Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Періодичні видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>II=Ф8/1989/23/5<.>
Загальна кількість знайдених документів : 38
Показані документи с 1 по 20
 1-20    21-38 
1.


   
    Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках [Текст] : обзор / М. А. Алексеев [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 761–779. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- РЕЛАКСАЦИИ
Дод.точки доступу:
Алексеев, М. А.
Карлик, И. Я.
Мирлин, Д. Н.
Сапега, В. Ф.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

2.


   
    Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в p-GaSb [Текст] / А. Н. Баранов [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 780–786. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ -- ПОДВИЖНОСТИ
Дод.точки доступу:
Баранов, А. Н.
Воронина, Т. И.
Лагунова, Т. С.
Тимченко, И. Н.
Чугуева, З. И.
Шерстнев, В. В.
Яковлев, Ю. П.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

3.


   
    Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+—nu —pi—n+-структур [Текст] / С. Т. Воронин [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 787–791. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ -- ПЕРЕХОДЫ -- ИНЖЕКЦИОННЫЕ УСИЛЕНИЯ
Дод.точки доступу:
Воронин, С. Т.
Кравченко, А. Ф.
Шерстяков, А. П.
Горбушов, К. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

4.


   
    Исследование оптического усиления в сверхрешетках GaAs—AlxGa1-xAs [Текст] / Р. Балтрамеюнас [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 792–795. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
СПЕКТРЫ -- СТРУКТУРЫ -- ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ
Дод.точки доступу:
Балтрамеюнас, Р.
Вайнерт, X.
Геразимас, Е.
Куокштис, Э.
Хеннебергер, Ф.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

5.


   
    Кинетические явления в одноосно деформированном p-Hg1-xCdxTe с varepsilong›0 [Текст] / А. В. Германенко [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 796–803. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА -- СВОБОДНЫЕ ДЫРКИ -- АКЦЕПТОРЫ
Дод.точки доступу:
Германенко, А. В.
Миньков, Г. М.
Румянцев, Е. Л.
Рут, О. Э.
Инишева, О. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

6.


    Васильев, А. Э.
    Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия [Текст] / А. Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 804–808. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ -- ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ -- ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ
Дод.точки доступу:
Ильин, Н. П.
Мастеров, В. Ф.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

7.


    Осипов, В. В.
    К теории внутризонного оптического поглощения в гетероструктурах с квантовыми ямами [Текст] / В. В. Осипов, Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 809–815. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ФОТОИОНИЗАЦИИ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ
Дод.точки доступу:
Серженко, Ф. Л.
Шадрин, В. Д.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

8.


    Гинзбург, Л. П.
    Проводящая зона в условиях структурного беспорядка [Текст] / Л. П. Гинзбург // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 813–819. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ -- НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ -- ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ
Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

9.


    Кибис, О. В.
    Влияние деформации на энергетический спектр валентной зоны в двумерных полупроводниковых системах [Текст] / О. В. Кибис // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 820–825. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ДЫРОЧНЫЕ СПЕКТРЫ -- КВАНТУЮЩИЕ ПОТЕНЦИАЛЫ -- СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

10.


    Карпова, И. В.
    Оже-рекомбинация в сильно легированном германии [Текст] / И. В. Карпова, В. И. Перель, С. М. Сыровегин // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 826–831. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ГЛУБОКИЕ УРОВНИ -- ФОНОВЫЕ ПРИМЕСИ -- НОСИТЕЛИ
Дод.точки доступу:
Перель, В. И.
Сыровегин, С. М.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

11.


    Корнеева, Л. А.
    Кооперативные эффекты в кильватере быстрых ориентированных частиц в полупроводниках [Текст] / Л. А. Корнеева, Е. А. Мазур, А. И. Руденко // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 832–838. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ -- ЭЛЕКТРОН-ДЫРОЧНАЯ ПЛАЗМА
Дод.точки доступу:
Мазур, Е. А.
Руденко, А. И.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

12.


    Гашимзаде, Н. Ф.
    Локализованные электронные состояния на дефектах полупроводниковой сверхрешетки [Текст] / Н. Ф. Гашимзаде, Е. Л. Ивченко, В. А. Кособукин // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 839–844. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
СВЕРХСТРУКТУРЫ -- ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ
Дод.точки доступу:
Ивченко, Е. Л.
Кособукин, В. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

13.


   
    Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/n-(Al, Ga)As [Текст] / В. П. Евтихиев [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 845–848. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
СПЕКТРАЛЬНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПАРЫ
Дод.точки доступу:
Евтихиев, В. П.
Копьев, П. С.
Надточий, М. Ю.
Устинов, В. М.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

14.


    Резников, Б. И.
    Нестационарный фотоэффект в варизонной m—p—n-структуре I. Распространение импульса неравновесных носителей заряда [Текст] / Б. И. Резников, Г. В. Царенков // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 849–856. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ -- РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИМПУЛЬСОВ -- ОБЪЕМНЫЕ ЗАРЯДЫ
Дод.точки доступу:
Царенков, Г. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

15.


    Крючков, С. В.
    Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей [Текст] / С. В. Крючков, Г. А. Сыродоев // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 857–864. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
УЗКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЕЙ -- ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
Дод.точки доступу:
Сыродоев, Г. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

16.


    Лукашевич, Т. А.
    Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении [Текст] / Т. А. Лукашевич, Л. В. Мизрухин // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 865–868. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
КРИСТАЛЛЫ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Дод.точки доступу:
Мизрухин, Л. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

17.


    Медведкин, Г. А.
    Фотоэффект в гетероструктурах In2O3/CuInSe2, полученных методом термического окисления [Текст] / Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 869–872. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
СПЕКТРАЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ -- ФОТООТВЕТЫ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
Дод.точки доступу:
Рудь, Ю. В.
Таиров, М. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

18.


   
    Частотная зависимость ширины линии ЭПР в аморфном кремнии в интервале 9/130 ГГц [Текст] / А. А. Бугай [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 872–874. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ -- ИОННЫЕ ИМПЛАНТАЦИИ
Дод.точки доступу:
Бугай, А. А.
Зарицкий, И. М.
Лукин, С. Н.
Неймарк, Е. И.
Кабдин, Н. Н.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

19.


   
    Особенности поведения примеси хрома в теллуриде свинца [Текст] / Г. В. Лашкарев [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 874–876. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
УЗКОЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- КРИСТАЛЛЫ -- ЛЕГИРОВАНИЕ
Дод.точки доступу:
Лашкарев, Г. В.
Бродовой, А. В.
Радченко, М. В.
Колесник, С. П.
Вертелецкий, П. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

20.


    Абдуллаев, А. А.
    Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 [Текст] / А. А. Абдуллаев, А. З. Гаджиев // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 876–880. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ТРАНСФОРМАЦИИ -- МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Дод.точки доступу:
Гаджиев, А. З.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 1-20    21-38 
 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua