Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Періодичні видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
 Знайдено у інших БД:Книжкові видання (3)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>K=УРОВЕНЬ ФЕРМИ<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 88
Показані документи с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Шифр: Ф8/1988/22/3
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1988р. т.22 N 3
Зміст:
Кабыченков, А. Ф. Немонотонность проводимости инверсионных p-каналов / А. Ф. Кабыченков. - С.369–374. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРЕМНИЙ, УРОВЕНЬ ФЕРМИ, СОСТОЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ
Исмаилов, Ж. Т. Перетекание электронов на примесный уровень в Hg1-xMnxSe под давлением / Ж. Т. Исмаилов [и др.]. - С.375–380. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кульбачинский В. А., Чудинов С. М., Гавалешко Н. П., Марьянчук П. Д.
Кл.слова: ОСЦИЛЛЯЦИИ, ПОЛУМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОБМЕННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
Бильгильдеева, Т. Ю. Слабая локализация и спин-орбитальное взаимодействие в твердом растворе GaAs0.94Sb0.06 p-типа / Т. Ю. Бильгильдеева, В. Н. Каряев, Т. А. Полянская. - С.381–385. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ, ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ, ПЛЕНКИ
Ефанов, А. В. Поведение ЭДС Дембера на горячих электронах в слабом магнитном поле / А. В. Ефанов, М. В. Энтин. - С.386–389. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕЖЗОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ФОТОЭДС, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Винников, А. Я. Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле / А. Я. Винников, А. М. Мешков, А. С. Титков. - С.390–395. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛИКРИСТАЛЛЫ, НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ БАРЬЕРЫ
Бочков, В. С. Неравновесные электроны и фононы в полупроводниках конечных размеров в электрических полях / В. С. Бочков, Т. С. Гредескул, Ю. Г. Гуревич. - С.396–401. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАЗОГРЕВЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ПОЛЯ, ПОДСИСТЕМЫ
Зарицкий, И. М. О причине аномалий спин-решеточной релаксации и низкотемпературной теплоемкости в аморфном кремнии и германии / И. М. Зарицкий, Ю. Г. Семенов. - С.402–408. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ОБОРВАННЫЕ СВЯЗИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Вирт, И. С. Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках / И. С. Вирт, Н. Н. Григорьев, А. В. Любченко. - С.409–412. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРОТЯЖЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Григорьев, . Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры / Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков. - С.413–418. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ, ЦЕПИ УПРАВЛЕНИЯ
Архипов, В. И. Кинетика близнецовой рекомбинации в аморфных материалах в условиях поверхностной генерации пар / В. И. Архипов, В. Р. Никитенко. - С.419–423. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ФОТОТОКИ, ЭЛЕКТРОН-ДЫРОЧНЫЕ ПАРЫ, ПОДВИЖНЫЕ НОСИТЕЛИ
Копьев, П. С. Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы / П. С. Копьев [и др.]. - С.424–432. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Уральцев И. Н., Эфрос Ал. Л., Яковлев Д. Р., Винокурова А. В.
Кл.слова: ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ФЛУКТУАЦИИ
Козырев, С. В. Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах / С. В. Козырев, А. Ю. Маслов. - С.433–438. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ БАРЬЕРЫ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, РАССЕЯНИЯ
Карпус, В. Энергетическая релаксация двумерных электронов при пьезоакустическом рассеянии / В. Карпус. - С.439–449. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭНЕРГИИ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ, АКУСТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ
Левин, Е. И. О возможности немонотонного хода потенциала в аккумуляционном слое / Е. И. Левин. - С.450–454. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ВНЕШНИЕ ПОЛЯ, МНОГОЧАСТОТНЫЕ ЭФФЕКТЫ
Даргис, А. Ю. Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях / А. Ю. Даргис, С. В. Жураускас. - С.455–460. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, ГЕЛИЕВЫЕ ТЕМПЕРАТУРЫ, УДАРНЫЕ ИОНИЗАЦИИ
Стриха, В. И. Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии / В. И. Стриха [и др.]. - С.461–464. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ильченко В. В., Мездрогина М. М., Андреев А. А.
Кл.слова: МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА ТОКА, ПЛЕНКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Глазман, Л. И. Сопротивление и ВАХ чистого полупроводникового контакта в магнитном поле / Л. И. Глазман, В. Б. Юрченко. - С.465–470. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТОКИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Акопян, А. А. Теоретическое и экспериментальное исследования эксклюзии в образцах конечной длины. Переходный процесс при включении поля и нестационарные вольтамперные характеристики / А. А. Акопян. - С.471–478. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ, РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЕЙ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Баширов, Р. И. Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии / Р. И. Баширов [и др.]. - С.479–484. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гавриленко В. И., Красильник З. Ф., Мусаев А. М., Никоноров В. В., Потапенко С. Ю., Чернобровцева М. Д.
Кл.слова: ОДНООСНЫЕ ДЕФОРМАЦИИ, КРИСТАЛЛЫ, ДИНАМИЧЕСКИЕ РАЗОГРЕВЫ
Захаров, Ю. В. Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости n-GaP‹Ni› / Ю. В. Захаров [и др.]. - С.485–488. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Материкин Д. И., Прибылов Н. Н., Бордюжа Л.П., Рембеза С. И.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ, СПЕКТРЫ
Бородовский, П. А. Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин. - С.489–492. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НАПРЯЖЕНИЯ, ТЕРМОЭДС, ГОРЯЧИЕ НОСИТЕЛИ
Гальперин, Ю. М. Неомические эффекты в ВЧ прыжковой проводимости / Ю. М. Гальперин, Э. Я. Приев. - С.493–496. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, МЕХАНИЗМЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, ПАРЫ ДОНОРОВ
Окунев, В. Д. Электрическая активность Ni в стеклообразном CdGeAs2 / В. Д. Окунев, Н. Н. Пафомов. - С.497–499. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ, ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Казакевич, Л. А. Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии / Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков. - С.499–502. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, ПЛАСТИЧЕСКИЕ ДЕФОРМАЦИИ, ПРИМЕСИ
Абдусаттаров, А. Г. Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в p-кремнии / А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец. - С.502–504. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: АКЦЕПТОРНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Горлей, П. Н. О температурной зависимости зонных параметров дырок в теллуре / П. Н. Горлей. - С.504–506. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, ЭМПИРИЧЕСКИЕ ФОРМУЛЫ
Глориозова, Р. И. Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия / Р. И. Глориозова [и др.]. - С.507–509. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Колесник Л. И., Колин Н. Г., Освенский В. Б.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ, СПЕКТРЫ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
Абдурахманов, К. П. Радиационное дефектообразование в диодных структурах с различной интенсивностью / К. П. Абдурахманов [и др.]. - С.510–512. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Шеримбетов Т., Добровинский Ю. М., Сагдуллаев Х. У.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ОБЛУЧЕНИЯ, ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
Савчук, А. И. Особенности дисперсии фарадеевского вращения в полумагнитных полупроводниках / А. И. Савчук [и др.]. - С.512–514. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Деркач Б. Е., Ватаманюк П. П., Савицкий А. В., Ульяницкий К. С.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, СПЕКТРАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Квасков, В. Б. Об эффективности фотоэмиссии с поверхности (111) алмаза с отрицательным электронным сродством / В. Б. Квасков, В. В. Горбачев. - С.514–516. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭМИТТЕРЫ, ПОГЛОЩЕНИЯ, ОПТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
Руйбис, Г. С. О существовании медленных поверхностных волн геликонного типа / Г. С. Руйбис, Р. Б. Толутис. - С.516–518. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДИСПЕРСИОННЫЕ УРАВНЕНИЯ, МАГНИТОПЛАЗМЕННЫЕ ВОЛНЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Дугаев, В. К. Энергетический спектр носителей в узкой квантовой яме в бесщелевом полупроводнике / В. К. Дугаев, П. П. Петров. - С.519–522. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ДЫРКИ, ВОЛНОВЫЕ ФУНКЦИИ
Прима, Н. А. Поверхностная релаксация энергии и отрицательная дифференциальная проводимость тонких образцов / Н. А. Прима, А. В. Саченко. - С.522–524. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ, ГРЕЮЩИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ РАССЕЯНИЯ
Мармур, И. Я. Релаксация фотоинжектированных носителей в германиевых p–n-переходах / И. Я. Мармур, Я. А. Оксман. - С.525–527. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ, ФОТОТОКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Петухов, А. Г. Двухузельная модель биполярона малого радиуса / А. Г. Петухов. - С.527–529. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ТУННЕЛИРОВАНИЯ, АДИАБАТИЧЕСКИЕ ПОТЕНЦИАЛЫ
Атакулов, Б. А. Исследование физических свойств тензочувствительных пленок (BiSb)2Te3 под действием лазерного облучения / Б. А. Атакулов, Б. Г. Журкин, М. И. Убайдуллаев. - С.530–531. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ШУМОВЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ, СОПРОТИВЛЕНИЯ, КРИСТАЛЛИТЫ
Королев, В. Л. Внешний квантовый выход светодиодов из GaAs‹Si› / В. Л. Королев, В. В. Россин, В. Г. Сидоров. - С.532–534. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Колесников, Н. В. Спектр и пространственное распределение радиационных дефектов в облученном протонами кремнии / Н. В. Колесников, В. Н Ломасов, С. Е. Мальханов. - С.534–536. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФОТОИОНИЗАЦИИ, ВАКАНСИИ
Выжигин, Ю. В. Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой p–n-переходов / Ю. В. Выжигин, Б. Н. Грессеров, Н. А. Соболев. - С.536–538. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, НАПРЯЖЕНИЯ
Атакулов, Ш. Б. О межзонном рассеянии дырок в теллуриде висмута–сурьмы / Ш. Б. Атакулов, У. А. Гафуров, С. А. Казьмин. - С.539–540. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ТЕРМОЭДС, ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА
Воеводин, Е. И. Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge / Е. И. Воеводин [и др.]. - С.540–543. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гершензон Е. М., Гольцман Г. Н., Птицина Н. Г., Чулкова Г. М.
Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОЖЕ-ПРОЦЕССЫ
Архипов, В. И. Неравновесный фотодиэлектрический эффект в неупорядоченных материалах / В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, А. И. Руденко. - С.544–547. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОНИЦАЕМОСТИ, РЕКОМБИНАЦИИ
Шпинар, Л. И. Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами с сильным электрон-решеточным взаимодействием / Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец. - С.547–550. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЕРЕХОДЫ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ, РАЗОГРЕВ НОСИТЕЛЕЙ
Савченко, А. П. Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда методом электромодулированной фотолюминесценции / А. П. Савченко, С. Н. Жигулин. - С.550–552. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ, БАРЬЕР ШОТТКИ
Пипа, В. И. Концентрация свободных электронов в полупроводнике в условиях дефицита фотонов / В. И. Пипа. - С.553–555. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, КОНЦЕНТРАЦИИ ДЫРОК, БИПОЛЯРНЫЕ ИСТОЩЕНИЯ
Гольдберг, Ю. А. Переход контакта полупроводник–жидкий металл от вентильного к омическому. Влияние параметров полупроводника на температуру перехода / Ю. А. Гольдберг [и др.]. - С.555–558. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ильина М. В., Поссе Е. А., Царенков Б. В.
Кл.слова: РАСТВОРЕНИЯ, ПРИПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Кадушкин, В. И. Фотомагнитный эффект в n-InSb в квантовом пределе / В. И. Кадушкин, А. А. Денисов. - С.558–560. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭДС, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Борщак, В. А. Определение диффузионной длины неосновных носителей в неидеальных гетеропереходах / В. А. Борщак [и др.]. - С.561–563. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Василевский Д. Л., Виноградов М. С., Сердюк В. В.
Кл.слова: БАРЬЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ, ПОДСВЕТКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

2.
Шифр: Ф8/1988/22/2
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1988р. т.22 N 2
Зміст:
Пикус, Г. Е. Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV : обзор / Г. Е. Пикус, В. А. Марущак, А. Н. Титков. - С.185–200. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, ДЕФОРМАЦИИ
Бушуева, Г. В. Влияние легирования кислородом на дефектную структуру и спектры люминесценции кристаллов CdS / Г. В. Бушуева [и др.]. - С.201–205. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Решетов В. И., Хромов А. А., Пендюр С. А., Насибов А. С., Печенов А. Н.
Кл.слова: ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ДЕФЕКТНЫЕ СТРУКТУРЫ, КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
Неймаш, В. Б. Рекомбинация в n-Si при термообработке и облучении / В. Б. Неймаш [и др.]. - С.206–209. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Соснин М. Г., Шаховцов В. И., Шиндич В. Л., Ясковец И. И.
Кл.слова: НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ, ГЛУБОКИЕ ПРИМЕСИ, ТЕРМОДЕФЕКТЫ
Болотов, В. В. ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами / В. В. Болотов, Г. Н. Камаев, Л. С. Смирнов. - С.210–214. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕЖДОУЗЕЛЬНЫЕ АТОМЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, МЕЛКИЕ ДОНОРНЫЕ ЦЕНТРЫ
Крайчинский, А. Н. Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности / А. Н. Крайчинский [и др.]. - С.215–218. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мизрухин Л. В., Осташко Н. И., Шаховцов В. И.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ ПОТОКИ, ПАРЫ ФРЕНКЕЛЯ, ВАКАНСИИ
Калинин, Ю. М. Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs / Ю. М. Калинин, Н. П. Криворотов. - С.219–222. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, ДОНОРНЫЕ ПРИМЕСИ, РЕЗОНАНСНЫЕ СОСТОЯНИЯ
Антоненко, В. И. Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si – МОП структурах / В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко. - С.223–228. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ОПУСТОШЕНИЯ, ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ
Горшкова, Т. А. Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством / Т. А. Горшкова, В. Д. Шадрин. - С.229–236. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ, ГИБРИДИЗАЦИИ, РЕЗОНАНСНЫЕ СОСТОЯНИЯ
Гольдман, Е. И. Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник–диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний / Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, Ю. В. Маркин. - С.237–242. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ, ТУННЕЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ, ПЛОТНОСТИ ТОКОВ
Артемьев, В. А. О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках / В. А. Артемьев, В. В. Михнович. - С.243–247. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИЗОТРОПНЫЕ СРЕДЫ, УРАВНЕНИЕ ПУАССОНА, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Акимов, Б. А. Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия / Б. А. Акимов [и др.]. - С.248–254. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Албул А. В., Никорич А. В., Широкова Н. А., Рябова Л. И.
Кл.слова: УРОВЕНЬ ФЕРМИ, ОСЦИЛЛЯЦИИ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Ванем, Р. А. Оптические свойства двойных дефектов в GaAs : Cr / Р. А. Ванем, К. А. Кикоин, П. А. Лыук. - С.255–261. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УРОВНИ, ЛИНИИ ПОГЛОЩЕНИЯ, ВНУТРИЦЕНТРОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Абакумов, В. Н. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов / В. Н. Абакумов [и др.]. - С.262–268. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Карпус В., Перель В. И., Яссиевич И. Н.
Кл.слова: КУЛОНОВСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ, ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ, ПЕРЕХОДЫ
Емлин, Р. В. Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях / Р. В. Емлин, Л. П. Зверев, О. Э. Рут. - С.269–272. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ, ПЕРЕХОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Грехов, А. М. Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H / А. М. Грехов [и др.]. - С.273–275. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дерюгина Н. И., Клапченко Г. М., Цященко Ю. П.
Кл.слова: ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ, КЛАСТЕРЫ, ВАКАНСИИ
Архипов, В. И. Формирование активационного барьера на контакте металл–аморфный полупроводник / В. И. Архипов [и др.]. - С.276–281. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Логин В. М., Руденко А. И., Симашкевич А. А., Шутов С. Д.
Кл.слова: ПРИЭЛЕКТРОДНЫЕ ОБЛАСТИ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гашимов, Г. И. Электрические и магнитные свойства системы Fe1-xZnxCr2S4 / Г. И. Гашимов, А. Г. Рустамов, А. А. Мустафаев. - С.282–284. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВЗАИМОСВЯЗИ, ЭФФЕКТЫ ХОЛЛА, ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ
Грехов, А. М. Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si / А. М. Грехов, В. И. Шаховцов. - С.285–288. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОРБИТАЛЬНЫЕ ЭНЕРГИИ, ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ, РЕЛАКСАЦИИ
Андриеш, А. М. Инжекция и перенос дырок в гетероструктуре Se/As2Se3 / А. М. Андриеш [и др.]. - С.289–292. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Акимова Е. А., Берил С. И., Верлан В. И.
Кл.слова: ФОТОИНЖЕКЦИИ, НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ФОТОТОКИ, МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА
Гарасько, Г. И. Распределение электронов в бинарных полупроводниках и явление убегания / Г. И. Гарасько, С. А. Урюпин. - С.293–297. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ, ЗАКОНЫ ДИСПЕРСИИ, ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННЫЕ СТОЛКНОВЕНИЯ
Аникин, М. М. Электрические характеристики эпитаксиальных p+-n-n+-структур на основе карбида кремния политипа 6H / М. М. Аникин [и др.]. - С.298–300. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Лебедев А. А., Попов И. В., Растегаев В. П., Стрельчук А. М., Сыркин А. Л., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Челноков В. Е.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОБРАТНЫЕ ТОКИ, НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ
Бобровников, Ю. А. Квантовый гармонический резонанс в кремнии / Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль. - С.301–306. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЕРЕХОДЫ, АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ
Бабицкий, Ю. М. Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями / Ю. М. Бабицкий [и др.]. - С.307–312. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Горбачева Н. И., Гринштейн П. М., Ильин М. А., Кузнецов В. П., Мильвидский М. Г., Туровский Б. М.
Кл.слова: ТЕРМОДОНОРЫ, МОНОКРИСТАЛЛЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Кустов, В. Е. Влияние германия на внутренние упругие напряжения в кислородосодержащем кремнии / В. Е. Кустов [и др.]. - С.313–315. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Критская Т. В., Трипачко Н. А., Шаховцов В. И.
Кл.слова: ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ, ДЕФОРМАЦИОННЫЕ ЗАРЯДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Стрекалов, В. Н. Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар: распределение по энергиям / В. Н. Стрекалов. - С.315–317. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПРИМЕСИ
Толстихин, В. И. Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs / В. И. Толстихин. - С.317–320. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ
Бразис, Р. С. Распространение электромагнитных волн вдоль слоев периодической структуры полупроводник–диэлектрик с учетом гиротропии / Р. С. Бразис, Л. С. Сафонова. - С.320–323. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРЫ, СОБСТВЕННЫЕ КОЛЕБАНИЯ, ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ
Горин, Е. А. Модель формирования p–n-перехода у облученной лазером поверхности полупроводника / Е. А. Горин. - С.323–325. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ДИОДНЫЕ СТРУКТУРЫ
Арешев, И. П. Линейно-циркулярный дихроизм двухфотонного поглощения и самодефокусировка излучения неодимового лазера в кристаллах n-InР / И. П. Арешев, В. К. Субашиев, Б. Г. Фараджев. - С.325–327. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИМПУЛЬСНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ, ПОГЛОЩЕНИЯ
Бумялене, С. Усиление малого сигнала в возбужденном n-Ge(Ni) в условиях возникновения умножения периода / С. Бумялене. - С.328–329. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: БИФУРКАЦИИ, НЕЛИНЕЙНЫЕ ДИНАМИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ, ПЕРИОДИЧЕСКИЕ СИГНАЛЫ
Глазов, В. М. Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах / В. М. Глазов, В. Б. Кольцов, В. А. Курбатов. - С.330–333. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Баженов, Н. Л. Туннельно-рекомбинационные токи в p–n-переходах на основе CdxHg1-xTe при T›80 K / Н. Л. Баженов. - С.333–335. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: , Иванов-Омский В. И., Мынбаев К. Д., Огородников В. К., Процык В. И.
Кл.слова: ФОТОДИОДНЫЕ СТРУКТУРЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ
Беляев, А . Е. Особенности осцилляций Шубникова–де-Гааза в Mn0.11Hg0.89Te / А . Е. Беляев [и др.]. - С.335–338. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Городничий О. П., Семенов Ю. Г., Шевченко Н. В., Боднарук О. А., Раренко И. М.
Кл.слова: МАГНИТОСМЕШАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ
Арушанов, Э. К. Циклотронные массы и g*-факторы электронов в твердых растворах арсенид кадмия–арсенид цинка / Э. К. Арушанов [и др.]. - С.338—340. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Губанова А. А., Князев А. Ф., Лашкул А. В., Лисунов К. Г., Сологуб В. В.
Кл.слова: ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ, ОСЦИЛЛЯЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зюзин, А. Ю. Теория мезоскопических флуктуаций сопротивления проводников со сложной геометрией / А. Ю. Зюзин [и др.]. - С.341–342. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Спивак Б. З., Соколов В. Н., Фишков А. В.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПОТЕНЦИАЛЫ, ФУНКЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Амусья, В. М. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP1-xSbx (x=≼ 0.07) / В. М. Амусья [и др.]. - С.342–344. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бирюлин Ю. Ф., Воробьева В. В., Голубев Л. В., Новиков С. В., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
Малютенко, В. К. Междузонное тепловое излучение полупроводников / В. К. Малютенко, Ю. М. Малозовский. - С.345–347. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРАЛЬНЫЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, ЗОНА-ЗОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Иоффе, И. В. О возможности полупроводникового аналога эффекта Марангони / И. В. Иоффе. - С.347–349. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ, СИСТЕМЫ УРАВНЕНИЙ, ГЕНЕРАЦИИИ-РЕКОМБИНАЦИИ
Вейс, А. Н. Резонансные уровни в сильно компенсированном p-PbTe по данным ИК поглощения / А. Н. Вейс, В. И. Кайданов, Р. Ю. Крупицкая. - С.349–352. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, СПЕКТРАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Журавлев, А. Б. Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода / А. Б. Журавлев [и др.]. - С.352–354. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Марущак В. А., Портной Е. Л., Стельмах Н. М., Титков А. Н.
Кл.слова: ФОТОЭЛЕКТРОНЫ, БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ, СПЕКТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
Буда, И. С. Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках в условиях электрон-фононного увлечения / И. С. Буда, П. И. Баранский. - С.355–356. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛЯРИЗАЦИИ, ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Смирнов, И. Н. Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния / И. Н. Смирнов, М. В. Бахтиарова, Е. О. Филатова. - С.357–359. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЛЕГИРОВАНИЕ, ПРИМЕСИ, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Довбыш, Л. Е. Влияние реакторного облучения на электрические и магнитные свойства примесного германия / Л. Е. Довбыш [и др.]. - С.359–358. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Попко В. И., Романов О. Г., Цмоць В. М., Шубак М. И.
Кл.слова: ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ, МОНОКРИСТАЛЛЫ, МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

3.
Шифр: Ф8/1988/22/1
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1988р. т.22 N 1
Зміст:
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV : обзор / А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну. - С.3–14. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Лебедев, А. А. Влияние ориентированной деформации и gamma-облучения на уровни платины в кремнии / А. А. Лебедев, Н. А. Султанов. - С.16–19. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: АКЦЕПТОРЫ, ДОНОРЫ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
Аблова, М. С. Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния / М. С. Аблова [и др.]. - С.20–23. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Абдуманапов У. Ж., Абдурахманов К. П., Куликов Г. С., Уткин-Эдин Д. П., Ходжаев К. X.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, ДОНОРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Ивченко, Е. Л. Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой / Е. Л. Ивченко, В. А. Кособукин. - С.24–30. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВЕТОВЫЕ ВОЛНЫ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОНИЦАЕМОСТИ, ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ДИСПЕРСИИ
Обухов, С. А. Переход металл–диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем / С. А. Обухов. - С.31–34. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРОВОДИМОСТИ, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гореленок, А. Т. Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами / А. Т. Гореленок [и др.]. - С.35–43. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Груздов В. Г., Ракеш Кумар, Мамутин В. В., Полянская Т. А., Савельев И. Г., Шмарцев Ю. В.
Кл.слова: ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, КОНЦЕНТРАЦИИ ДОНОРОВ
Марков, А. В. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs / А. В. Марков [и др.]. - С.44–48. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Омельяновский Э. М., Освенский В. Б., Поляков А. Я., Ковальчук И. А., Райхштейн В. И., Тишкин М. В.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, СПЕКТРЫ ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛОВУШКИ
Болотов, В. В. Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии / В. В. Болотов, А. В. Карпов, В. А . Стучинский. - С.49–55. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДИФФУЗИИ ВАКАНСИЙ, ДИОДЫ ШОТТКИ
Афонин, О. Ф. Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами / О. Ф. Афонин [и др.]. - С.56–61. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Викторов Б. В., Забродин Б. В., Козловский В. В., Марущак Н. В., Шустров Б. А.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, ЯДЕРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Пономаренко, В. П. Статические характеристики МДП транзисторов на основе CdxHg1-xTe / В. П. Пономаренко, И. В. Шиманский, В. И. Стафеев. - С.62–65. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ИНДУЦИРОВАННЫЕ КАНАЛЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Берковиц, В. Л. Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений AIIIBV / В. Л. Берковиц [и др.]. - С.66–71. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Киселев В. А., Минашвили Т. А., Сафаров В. И.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ, СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ, АДСОРБЦИИ
Стариков, Е. В. Новый подход к расчету спектра дифференциальной подвижности горячих носителей заряда: прямое моделирование градиента функции распределения методом Монте–Карло / Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов. - С.72–78. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ВЕКТОРНЫЕ ФУНКЦИИ, КОРРЕЛЯЦИОННЫЕ МАТРИЦЫ
Баязитов, Р. М. Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния / Р. М. Баязитов [и др.]. - С.79–83. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ивлев Г. Д., Хайбуллин И. Б., Малевич В. Л., Саинов Н. А.
Кл.слова: ОТРАЖАТЕЛЬНЫЕ СПОСОБНОСТИ, ЖИДКОФАЗНЫЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Буторин, О. В. Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости / О. В. Буторин, А. Г. Казанский. - С.84–86. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ, ДЕГИДРОГЕНИЗАЦИИ
Мармур, И. Я. Фотоемкостной эффект на запертых p–n-переходах / И. Я. Мармур, Ю. Б. Новиков, Я. А. Оксман. - С.87–92. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИНФРАКРАСНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, ФОТООТВЕТЫ, БАРЬЕРНЫЕ ЕМКОСТИ
Шаронова, Л. В. Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx / Л. В. Шаронова [и др.]. - С.93–96. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Полянская Т. А., Нажмудинов X. Г., Каряев В. Н., Зайцева Л. А.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ФОТООТВЕТОВ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Тарасик, М. И. Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта / М. И. Тарасик, Д. С. Шварков, А. М. Янченко. - С.97–100. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УРОВЕНЬ ФЕРМИ, ОДНООСНЫЕ НАГРУЗКИ, ИОНИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ
Красильник, З. Ф. Отрицательные массы и отрицательная проводимость на циклотронном резонансе в полупроводниках p-типа группы AIIIBV / З. Ф. Красильник. - С.101–104. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИНВЕРСИИ, ДЫРКИ, МАЗЕРЫ
Козырев, С. В. Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами / С. В. Козырев, А. Я. Шик. - С.105–111. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЕРЕХОДЫ, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
Полупанов, А. Ф. Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках / А. Ф. Полупанов, Р. Таскинбоев. - С.112–117. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕОРИЯ ВОЗМУЩЕНИЙ, ТЯЖЕЛЫЕ ДЫРКИ, ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ
Мастеров, В. Ф. О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами / В. Ф. Мастеров, В. А. Харченко, О. Д. Хохрякова. - С.118–122. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Бахадырханов, М. К. Распад твердого раствора Si‹Mn› при всестороннем гидростатическом сжатии / М. К. Бахадырханов, А. Абдураимов, X. М. Илиев. - С.123–128. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДЕФОРМАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, КИНЕТИКА РАСПАДА, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Константинов, О. В. Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле / О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Царенков. - С.129–132. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПАРЫ, ФОТОПРИЕМНИКИ
Аникин, М. М. Электростатические свойства SiC-6H-структур с резким p–n-переходом / М. М. Аникин [и др.]. - С.133–136. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Лебедев А. А., Попов И. В., Пятко С. Н., Растегаев В. П., Сыркин А. Л., Царенков Б. В., Челноков В. Е.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, НАПРЯЖЕНИЯ
Семиколенова, Н. А. Поляритоны в арсениде галлия n-типа / Н. А. Семиколенова. - С.137–139. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗАТУХАНИЯ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОНИЦАЕМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Алексеенко, М. В. Эксперименальное определение холл-фактора в сложной валентной зоне p-Ge / М. В. Алексеенко [и др.]. - С.140–142. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Андреев А. Г., Забродский А. Г., Попов В. В.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, ДЫРКИ, ПРИМЕСИ
Бобрикова, О. В. Влияние электрического поля на накопление A, E-центров в кремнии / О. В. Бобрикова, В. Ф. Стась. - С.143–146. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ВАКАНСИИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Балтрамеюнас, Р. Влияние мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах кремния / Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас. - С.146–147. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, НЕЛИНЕЙНЫЕ РЕФРАКЦИИ, ЛЕГИРОВАНИЯ
Воронина, Т. И. Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных редкоземельными элементами / Т. И. Воронина [и др.]. - С.147–150. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Лагунова Т. С., Саморуков Б. Е., Стругов Н. А.
Кл.слова: ФОНОВЫЕ ПРИМЕСИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Пека, Г. П. Фоточувствительность длинных диодных структур на основе варизонных твердых растворов AlxGa1-xAs / Г. П. Пека [и др.]. - С.150–152. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Пулеметов Д. А., Радзивилюк В. А., Смоляр А. Н., Шимулите Е. А.
Кл.слова: ФОТОДИОДЫ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ
Гицу, Д. В. Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах n-TlSbSe2 / Д. В. Гицу [и др.]. - С.152–154. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гринчешен И. Н., Красовский В. Ф., Попович Н. С.
Кл.слова: СЛОИСТЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ, АКЦЕПТОРНЫЕ УРОВНИ
Балагуров, Л. А. Исследование спектра локальных состояний a-Si : H методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии / Л. А. Балагуров [и др.]. - С.155–157. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Омельяновский Э. М., Пинскер Т. Н., Примбетов К. К., Уткин-Эдин Д. П.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ
Баранский, П. И. Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев n-GaP / П. И. Баранский [и др.]. - С.158–161. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Беляев А. Е., Городничий О. П., Макаренко В. Г.
Кл.слова: РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, МЕЖДОЛИННЫЕ РАССЕЯНИЯ, КРИСТАЛЛЫ
Регель, А. Р. Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии / А. Р. Регель [и др.]. - С.161–164. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Серегин П. П., Мездрогина М. М., Насрединов Ф. С., Аблова М. С., Абдуманапов У. Ж.
Кл.слова: ЛЕГИРОВАНИЯ, РАСПЫЛЕНИЕ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ
Константинов, А. О. О механизме диффузии бора в карбиде кремния / А. О. Константинов. - С.164–168. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПЕРЕХОДЫ, АССОЦИАТЫ
Балагуров, Л. А. Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния / Л. А. Балагуров [и др.]. - С.168–171. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Омельяновский Э. М., Осташко С. А., Стариков М. Н., Стыс Л. Е.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ
Вейс, А. Н. Электрофизические и оптические свойства p-PbTe‹Ag› / А. Н. Вейс [и др.]. - С.171–173. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гриневич А. В., Кайданов В. И., Мельник Р. Б., Немов С. А.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ
Гасымов, Т. М. Термоэдс горячих носителей тока в полупроводниках при сильной анизотропии функции распределения фононов / Т. М. Гасымов, А. А. Катанов. - С.173–175. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕВЫРОЖДЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КИНЕТИЧЕСКИЕ УРАВНЕНИЯ, УВЛЕЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ
Мезрин, О. А. Диффузия горячих фотоэлектронов в металл – эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки / О. А. Мезрин, С. И. Трошков. - С.176–179. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОДИОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ТЕРМАЛИЗАЦИИ
Баженов, В. К. Электронные состояния одиночных вакансий в ZnSe и CdTe / В. К. Баженов, Д. Л. Кардашев, А. В. Нахабин. - С.179–181. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ОРБИТАЛИ, ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

4.
Шифр: Ф8/1988/22/10
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1988р. т.22 N 10
Зміст:
Копьев, П. С. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV : обзор / П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов. - С.1729–1742. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВЫРАЩИВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХНИКА
Алексеева, З. М. Эффекты анизотропии сжатия в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных серой, при всестороннем давлении / З. М. Алексеева [и др.]. - С.1743–1746. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Диамант В. М., Красильникова Л. М., Криворотов Н. П., Пороховниченко Л. П.
Кл.слова: СОПРОТИВЛЕНИЯ, КАСАТЕЛЬНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ, РОСТОВЫЕ ДЕФЕКТЫ
Ефанов, В. М. Нестационарные токи двойной инжекции в условиях насыщения скоростей дрейфа электронов и дырок / В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова. - С.1747–1753. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ, НАПРЯЖЕНИЯ
Конакова, Р. В. Пробой кремниевых p+–n–n+-диодов / Р. В. Конакова [и др.]. - С.1754–1758. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мельникова Ю. С., Моздор Е. В., Файнберг В. И.
Кл.слова: ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, КОЭФФИЦИЕНТЫ УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ, ПЛОТНОСТИ ТОКОВ
Горфинкель, В. Б. Аналитическая теория отрицательной дифференциальной подвижности в гетероструктурах GaAs–AlGaAs / В. Б. Горфинкель, Т. И. Солодкая. - С.1759–1763. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ПОЛЕВЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ДРЕЙФОВЫЕ СКОРОСТИ
Григорьев, Н. Н. Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии / Н. Н. Григорьев [и др.]. - С.1764–1768. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Зыков В. Г., Сердега Б. К., Шеховцов Л. В.
Кл.слова: КОМПОНЕНТЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФОТОЭДС
Дмитренко, Н. Н. Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния / Н. Н. Дмитренко, А. И. Огненский. - С.1769–1774. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ДЕФЕКТНЫЕ ЦЕНТРЫ, АКЦЕПТОРНЫЕ УРОВНИ
Алфёров, Ж. И. Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии / Ж. И. Алфёров [и др.]. - С.1775–1779. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Андреев В. М., Аксенов В. Ю., Ларионов В. Р., Румянцев В. Д., Хвостиков В. П.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ИЗЛУЧЕНИЯ, ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ПОРОГОВЫЕ ПЛОТНОСТИ ТОКОВ
Жук, Б. В. Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой / Б. В. Жук [и др.]. - С.1780–1784. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Зленко А. А., Прохоров А. М., Разов Е. Н., Щербаков Е. А.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, БЫСТРОДЕЙСТВИЯ, ЛОКАЛИЗАЦИИ
Скипетров, Е. П. Проводимость по локальной зоне в сплавах Pb1-xSnxSe, облученных электронами / Е. П. Скипетров [и др.]. - С.1785–1791. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дубков В. П., Мусалитин А. М., Подсекалов И. Н.
Кл.слова: ПОЛЕВЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ
Брук, А. С. Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия / А. С. Брук [и др.]. - С.1792–1795. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Говорков А. В., Мильвидский М. Г., Попова Е. В., Шленский А. А.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ, СОБСТВЕННЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ, ДИФФУЗИОННЫЕ ПОДВИЖНОСТИ
Раданцев, В. Ф. Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках. На примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования / В. Ф. Раданцев. - С.1796–1802. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КВАНТОВАНИЕ, ПОДЗОНЫ, РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НОСИТЕЛЕЙ
Конников, С. Г. Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ / С. Г. Конников [и др.]. - С.1803–1807. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Уманский В. Е., Чистяков В. М., Лодыженский И. И.
Кл.слова: БАРЬЕР ШОТТКИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ЗОНДЫ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ДИФФУЗИИ
Кузнецов, А. В. Двухлучевая оптическая бистабильность в полупроводниках / А. В. Кузнецов. - С.1808–1813. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГИСТЕРЕЗИСЫ, СИСТЕМЫ, НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ
Тигиняну, И. М. Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs / И. М. Тигиняну [и др.]. - С.1814–1817. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Пышная Н. Б., Спицын А. В., Урсаки В. В.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, АКЦЕПТОРНЫЕ ЦЕНТРЫ
Савельев, И. Г. Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs / И. Г. Савельев, Т. А. Полянская. - С.1818–1826. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Королев, В. Л. Сравнительное исследование люминесценции GaAs(Si) при фото- и электровозбуждении / В. Л. Королев, В. Г. Сидоров. - С.1827–1830. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРЫ, САМОПОГЛОЩЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Юшка, Г. Диффузионная рекомбинация в аморфном полупроводнике / Г. Юшка, Р. Томашюнас, Г. Юконис. - С.1831–1835. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОТОКИ, КИНЕТИКА ТОКОВ, ФОТОГЕНЕРАЦИИ
Гафийчук, В. В. Пульсирующие автосолитоны в разогретой в процессе оже-рекомбинации электронно-дырочной плазме / В. В. Гафийчук [и др.]. - С.1836–1842. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гашпар В. Э., Кернер Б. С., Осипов В. В.
Кл.слова: КИНЕТИКА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, НЕОДНОРОДНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ
Шик, А. Я. Оптическое поглощение на гетерогранице / А. Я. Шик. - С.1843–1847. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ПЕРЕХОДЫ, ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ
Карумидзе, Г. С. Спектры поглощения кремния, облученного реакторными нейтронами при криогенных температурах / Г. С. Карумидзе, Б. М. Трахброт. - С.1848–1849. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, ИЗОХРОННЫЙ ОТЖИГ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Коршунов, Ф. П. Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия / Ф. П. Коршунов [и др.]. - С.1850–1852. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Соболев Н. А., Колин Н. Г., Кудрявцева Е. А., Прохоренко Т. А.
Кл.слова: ЭФФЕКТ ХОЛЛА, ТРАНСМУТИРОВАННЫЕ ПРИМЕСИ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
Кабанова, И. С. Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки / И. С. Кабанова, Л. А. Косяченко, В. П. Махний. - С.1852–1855. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ БАРЬЕРЫ
Регель, А. Р. Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода / А. Р. Регель [и др.]. - С.1856–1859. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Серегин П. П., Андреев П. А., Мездрогина М. М., Насрединов Ф. С.
Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ АТОМЫ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Корнеева, Л. А. Формирование профиля ионов, имплантируемых ориентируемым пучком в полупроводник с дефектами / Л. А. Корнеева, Е. А. Мазур, А. И. Руденко. - С.1859–1862. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННАЯ ДИФФУЗИЯ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Герман, А. И. Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле / А. И. Герман, И. А. Чайковский. - С.1862–1864. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НОСИТЕЛЕЙ, ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ
Гузь, В. Н. Ориентационная зависимость проходных вольт-амперных характеристик планарных p+–n–n+-структур на основе Si / В. Н. Гузь [и др.]. - С.1864–1867. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Жадько И. П., Кучерук А. Д., Романов В. А.
Кл.слова: МНОГОДОЛИННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, АНИЗОТРОПНЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ, АНИЗОТРОПИИ
Попов, В. Г. К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния / В. Г. Попов [и др.]. - С.1867–1870. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Саченко А. В., Коломзаров Ю. В., Комиренко Р. П., Скрышевский В. А.
Кл.слова: ФОТОЭФФЕКТЫ, ФОТООТВЕТЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Сысоев, Б. И. Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое / Б. И. Сысоев, Е. В. Руднев, В. Ф. Антюшин. - С.1871–1873. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ, ПОЛЯРИЗАЦИИ ПРИМЕСЕЙ, МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ
Казарян, А. М. Внутризонное поглощение в размерно-квантованных полупроводниковых средах / А. М. Казарян, В. Г. Григорян. - С.1873–1876. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, ВОЛНОВЫЕ ФУНКЦИИ
Гучетль, Р. И. Образование метастабильных центров в облученном кремнии / Р. И. Гучетль, П. М. Гринштейн. - С.1876–1878. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, АКЦЕПТОРНЫЕ ПРИМЕСИ, ПОДВИЖНЫЕ ДЕФЕКТЫ
Андроник, К. И. Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца / К. И. Андроник, М. П. Бойко, А. В. Лужковский. - С.1878–1880. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, УРОВЕНЬ ФЕРМИ
Джумамухамбетов, Н. Г. Фотолюминесенция модифицированных кристаллов GaAs‹Te› / Н. Г. Джумамухамбетов, А. Г. Дмитриев. - С.1880–1882. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА, СПЕКТРЫ
Мехтиев, Н. М. Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn2Se4 / Н. М. Мехтиев, Г. М. Алиев, З. З. Гусейнов. - С.1882–1885. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ФОТОТОКИ, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Жиляев, Ю. В. Использование спектров поляритонной люминесценции для характеристики качества кристаллов GaAs / Ю. В. Жиляев [и др.]. - С.1885–1888. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Россин В. В., Россина Т. В., Травников В. В.
Кл.слова: ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, КИНЕТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гельмонт, Б. Л. Индуцированная светом спиновая поляризация в полумагнитных полупроводниках / Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, Э. И. Цидильковский. - С.1888–1892. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДЫРКИ, ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, МАГНИТНЫЕ ИОНЫ
Омельяновский, Э. М. Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом / Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков. - С.1892–1894. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, МОНОКРИСТАЛЛЫ, ДИОДЫ ШОТТКИ
Горбовицкий, Б. М. Анизотропия туннельных переходов в сложной валентной зоне германия / Б. М. Горбовицкий. - С.1894–1896. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДЫРКИ, УРОВНИ ЛАНДАУ, ВРЕМЯ ЖИЗНИ
Бакуева, Л. Г. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb1-xSnx‹Na› / Л. Г. Бакуева [и др.]. - С.1896–1898. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Захарова И. Б., Ильин В. И., Мусихин С. Ф.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

5.
Шифр: Ф8/1988/22/7
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1988р. т.22 N 7
Зміст:
Гуцев, Г. Л. Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии / Г. Л. Гуцев, Г. С. Мякенькая. - С.1153–1157. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ, ДЕФЕКТЫ, ВАКАНСИИ
Германенко, А. В. Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb / А. В. Германенко [и др.]. - С.1158–1162. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Миньков Г. М., Румянцев Е. Л., Рут О. Э.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, ПЕРЕХОДЫ, АКЦЕПТОРЫ
Балтрамеюнас, Р. Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения / Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис. - С.1163–1170. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕЛИНЕЙНЫЕ ПОГЛОЩЕНИЯ, ИЗОВАЛЕНТНЫЕ ПРИМЕСИ, СОБСТВЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ
Абдулгафаров, С. Е. Исследование свойств пленок a-Si : H, имплантированных B+ и BF+2 / С. Е. Абдулгафаров [и др.]. - С.1171–1176. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кока А. П., Мукашев Б. Н., Наурзалин Р. Е., Талибаев Б. М., Токарев Ю. Н.
Кл.слова: АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, УРОВЕНЬ ФЕРМИ
Мирзаев, А. Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием / А. Мирзаев, Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов. - С.1177–1180. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: АМФОТЕРНЫЕ СВОЙСТВА, ВАКАНСИИ, ОБРАЗОВАНИЕ КОМПЛЕКСОВ
Циуляну, Д. И. О формировании барьера Шоттки–Мотта на контактах металл–халькогенидный стеклообразный полупроводник / Д. И. Циуляну. - С.1181–1184. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ, ФОТОЭМИССИИ, ДЫРКИ
Жадько, И. П. Влияние индуцированной электрическим полем анизотропии электропроводности на вольтамперные характеристики фотопроводимости в n-Si при 77 K / И. П. Жадько [и др.]. - С.1185–1189. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кучерук А. Д., Романов В. А., Сердега Б. К.
Кл.слова: КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ, МНОГОДОЛИННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Нидаев, Е. В. Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением / Е. В. Нидаев, А. Л. Васильев. - С.1190–1195. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, СНИЖЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ, НЕОДНОРОДНОСТИ
Галченков, . Резонансный эффект Фарадея в ограниченной двумерной электронной системе / Л. А. Галченков [и др.]. - С.1196–1198. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гродненский И. М., Костовецкий М. В., Матов О. Р., Медведев Б. А., Мокеров В. Г.
Кл.слова: ПОЛЕВЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, КРАЕВЫЕ МАГНИТОПЛАЗМОНЫ, ИЗЛУЧЕНИЯ
Веденеев, А. С. Динамическая релаксационная спектроскопия — определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции / А. С. Веденеев [и др.]. - С.1199–1202. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гольдман Е. И., Ждан А. Г., Савостьянов А. В.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДИЭЛЕКТРИКИ, РЕЛАКСАЦИИ
Омельяновский, Э. М. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs / Э. М. Омельяновский [и др.]. - С.1203–1207. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Пахомов А. В., Поляков А. Я., Говорков А. В., Бородина О. М., Брук А. С.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, ДИФФУЗИИ, НЕОДНОРОДНОСТИ
Журавлев, А. Б. Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода / А. Б. Журавлев [и др.]. - С.1208–1212. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Плявенек А. Г., Портной Е. Л., Серегин В. Ф., Стельмах Н. М., Якубович С. Д.
Кл.слова: ГЕНЕРАЦИИ, РЕЛАКСАЦИИ, ОПТИЧЕСКИЕ ИМПУЛЬСЫ
Кучинский, Н. В. О природе дефектов с уровнем Ec–0.18 эВ в кремнии / Н. В. Кучинский, В. М. Ломако, Л. Н. Шахлевич. - С.1213–1218. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ РЕАКЦИИ, ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гуцев, Г. Л. Электронное строение ‹001› ориентированных кислородных и углеродных донорных комплексов в кремнии / Г. Л. Гуцев, Г. С. Мякенькая. - С.1219–1222. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕРМОДОНОРЫ, КЛАСТЕРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гродненский, И. М. Отрицательная фотопроводимость и исследование границы раздела в гетеропереходах GaAs–AlGaAs с двумерным электронным газом / И. М. Гродненский [и др.]. - С.1223–1229. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Пинскер Т. Н., Старостин К. В., Засавицкий И. И.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕБРОСЫ ЭЛЕКТРОНОВ, СПЕКТРАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА
Воронина, Т. И. Примесная проводимость в n-GaAs и n-InP на металлической стороне перехода металл–диэлектрик / Т. И. Воронина [и др.]. - С.1230–1232. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дахно А. Н., Емельяненко О. В., Лагунова Т. С., Старосельцева С. П.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ, ТЕОРИЯ КВАНТОВЫХ ПОПРАВОК
Гавриленко, В. И. Циклотронный резонанс горячих дырок германия / В. И. Гавриленко [и др.]. - С.1233–1238. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Додин Е. П., Красильник З. Ф., Никоноров В. В., Чернобровцева М. Д.
Кл.слова: СПЕКТРЫ, ПОГЛОЩЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Еремин, В. К. Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц / В. К. Еремин, Л. С. Медведев, Н. Б. Строкан. - С.1239–1243. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ, ПЕРЕХОДЫ
Матвеев, Б. А. Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs / Б. А. Матвеев [и др.]. - С.1244–1247. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Петров В. И., Стусь Н. М., Талалакин Г. Н., Шабалин А. В.
Кл.слова: СОБСТВЕННЫЕ ДЕФОРМАЦИИ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ
Агринская, Н. В. Влияние отклонения от стехиометрии на природу мелких акцепторных состояний в кристаллах CdTe / Н. В. Агринская, В. В. Шашкова. - С.1248–1252. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ПРИМЕСИ
Васильев, А. Э. Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия / А. Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров. - С.1253–1257. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ, ЭНЕРГИИ ПЕРЕХОДОВ
Баженов, Н. Л. Электрические свойства эпитаксиальных слоев MnxCdyHg1-x-yTe / Н. Л. Баженов [и др.]. - С.1258–1261. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванов-Омский В. И., Миронов К. Е., Мовилэ В. Ф.
Кл.слова: ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ, ДОНОРЫ, АКЦЕПТОРЫ
Райх, М. Э. Мезоскопическое поведение поперечной прыжковой проводимости аморфной пленки / М. Э. Райх, И. М. Рузин. - С.1262–1272. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТУННЕЛЬНЫЕ ПРЫЖКИ ЭЛЕКТРОНОВ, ПРИМЕСИ, СЛУЧАЙНЫЕ КОЛЕБАНИЯ
Остроумов, В. И. Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр / В. И. Остроумов, Г. Г. Соловьев, А. И. Труфанов. - С.1273–1276. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Рыжий, В. И. Эффект вытеснения тока в гетероструктурных транзисторах на горячих электронах / В. И. Рыжий, И. И. Хмырова. - С.1277–1282. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ БАРЬЕРЫ, ПЕРЕНОСЫ ЭЛЕКТРОНОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Конин, А. М. Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле / А. М. Конин, В. Г. Рудайтис, А. П. Сащук. - С.1283–1286. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, СОПРОТИВЛЕНИЯ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ
Акулова, Ю. А. Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями / Ю. А. Акулова [и др.]. - С.1287–1290. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Яковенко А. А., Груздов В. Г., Гуламов Р. А., Корольков В. И., Мезрин О. А.
Кл.слова: МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ, КВАЗИБАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ТРАНСПОРТ, РЕЛАКСАЦИИ
Моздор, Е. В. Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников / Е. В. Моздор, Н. А. Прима. - С.1291–1296. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КИНЕТИЧЕСКИЕ УРАВНЕНИЯ, РАССЕЯНИЯ, ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКИЕ ТЕОРИИ
Федосов, А. В. Пьезосопротивление облученного германия / А. В. Федосов, Л. И. Панасюк, В. С. Тимощук. - С.1297–1299. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГЛУБОКИЕ УРОВНИ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ДЫРКИ
Васин, О. И. Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме и рекомбинация на границах в пленках Рb0.8Sn0.2Te на BaF2 / О. И. Васин [и др.]. - С.1299–1302. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Климов А. Э., Неизвестный И. Г., Петиков Н. И., Филатова Е. С., Шуйский В. Н.
Кл.слова: ФОТОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Гавриленко, В. И. Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода / В. И. Гавриленко [и др.]. - С.1302–1304. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Клюй Н. И., Литовченко В. Г., Стрельницкий В. Е.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ, СПЕКТРЫ ЭЛЕКТРООТРАЖЕНИЯ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Сейсян, Р. П. Зеленая люминесценция CdS в поле барьера Шоттки / Р. П. Сейсян, М. А. Якобсон. - С.1304–1306. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИНТЕНСИВНОСТЬ ИЗЛУЧЕНИЙ, СТРУКТУРЫ, ОБЪЕМНЫЕ ЗАРЯДЫ
Мардежов, А. С. Профили показателей преломления и поглощения в кремнии, имплантированном ионами фосфора / А. С. Мардежов, В. Г. Серяпин, В. А. Швец. - С.1306–1308. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ, ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Батунина, А. В. Влияние быстродиффундирующих примесей на малоугловое рассеяние света в кремнии / А. В. Батунина [и др.]. - С.1308–1311. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Воронков В. В., Воронкова Г. И., Калинушкин В. П., Мурина Т. М., Фирсов В. И., Шулепников М. Н.
Кл.слова: ДИФФУЗИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СКОПЛЕНИЯ ДЫРОК
Кольченко, Т. И. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении / Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз. - С.1311–1313. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛОВУШКИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Филипенко, Л. А. Кластерный расчет связанных состояний кислорода в кремнии / Л. А. Филипенко, Ю. М. Коротеев. - С.1313–1315. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИОНИЗАЦИИ, ДЕФЕКТЫ, ТЕРМОДОНОРЫ
Витовский, Н. А. Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии, подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K / Н. А. Витовский, Л. В. Налбандян, Д. С. Полоскин. - С.1316–1318. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Коржуев, М. А. О зонной модели GeTe / М. А. Коржуев. - С.1318–1320. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ, ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
Глузман, Н. Г. О магнитном поляроне в узкощелевых кристаллах Hg1-xMnxTe / Н. Г. Глузман [и др.]. - С.1321–1322. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Леринман Н. К., Сабирзянова Л. Д., Цидильковский И. М., Горбатюк И. Н., Фрасуняк В. М.
Кл.слова: МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ, КРИСТАЛЛЫ
Манассон, В. А. Эффект термостимулированного переключения в туннельной ПДП структуре / В. А. Манассон, Г. П. Комиссаров. - С.1322–1324. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ИНЖЕКЦИИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Мурин, Л. И. Образование термодоноров и механизм ускоренной диффузии кислорода в кремнии / Л. И. Мурин, В. П. Маркевич. - С.1324–1328. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Гашимзаде, Ф. М. Поглощение света свободными носителями заряда в многодолинных полупроводниковых пленках / Ф. М. Гашимзаде, Э. В. Тагиров. - С.1328–1330. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СТРУКТУРЫ, РАССЕЯНИЯ, ПЕРЕХОДЫ
Фукс, Б. И. О влиянии флуктуаций потенциала на измерения ГУ методами емкостной спектроскопии / Б. И. Фукс. - С.1330–1333. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ПРИМЕСИ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

6.
Шифр: Ф8/1988/22/5
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1988р. т.22 N 5
Зміст:
Журавлев, К. С. Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием / К. С. Журавлев, А. С. Терехов, Н. А. Якушева. - С.777–780. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ИНТЕНСИВНОСТИ ПОЛОС, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Георгобиани, А. Н. Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра / А. Н. Георгобиани [и др.]. - С.780–783. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Грузинцев А. Н., Заяц А. В., Левит А. Д.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОМИГРАЦИИ, ДЕФЕКТЫ, ЦЕНТРЫ РЕКОМБИНАЦИИ
Ивченко, Е. Л. Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света / Е. Л. Ивченко [и др.]. - С.784–788. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Копьев П. С., Кочерешко В. П., Уральцев И. Н., Яковлев Д. Р., Иванов С. В., Мельцер Б. Я., Калитиевский М. А.
Кл.слова: СИЛЫ ОСЦИЛЛЯТОРОВ, РЕЗОНАНСНЫЕ ЧАСТОТЫ, БАРЬЕРНЫЕ СЛОИ
Андрушко, А. И. О механизмах рекомбинации носителей тока в p-InAs1-x-ySbxPy / А. И. Андрушко [и др.]. - С.789–792. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Салихов Х. М., Слободчиков С. В., Стусь Н. М., Талалакин Г. Н.
Кл.слова: ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ, ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ КРИСТАЛЛЫ
Горфинкель, В. Б. Описание переноса электронов в гетероструктурах с селективным легированием с помощью уравнений баланса / В. Б. Горфинкель, С. Г. Шофман. - С.793–798. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРОЦЕССЫ РАЗОГРЕВА, ВРЕМЕНА РЕЛАКСАЦИИ, ДРЕЙФОВЫЕ СКОРОСТИ
Матвеев, Г. А. Низкотемпературные особенности явлений переноса в n-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик / Г. А. Матвеев [и др.]. - С.799–805. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Цидильковский И. М., Лончаков А. Т., Брандт Н. Б., Кульбачинский В. А.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, ПРОВОДИМОСТИ, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Квасов, Н. Т. Исследование кинетики упорядочения дефектно-примесной системы кремния / Н. Т. Квасов, Л. Ю. Ионикас, К. Ю. Ярашюнас. - С.806–810. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОРРЕЛЯЦИИ, ХАРАКТЕРИСТИКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ, СВЕТОВЫЕ НЕКОГЕРЕНТНЫЕ ОТЖИГИ
Охонин, С. А. Исследование туннелирования электронов в МОП структурах в области перехода от трапецеидального барьера к треугольному / С. А. Охонин, А. Г. Погосов, А. А. Французов. - С.811–814. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЧИСЛЕННЫЕ РАСЧЕТЫ, ЛОГАРИФМИЧЕСКИЕ ПРОИЗВОДНЫЕ ТОКОВ, КВАНТОВАНИЕ НОСИТЕЛЕЙ
Качабеков, М. М. Влияние примесей водорода и азота на люминесценцию эпитаксиальных пленок теллурида свинца / М. М. Качабеков, А. Э. Юнович. - С.815–820. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СТРУКТУРЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, СПЕКТРАЛЬНЫЕ ПОЛОСЫ
Колодин, Л. Г. Диффузия радиационных дефектов из области упругого торможения ионов фосфора в кремнии / Л. Г. Колодин [и др.]. - С.821–823. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мукашев Б. Н., Смирнов В. В., Чихрай Е. В.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УРОВНИ, ВАКАНСИИ, ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ
Явид, В. Ю. Определение параметров рекомбинационных центров посредством дифференциального анализа температурных зависимостей времени жизни неосновных носителей заряда / В. Ю. Явид. - С.824–828. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДЕФЕКТЫ
Кисин, М. В. Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках / М. В. Кисин, В И. Петросян. - С.829–833. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, ЗОНЫ
Итальянцев, А. Г. Влияние нейтронного облучения и отжига на свойства кремния, легированного германием / А. Г. Итальянцев [и др.]. - С.834–838. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Курбаков А. И., Мордкович В. Н., Рубинова Э. Э., Темпер Э. М., Трунов В. А.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, КОНЦЕНТРАЦИИ ВАКАНСИЙ, МЕЖДОУЗЕЛЬНЫЕ АТОМЫ
Лончаков, А. Т. Термоэдс n-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик / А. Т. Лончаков, И. М. Цидильковский, Г. А. Матвеев. - С.839–843. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕКОМПЕНСИРОВАННЫЕ КРИСТАЛЛЫ, РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ, МАКСИМУМЫ
Берман, Л. С. Распределение радиационных дефектов и физическая природа “аномальных” спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных α-частицами / Л. С. Берман [и др.]. - С.844–848. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Маляренко А. М., Ременюк А. Д., Суханов В. Л., Толстобров М. Г.
Кл.слова: РЕЛАКСАЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, СОПРОТИВЛЕНИЯ, ПЕРЕКОМПЕНСИРОВАННЫЕ СЛОИ
Гермогенов, В. П. Механизм прохождения тока в p–n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин, Л. С. Хлудкова. - С.849–854. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПЕРЕХОДЫ, ИНВЕРСИОННЫЕ СЛОИ
Берковская, Ю. Ф. Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной / Ю. Ф. Берковская, Б. Л. Гельмонт, Э. И. Цидильковский. - С.855–862. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ
Герчиков, Л. Г. Рассеяние квазичастиц в вырожденной зоне на короткодействующих потенциалах / Л. Г. Герчиков, В. А. Харченко. - С.863–867. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: АМПЛИТУДЫ РАССЕЯНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
Кочелап, В. А. Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe / В. А. Кочелап [и др.]. - С.868–874. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кулиш Н. Р., Лисица М. П., Малыш Н. И., Соколов В. Н.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ПРОПУСКАНИЯ, ЛАЗЕРНЫЕ ИМПУЛЬСЫ, СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ
Литовский, Р. Н. Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур / Р. Н. Литовский, В. С. Лысенко, Т. Е. Руденко. - С.875–880. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕРАВНОВЕСНЫЕ ОБЕДНЕНИЯ, ПРОЦЕССЫ ЭМИССИИ, ТУННЕЛЬНЫЕ ТОКИ
Дедулевич, С. Влияние междырочных столкновений на разогрев и поглощение света теплыми дырками в p-Ge / С. Дедулевич, Ж. Канцлерис, А. Матулис. - С.881–886. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФУНКЦИИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
Антоненко, А. Х. Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии в зависимости от температуры при облучении нейтронами / А. Х. Антоненко [и др.]. - С.887–892. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Болотов В. В., Двуреченский А. В., Стучинский В. А., Харченко В. А., Стук А. А.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПРИМЕСИ, АННИГИЛЯЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
Арапов, Ю. Г. Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников / Ю. Г. Арапов [и др.]. - С.893–896. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Давыдов А. Б., Зверева М. Л., Штрапенин Г. Л.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, УРОВЕНЬ ФЕРМИ
Аронзон, Б. А. О природе индуцированного магнитным полем перехода металл–диэлектрик в n-CdxHg1-xTe / Б. А. Аронзон [и др.]. - С.897–901. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Никитин М. С., Сусов Е. В., Чумаков Н. К.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА, ЛОКАЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ
Антюшин, В. Ф. Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами / В. Ф. Антюшин, Б. И. Сысоев. - С.902–905. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРОВОДИМОСТИ, РЕЗИСТИВНЫЕ ПОЛОСЫ, ИНВЕРСИОННЫЕ СЛОИ
Беляков, Л. В. Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника / Л. В. Беляков [и др.]. - С.906–910. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Горобей Н. Н., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д.
Кл.слова: ТРЕХСЛОЙНЫЕ СИСТЕМЫ, НАПРЯЖЕННОСТИ, ВЕКТОР ПОЙНТИНГА
Маркевич, В. П. Селективный захват межузельных атомов углерода в облученном кремнии / В. П. Маркевич, Л. И. Мурин. - С.911–914. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ АТОМЫ, ДЕФЕКТЫ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Гальперин, Ю. М. О поглощении звука свободными носителями в слабо легированных компенсированных полупроводниках / Ю. М. Гальперин, А. П. Пардаев. - С.915–919. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРЫЖКОВЫЕ ПОГЛОЩЕНИЯ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Герасимов, А. Б. О механизмах перестройки комплексов в полупроводниках / А. Б. Герасимов [и др.]. - С.920-922. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гоготишвили М. К., Джибути З. В., Коноваленко Б. М.
Кл.слова: ОРБИТАЛИ, ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ, ДЕФЕКТЫ
Ковешников, С. В. Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом / С. В. Ковешников, С. В. Носенко, Е. Б. Якимов. - С.922–924. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИИ АТОМОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УРОВНИ
Емцев, В. В. Основные характеристики пары Френкеля в германии / В. В. Емцев [и др.]. - С.924–926. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дабагян А. В., Витовский Н. А., Машовец Т. В.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДЕФЕКТЫ, АКЦЕПТОРНЫЕ СОСТОЯНИЯ
Бабаев, А. А. О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H / А. А. Бабаев, Е. И. Теруков, И. В. Шведков. - С.927–929. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПОЛОСЫ
Павлов, Д. А. Влияние примеси углерода на свойства аморфного кремния / Д. А. Павлов, И. В. Пищулина, А. Ф. Хохлов. - С.929–931. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СПЛАВЫ, ДЕФЕКТНОСТЬ, ТЕМНОВЫЕ ПРОВОДИМОСТИ
Коваль, А. В. Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex / А. В. Коваль [и др.]. - С.932–934. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Симашкевич А. В., Сушкевич К. Д., Хельмауи А.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ФЛУКТУАЦИИ, СПЕКТРЫ
Земсков, Б. Г. К вопросу о двухэлектронном обмене в легированных твердых растворах Pb(Sn)Se / Б. Г. Земсков [и др.]. - С.934–936. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Любимов В. С., Мартынюк А. Н., Артемова А. А., Пермяков Ю. В., Ионов С. П.
Кл.слова: МЕССБАУЭРОВСКИЕ СПЕКТРЫ, РЕЛАКСАЦИИ, ПЕРЕНОСЫ ЭЛЕКТРОНОВ
Веденеев, С. . Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки / С. . Веденеев [и др.]. - С.936–938. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Георгобиани А. Н., Левит А. Д., Рамбиди Н. Г., Тодуа П. А., Шестакова Е. Ф., Эльтазаров Б. Т.
Кл.слова: ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ВОЛЬТФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ОПТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
Зудеев, О. Г. Разогрев носителей заряда в германии ИК излучением / О. Г. Зудеев [и др.]. - С.938–940. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванченко В. А., Науменко Г. Ю., Николаев М. В.
Кл.слова: ТЕРМОЭДС, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДЫРКИ
Пикус, Ф. Г. Сдвиговый фотогальванический эффект в полупроводниках со сверхрешеткой без центра инверсии / Ф. Г. Пикус. - С.940–943. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ, ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, БАРЬЕРЫ
Елькин, Н. В. Влияние освещения на проводимость легированных пленок a-Si : H / Н. В. Елькин [и др.]. - С.943–947. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Звягин И. П., Коробов О. Е., Курова И. А., Лупачева А. Н.
Кл.слова: УРОВЕНЬ ФЕРМИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ТЕРМОЭДС
Закиров, Г. Г. Динамика наносекундного лазерного отжига аморфных и ультрадисперсных имплантационных слоев германия / Г. Г. Закиров, Г. Д. Ивлев, И. Б. Хайбуллин. - С.947–949. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОТРАЖАТЕЛЬНЫЕ СПОСОБНОСТИ
Пожела, Ю. К. К вопросу об эффекте изменения электропроводности полупроводника в неоднородном магнитном поле / Ю. К. Пожела, К. К. Сталерайтис. - С.949–952. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА, ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПАРЫ, ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

7.


    Тарасик, М. И.
    Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта [Текст] / М. И. Тарасик, Д. С. Шварков, А. М. Янченко // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 1. - С. 97–100. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ОДНООСНЫЕ НАГРУЗКИ -- ИОНИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ
Дод.точки доступу:
Шварков, Д. С.
Янченко, А. М.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

8.


   
    Влияние освещения на проводимость легированных пленок a-Si : H [Текст] / Н. В. Елькин [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 5. - С. 943–947. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ТЕРМОЭДС
Дод.точки доступу:
Елькин, Н. В.
Звягин, И. П.
Коробов, О. Е.
Курова, И. А.
Лупачева, А. Н.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

9.


   
    Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников [Текст] / Ю. Г. Арапов [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 5. - С. 893–896. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ
Дод.точки доступу:
Арапов, Ю. Г.
Давыдов, А. Б.
Зверева, М. Л.
Штрапенин, Г. Л.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

10.


    Андроник, К. И.
    Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца [Текст] / К. И. Андроник, М. П. Бойко, А. В. Лужковский // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1988. - Том 22, N 10. - С. 1878–1880. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ
Дод.точки доступу:
Бойко, М. П.
Лужковский, А. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua