539.23
   И 25


    Ивонин, И. В.
    Электронномикроскопическое исследование механизма роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия [Рукопис] : дис. ... канд. физ. -мат. наук / И. В. Ивонин ; науч. рук. работы Л. Г. Лаврентьева ; СФТИ ТГУ. - Томск, 1977. - 230 с. : рис., фот. - Библиогр.: с.205-225 (174 назв.)
    Зміст:
Механизм роста эпитаксиальных слоев . - С .12-34
1. Современные представления о механизме роста кристаллов из газовой фазы . - С .14-19
2. Исследование механизма роста автоэпитаксиальных слоев, получаемых методами химических транспортных реакций . - С .19-32
Подготовка подложек, получение и исследование эпитаксиальных слоев . - С .35-57
1. Изучение структурно-морфологического совершенства поверхности подложек GaAs . - С .43-57
Микроморфология и механизм роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия . - С .59-115
1. Микроморфология поверхности АЭС арсенида галлия. Зависимость от кристаллографической ориентации подложки . - С .60-61
2. Механизм роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия . - С .70-86
3. Оценка некоторых параметров, характеризующих слоевой рост арсенида галлия в газофазных системах . - С .87-115
Влияние условий кристаллизации на дефектообразование и механизм роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия . - С .119-175
1. Микродефекты роста типа ЦТС. Природа, механизм образования и зависимость от условий наращивания . - С .120-136
2. Механизм роста и влияние на него легирующих примесей . - С .136-173
Особенности механизма роста автоэпитаксиальных слоев германия при низкотемпературной эпитаксии . - С .176-196
1. Методика эксперимента . - С .176-178
2. Микроморфология поверхности роста автоэпитаксиальных слоев германия. Диапазон кристаллографических ориентаций(111)-(100) . - С .178-183
3. Обсуждение результатов . - С .183-198
Заключение . - С .199-204
ДРНТІ
УДК

Кл.слова (ненормовані):
АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ -- НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭПИТАКСИЯ -- АДСОРБЦИЯ ЛЕНГМЮРА -- СИНГУЛЯРНЫЕ ГРАНИ
Дод.точки доступу:
Лаврентьева, Л. Г. \науч. рук. работы.\
Томский государственный университет. Сибирский физико-технический институт

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)