФЭП с гетеропереходом p-CdTe-n-CdS . - С .228-236
Кл.слова (ненормовані): ПОДЛОЖКИ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Дод.точки доступу: Бойко, Борис Тимофеевич (26.02.1930-2008) \науч. рук. .\ Харьковский политехнический институт Примірників усього: 1 чз.1 (1) Вільні: чз.1 (1) |