Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Періодичні видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>II=Ф8/1988/22/1<.>
Загальна кількість знайдених документів : 40
Показані документи с 1 по 20
 1-20    21-40  
1.


   
    Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV [Текст] : обзор / И. М. Тигиняну ; // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 3–14. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
КРИСТАЛЛЫ -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Дод.точки доступу:
Тигиняну, И. М.
Георгобиани, А. Н. \.\

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

2.


    Лебедев, А. А.
    Влияние ориентированной деформации и gamma-облучения на уровни платины в кремнии [Текст] / А. А. Лебедев, Н. А. Султанов // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 16–19. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
АКЦЕПТОРЫ -- ДОНОРЫ -- РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
Дод.точки доступу:
Султанов, Н. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

3.


   
    Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния [Текст] / М. С. Аблова [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 20–23. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ -- ДОНОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Дод.точки доступу:
Аблова, М. С.
Абдуманапов, У. Ж.
Абдурахманов, К. П.
Куликов, Г. С.
Уткин-Эдин, Д. П.
Ходжаев, К. X.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

4.


    Ивченко, Е. Л.
    Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой [Текст] / Е. Л. Ивченко, В. А. Кособукин // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 24–30. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
СВЕТОВЫЕ ВОЛНЫ -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОНИЦАЕМОСТИ -- ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ДИСПЕРСИИ
Дод.точки доступу:
Кособукин, В. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

5.


    Обухов, С. А.
    Переход металл–диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем [Текст] / С. А. Обухов // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 31–34. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ПРОВОДИМОСТИ -- МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

6.


   
    Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами [Текст] / А. Т. Гореленок [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 35–43. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- КОНЦЕНТРАЦИИ ДОНОРОВ
Дод.точки доступу:
Гореленок, А. Т.
Груздов, В. Г.
Ракеш, Кумар
Мамутин, В. В.
Полянская, Т. А.
Савельев, И. Г.
Шмарцев, Ю. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

7.


   
    Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs [Текст] / А. В. Марков [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 44–48. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
КРИСТАЛЛЫ -- СПЕКТРЫ ФОТОПРОВОДИМОСТИ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛОВУШКИ
Дод.точки доступу:
Марков, А. В.
Омельяновский, Э. М.
Освенский, В. Б.
Поляков, А. Я.
Ковальчук, И. А.
Райхштейн, В. И.
Тишкин, М. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

8.


    Болотов, В. В.
    Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии [Текст] / В. В. Болотов, А. В. Карпов, В. А . Стучинский // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 49–55. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ДИФФУЗИИ ВАКАНСИЙ -- ДИОДЫ ШОТТКИ
Дод.точки доступу:
Карпов, А. В.
Стучинский, В.А .

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

9.


   
    Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами [Текст] / О. Ф. Афонин [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 56–61. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ПРИМЕСИ -- ЯДЕРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Дод.точки доступу:
Афонин, О. Ф.
Викторов, Б. В.
Забродин, Б. В.
Козловский, В. В.
Марущак, Н. В.
Шустров, Б. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

10.


    Пономаренко, В. П.
    Статические характеристики МДП транзисторов на основе CdxHg1-xTe [Текст] / В. П. Пономаренко, И. В. Шиманский, В. И. Стафеев // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 62–65. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- ИНДУЦИРОВАННЫЕ КАНАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Дод.точки доступу:
Шиманский, И. В.
Стафеев, В. И.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

11.


   
    Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений AIIIBV [Текст] / В. Л. Берковиц [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 66–71. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ -- СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ -- АДСОРБЦИИ
Дод.точки доступу:
Берковиц, В. Л.
Киселев, В. А.
Минашвили, Т. А.
Сафаров, В. И.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

12.


    Стариков, Е. В.
    Новый подход к расчету спектра дифференциальной подвижности горячих носителей заряда: прямое моделирование градиента функции распределения методом Монте–Карло [Текст] / Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 72–78. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ВЕКТОРНЫЕ ФУНКЦИИ -- КОРРЕЛЯЦИОННЫЕ МАТРИЦЫ
Дод.точки доступу:
Шикторов, П. Н.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

13.


   
    Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния [Текст] / Р. М. Баязитов [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 79–83. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ОТРАЖАТЕЛЬНЫЕ СПОСОБНОСТИ -- ЖИДКОФАЗНЫЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ -- СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Дод.точки доступу:
Баязитов, Р. М.
Ивлев, Г. Д.
Хайбуллин, И. Б.
Малевич, В. Л.
Саинов, Н. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

14.


    Буторин, О. В.
    Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости [Текст] / О. В. Буторин, А. Г. Казанский // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 84–86. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ -- НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ -- ДЕГИДРОГЕНИЗАЦИИ
Дод.точки доступу:
Казанский, А. Г.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

15.


    Мармур, И. Я.
    Фотоемкостной эффект на запертых p–n-переходах [Текст] / И. Я. Мармур, Ю. Б. Новиков, Я. А. Оксман // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 87–92. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ИНФРАКРАСНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ -- ФОТООТВЕТЫ -- БАРЬЕРНЫЕ ЕМКОСТИ
Дод.точки доступу:
Новиков, Ю. Б.
Оксман, Я. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

16.


   
    Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx [Текст] / Л. В. Шаронова [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 93–96. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
СПЕКТРЫ ФОТООТВЕТОВ -- ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Дод.точки доступу:
Шаронова, Л. В.
Полянская, Т. А.
Нажмудинов, X. Г.
Каряев, В. Н.
Зайцева, Л. А.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

17.


    Тарасик, М. И.
    Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта [Текст] / М. И. Тарасик, Д. С. Шварков, А. М. Янченко // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 97–100. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ОДНООСНЫЕ НАГРУЗКИ -- ИОНИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ
Дод.точки доступу:
Шварков, Д. С.
Янченко, А. М.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

18.


    Красильник, З. Ф.
    Отрицательные массы и отрицательная проводимость на циклотронном резонансе в полупроводниках p-типа группы AIIIBV [Текст] / З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 101–104. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ИНВЕРСИИ -- ДЫРКИ -- МАЗЕРЫ
Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

19.


    Козырев, С. В.
    Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами [Текст] / С. В. Козырев, А. Я. Шик // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 105–111. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ПЕРЕХОДЫ -- ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
Дод.точки доступу:
Шик, А. Я.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

20.


    Полупанов, А. Ф.
    Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках [Текст] / А. Ф. Полупанов, Р. Таскинбоев // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 112–117. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ТЕОРИЯ ВОЗМУЩЕНИЙ -- ТЯЖЕЛЫЕ ДЫРКИ -- ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ
Дод.точки доступу:
Таскинбоев, Р.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 1-20    21-40  
 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua