Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Періодичні видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
 Знайдено у інших БД:Книжкові видання (1)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>K=СDТЕ$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 по 2
1.
Шифр: Ф8/1989/23/2
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1989р. т.23 N 2
Зміст:
Абдуллаев, М. А. Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев In0.53Ga0.47As / М. А. Абдуллаев [и др.]. - С.201–206. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гореленок А. Т., Кохановский С. И., Макушенко Ю. М., Пуляевский Д. В., Сейсян Р. П., Штенгель К. Э.
Кл.слова: ПОДЛОЖКИ, РОСТОВЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Борковская, О. Ю. К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках AIIIBV / О. Ю. Борковская [и др.]. - С.207–212. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дмитрук Н. Л., Литовченко В. Г., Мищук О. Н.
Кл.слова: НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ, ОБЛУЧЕНИЯ, РЕКОМБИНАЦИИ
Аладашвили, Д. И. Эффект Френкеля—Пула в области прыжковой проводимости в слабо компенсированных полупроводниках / Д. И. Аладашвили [и др.]. - С.213–220. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Адамия З. А., Лавдовский К. Г., Левин Е. И., Шкловский Б. И.
Кл.слова: ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ
Чалдышев, В. В. Люминесценция глубоких уровней в n-GaAs : Ge, Bi / В. В. Чалдышев, Н. А. Якушева. - С.221–223. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ЛИНИИ ИЗЛУЧЕНИЙ
Бобылев, Б. А. Переходный ток в полупроводнике с барьерным контактом / Б. А. Бобылев, Э. Г. Косцов. - С.224–230. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ
Агринская, Н. В. Влияние крупномасштабных флуктуаций потенциала на явления переноса в полуизолирующих кристаллах СdТе‹Сl› / Н. В. Агринская, Е. Н. Аркадьева, А. И. Терентьев. - С.231–235. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭФФЕКТ ХОЛЛА, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Гасанова, А. Т. Длина когерентности в полупроводниковой области контакта сверхпроводник—полупроводник с учетом непараболичности зоны / А. Т. Гасанова [и др.]. - С.236–239. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Исмаилов И. А., Мамедов Ш. Ф., Мехтиев А. Ш., Тагиев А. Г.
Кл.слова: ЗАКОН ДИСПЕРСИИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ
Тимченко, И. Н. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в кристаллах n-ZnSe в умеренно сильных электрических полях / И. Н. Тимченко [и др.]. - С.240–243. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Касиян В. А., Недеогло Д. Д., Симашкевич А. В.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, НАПРЯЖЕННОСТИ, КУЛОНОВСКИЕ ЩЕЛИ
Акимов, Б. А. Осцилляции Шубникова—де-Гааза в PbTe(Cr) / Б. А. Акимов [и др.]. - С.244–249. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Вертелецкий П. В., Зломанов В. П., Рябова Л. И., Тананаева О. И., Широкова Н. А.
Кл.слова: КРИСТАЛЛИЗАЦИИ, УРОВЕНЬ ФЕРМИ, ПОЛУМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Неймаш, В. Б. Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии / В. Б. Неймаш [и др.]. - С.250–252. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Сирацкий В. М., Соснин М. Г., Шаховцов В. И., Шиндич В. Л.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ОБЛУЧЕНИЯ
Антонова, И. В. Поведение примеси золота в кремнии при радиационно-термических воздействиях / И. В. Антонова [и др.]. - С.253–256. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Васильев А. В., Панов В. И., Шаймеев С.С.
Кл.слова: ПАРЫ ФРЕНКЕЛЯ, ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, КОМПОНЕНТЫ
Пустовойт, А. К. Аннигиляция позитронов в разупорядоченных областях Ge и Si, облученных нейтронами / А. К. Пустовойт [и др.]. - С.257–263. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Коноплева Р. Ф., Купчишин А. И., Мукашев К. М.
Кл.слова: ФОТОНЫ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ТИПЫ ПРОВОДИМОСТИ
Иванюкович, В. А. Конфигурационные перестройки бистабильных центров в ковалентных полупроводниках — фазовые переходы второго рода / В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако. - С.264–267. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДЕФЕКТЫ, БАРЬЕРЫ ШОТТКИ, АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Терехов, В. А. Электронное строение валентной зоны твердых растворов AlyGa1-yAs и GaAs1-xPx по данным рентгеновской спектроскопии / В. А. Терехов [и др.]. - С.268–273. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кашкаров В. М., Домашевская Э. П., Арсентьев Н. Н., Иванова Т. М.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, ВАЛЕНТНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Баханова, Е. В. Увлечение дырок ИК излучением в одноосно деформированном полупроводнике / Е. В. Баханова, Ф. Т. Васько. - С.274–278. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СТАТИЧЕСКИЕ ТОКИ, СПЕКТРАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Полыгалов, Ю. И. Зонная структура, плотность электронных состояний и оптические свойства ZnSnSb2 / Ю. И. Полыгалов [и др.]. - С.279–282. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Басалаев Ю. М., Золотарев М. Л., Поплавной А. С.
Кл.слова: ГЕНЕЗИС ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ, ПЕРЕХОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Дьяконова, Н. В. Модель объемного шума 1/f в полупроводниках / Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн. - С.283–291. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФЛУКТУАЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ
Кисин, М. В. Пограничные состояния в зоне проводимости резкого гетероперехода / М. В. Кисин. - С.292–296. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УЗКОЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ДВУМЕРНЫЕ СИСТЕМЫ
Калмыкова, Н. П. Микронеоднородности и примесная проводимость в пленках стеклообразного As2Se3, легированного Bi / Н. П. Калмыкова [и др.]. - С.297–303. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мазец Т. Ф., Сморгонская Э. А., Цэндин К. Д.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ ПОГЛОЩЕНИЯ, АМОРФНЫЕ ПЛЕНКИ, ЭЛЕКТРОПОГЛОЩЕНИЯ
Вагидов, Н. З. Дрейфовая скорость горячих электронов в обогащенных слоях при нетемпературном характере их распределения по энергии / Н. З. Вагидов, З. С. Грибников, В. М. Иващенко. - С.304–311. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛЕВЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА
Горячев, Д. Н. Поляризационная фоточувствительность барьеров электролит—CdGeP2 / Д. Н. Горячев, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров. - С.312–315. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ПОГЛОЩЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Городилов, Н. А. Термоэдс p-HgMnTe в магнитном поле / Н. А. Городилов [и др.]. - С.316–322. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Доманская Л. И., Нейфельд Э. А., Шелушинина Н. Г.
Кл.слова: ПОЛУПPОВОДНИКИ, ДЫРКИ, ФОНОНЫ
Ершова, Т. П. Методика и результаты исследования кинетики поверхностной ЭДС в GaAs / Т. П. Ершова [и др.]. - С.323–327. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ершов С. Г., Жуков В. Е., Кораблев В. В., Тюкин В. Ю.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫЕ МЕТОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОБЛУЧЕНИЯ
Гирка, А. И. Исследование методом аннигиляции позитронов дефектов в монокристаллах кремния, облученных ионами ксенона / А. И. Гирка [и др.]. - С.328–331. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Клопиков Е. Б., Скуратов В. А., Шишкин А. В.
Кл.слова: ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ДИВАКАНСИИ, НЕЙТРОННЫЕ ПОЛЯ
Лукьянчикова, Н. Б. Ударная ионизация глубоких уровней в лавинно-пролетных диодах на основе арсенида галлия / Н. Б. Лукьянчикова. - С.332–337. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ, ДЫРКИ, ЭЛЕКТРОНЫ
Банная, В. Ф. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках / В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон. - С.338–345. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ, КОМПЕНСИРУЮЩИЕ ПРИМЕСИ, ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ
Раданцев, В. Ф. Емкость приповерхностных слоев в кейновских полупроводниках в условиях размерного и магнитного квантования / В. Ф. Раданцев [и др.]. - С.346–351. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дерябина Т. И., Завьялов В. В., Зверев Л. П., Кулаев Г. И., Хомутова С. С.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, АППРОКСИМАЦИИ
Аброян, И. А. Электрофизические свойства пленок PbTe, облученных ионами аргона / И. А. Аброян [и др.]. - С.352–355. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Алиев Б. З., Имамкулиев С. Д., Казьмин С. А., Кайданов В. И., Касаманли Г. Д.
Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, КВАЗИЛОКАЛЬНЫЕ УРОВНИ
Книгин, П. И. Фотоприемник УФ излучения на базе пленки ZnxCd1-xS / П. И. Книгин, Ш. А. Мирсагатов, X. Розиков. - С.356–357. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, БАРЬЕР ШОТТКИ
Горев, Н. В. Немонотонность вольтъемкостной зависимости тонкопленочных полупроводниковых структур с барьером Шоттки / Н. В. Горев [и др.]. - С.357–359. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Костылев С. А., Макарова Т. В., Прохоров Е. Ф., Уколов А. Т.
Кл.слова: НИЗКОЧАСТОТНЫЕ ЕМКОСТИ, ПЕРЕХОДЫ, ПОДЛОЖКИ
Горбунов, М. В. Экситонная люминесценция кремния, легированного фосфором и галлием в концентрациях 5·1016—3·1017 см-3 / М. В. Горбунов, А. С. Каминский. - С.359–361. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, СПЕКТРЫ РЕКОМБИНАЦИОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ПРИМЕСИ
Бедный, Б. И. Определение приповерхностного изгиба зон по кинетике барьерно-ловушечной фотоэдс / Б. И. Бедный, М. И. Василевский, И. А. Карпович. - С.362–364. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ
Лубяная, М. Д. Аномальное поведение затухания акустоэдс в эпитаксиальных слоях арсенида галлия / М. Д. Лубяная, И. Е. Марончук, А. И. Юцис. - С.364–366. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, КОЛЕБАНИЯ, ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
Гусев, В. Э. Акустическая регистрация удержания фотовозбужденной невырожденной электронно-дырочной плазмы вблизи поверхности германия / В. Э. Гусев [и др.]. - С.366–369. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Жданов Б. В., Кузнецов В. И., Петросян Е. Г., Теленков С. А.
Кл.слова: ПРИПОВЕРХНОСТНЫЕ ОБЛАСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, АКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ
Заставной, А. В. Взаимодействие лития с радиационными дефектами в кремнии / А. В. Заставной, В. М. Король. - С.369–372. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ
Алимпиев, В. Н. Импеданс фотопроводника при параметрической неустойчивости волн пространственного заряда / В. Н. Алимпиев, И. Р. Гуральник. - С.372–376. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СИГНАЛЫ, БЕГУЩИЕ ВОЛНЫ
Железняк, А. Т. О фотостимулированном продольном магнитосопротивлении полупроводников / А. Т. Железняк, Г. М. Шмелев. - С.376–378. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕЛАКСАЦИИ, ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС, СЛАБЫЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ
Стыс, Л. Е. Модель аномальной фотопроводимости / Л. Е. Стыс. - С.378–382. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ, НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, СПЕКТРЫ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ СОСТОЯНИЙ
Каширская, Л. М. Допустимые значения параметров уровня собственных дефектов в твердых растворах свинец—олово—селен / Л. М. Каширская, И. В. Кучеренко, А. Е. Свистов. - С.382–385. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, ТЕРМОЭДС, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

2.


    Агринская, Н. В.
    Влияние крупномасштабных флуктуаций потенциала на явления переноса в полуизолирующих кристаллах СdТе‹Сl› [Текст] / Н. В. Агринская, Е. Н. Аркадьева, А. И. Терентьев // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 2. - С. 231–235. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ЭФФЕКТ ХОЛЛА -- МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Дод.точки доступу:
Аркадьева, Е. Н.
Терентьев, А. И.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua