Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Періодичні видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
 Знайдено у інших БД:Книжкові видання (2)Повнотекстова база "Праці вчених НТУ "ХПІ" (1)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>K=ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 по 2
1.
Шифр: Ф8/1993/27/1
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1993р. т.27 N 1
Зміст:
Левин, М. Н. Прямой метод определения плотности поверхностных состояний по токам накачки заряда / М. Н. Левин [и др.]. - С.3-11. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Литманович В. И., Татаринцев А. В., Чернышев Е. В.
Кл.слова: КВАЗИСТАЦИОНАРНОСТЬ, ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ПЛОСКИЕ ЗОНЫ
Берил, С. И. Экранированное кулоновское взаимодейстсвие и поляронный экситон в МПД структуре / С. И. Берил [и др.]. - С.12-20. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Покатилов Е. П., Зотов А. С., Фарах М., Фай Л. К.
Кл.слова: ЭНЕРГИЯ ОСНОВНОГО СОСТОЯНИЯ, ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ, НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ
Айдаралиев, М. Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений AIIIBV / М. Айдаралиев [и др.]. - С.21-29. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Зотова Н. В., Карандашев С. А., Матвеев Б. А., Стусь Н. М., Талалакин Г. Н.
Кл.слова: ИНЖЕКЦИОННЫЕ ЛАЗЕРЫ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ЛАЗЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ
Гинзбург, Л. П. Переходы Андерсона в системе D--центров / Л. П. Гинзбург. - С.30-40. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ТЕОРИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА, ПРОВОДИМОСТЬ
Сырбу, Н. Н. Давыдовские мультиплеты колебательных спектров и эффективные ионные заряды в кристаллах TlInS2, TlGaSe2 / Н. Н. Сырбу [и др.]. - С.41-55. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Нойманн X., Соботта X., Риеде В.
Кл.слова: РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ, ПОЛЯРИЗАЦИИ, ОДНОФОНОННЫЕ СПЕКТРЫ
Байдуллаева, А. Фотоэлектрические свойства пленок теллурида кадмия, подвергнутых лазерному облучению / А. Байдуллаева [и др.]. - С.56-59. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Даулетмуратов Б. К., Власенко А. И., Гнатюк В. А., Мозоль П. Е.
Кл.слова: ВАКУУМНОЕ НАПЫЛЕНИЕ, ИМПУЛЬСЫ ИЗЛУЧЕНИЯ, ТЕМНОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ
Герчиков, . Влияние состава слоев на зонный спектр сверхрешеток типа CdхHg1-хTe-CgуHg1-уTe / Л. Г. Герчиков, А. В. Субашиев, Салман Далла. - С.60-66. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, ФОТОПРИЕМНИКИ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ
Мякенькая, Г. С. Бистабильные комплексы дефектов с углеродной компонентой в кремнии / Г. С. Мякенькая, Г. Л. Гуцев. - С.67-75. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УГЛЕРОДСОДЕРЖАЩИЕ КОМПЛЕКСЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ, БИНАРНЫЕ КОМПЛЕКСЫ
Лебедев, А. А. Определение энергетического спектра плотности поверхностных состояний в МДП структурах с помощью емкостной спектроскопии DLTS при учете взаимодействия с неосновными носителями тока / А. А. Лебедев, В. Экке. - С.76-80. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИНТЕРВАЛ ЭНЕРГИЙ, РЕЛАКСАЦИЯ НАПРЯЖЕНИЙ, КВАЗИУРОВНИ ФЕРМИ
Миргородский, В. И. Фоторефрактивный метод бесконтактного определения рекомбинационных характеристик полупроводников / В. И. Миргородский, В. А. Сабликов, А. Л. Филатов. - С.81-87. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТ ДИФФУЗИИ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА, МАССИВНЫЕ ОБРАЗЦЫ
Грехов, И. В. Статические характеристики кремниевого оже-транзистора с туннельным МОП эмиттером и индуцированной базой / И. В. Грехов, А. Ф. Шулекин, М. И. Векслер. - С.88-94. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СУХОЙ КИСЛОРОД, ОКИСЛЕНИЕ, ТУННЕЛИРУЮЩИЕ ЭЛЕКТРОНЫ
Савицкий, В. Г. Антистоксовское преобразование излучения варизонными полупроводниками при магнитоконцентрационном эффекте / В. Г. Савицкий, Б. С. Соколовский, В. И. Новак. - С.95-98. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УЗКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ИСТОЧНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ, ГЕНЕРАЦИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ
Миляев, В. А. Картирование времени жизни неравновесных носителей в кремниевых пластинах со структурой из алюминиевых полосок / В. А. Миляев, В. А. Никитин, А. В. Ширков. - С.99-101. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕЛАКСОМЕТРИЯ, ГЕТТЕРИРОВАНИЕ, ПРОСТРАНСТВЕННОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ
Аникин, М. М. Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H / М. М. Аникин [и др.]. - С.102-107. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванов П. А., Растегаев В. П., Савкина Н. С., Сыркин А. Л., Челноков В. Е.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, УДЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Ильинская, Н. Д. Осциллирующее магнитопоглощение многослойных квантово-размерных структур / Н. Д. Ильинская, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян. - С.108-114. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ, ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
Афонин, В. В. Акустоэлектрический эффект и термоэдс увлечения электронов фононами в режиме слабой локализации / В. В. Афонин, Ю. М. Гальперин. - С.115-123. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ, ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ, ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОЭФФИЦИЕНТ
Гринев, В. И. Краевое излучение в ZnSe‹Li›, облученном электронами / В. И. Гринев. - С.124-130. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИИ, ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ, ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЕ ПАРЫ
Сысоев, Б. И. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Me-GaAs / Б. И. Сысоев [и др.]. - С.131-135. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Стрыгин В. Д.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ОБРАБОТКА ПОДЛОЖЕК, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ
Андрианов, А. В. Время-разрешенная фотолюминесценция пористого кремния / А. В. Андрианов [и др.]. - С.136-140. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ковалев Д. И., Шуман В. Б., Ярошецкий И. Д.
Кл.слова: ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ, ИНТЕРВАЛ ТЕМПЕРАТУР, МИГРАЦИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ
Андреев, В. М. (AlGaAs/GaAs)-фотоприемники на подложках Si, полученные комбинированным методом жидкофазной и молекулярно-пучковой эпитаксии / В. М. Андреев [и др.]. - С.141-145. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Антипов В. Г., Калиновский В. С., Каллион Р. В., Никишин С. А., Рувимов С. С., Степанов М. В., Танклевская Е. М., Хвостиков В. П.
Кл.слова: ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ, АНТИФАЗНЫЕ ДОМЕНЫ
Воробьев, Л. Е. Безынжекционный узкополосный лазер дальнего ИК диапазона на горячих дырках и его использование для исследования примесного пробоя / Л. Е. Воробьев [и др.]. - С.146-155. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Данилов С. Н., Донецкий Д. В., Кочегаров Ю. В., Стафеев В. И., Фирсов Д. А.
Кл.слова: СЕЛЕКТИВНЫЕ ЗЕРКАЛА, СПЕКТРЫ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРА, ГЕНЕРАЦИЯ
Андреев, В. М. Спектральные и электрические характеристики гетероструктур n-GaAs-(n-p)-AlхGa1-хAs-p-Al(у›х)Ga1-уAs-p+-GaAs с ультратонкими поверхностными слоями / В. М. Андреев [и др.]. - С.156-161. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Калиновский В. С., Миланова М. М., Минтаиров А. М., Румянцев В. Д., Смекалкин К. Е., Стругова Е. О.
Кл.слова: ТЕМНОВЫЕ ПРОВОДИМОСТИ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, СПЕКТРЫ ФОТООТВЕТА
Семенова, Г. Н. Структурные дефекты и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев InхGa1-хAs / Г. Н. Семенова [и др.]. - С.162-167. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кладько В. П., Крыштаб Т. Г., Садофьев Ю. Г., Свительский А. В., Корытцев С. В.
Кл.слова: РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, ДИФРАКТОМЕТРИЯ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Двуреченский, А. В. Инверсия типа проводимости слоев CdхHg1-хTe, подвергнутых плазменной обработке / А. В. Двуреченский [и др.]. - С.168-171. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ремесник В. Г., Рязанцев И. А., Талипов Н. X.
Кл.слова: ИОННЫЕ ПУЧКИ, ЭНЕРГИЯ, СВОБОДНАЯ РТУТЬ
Болгов, С. С. Барическая зависимость люминесценции гетероструктур CdхHg1-хTe/CdTe / С. С. Болгов [и др.]. - С.171-176. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кислый В. П., Малютенко В. К., Савченко А. П.
Кл.слова: НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА, ЭКСКЛЮЗИЯ, АККУМУЛЯЦИЯ
Малевич, В. Л. О перегревной оптической бистабильности в дырочных полупроводниках / В. Л. Малевич. - С.176-179. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ, ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ, ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ
Малышев, В. А. Нелинейные преобразования сигнала модуляции света при квадратичной рекомбинации в фотоприемнике / В. А. Малышев [и др.]. - С.179-182. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Сапелкин С. В., Червяков Г. Г., Юхимец Е. А.
Кл.слова: ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ, ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ
Гусятников, В. Н. Особенности фотопроводимости классических сверхрешеток на основе p-Ge в инфракрасном диапазоне / В. Н. Гусятников, В. А. Иванченко, М. В. Николаев. - С.182-185. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЛАЗЕРНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ, ПОГЛОЩЕНИЕ СВЕТА, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
Зимин, С. П. Свойства компенсированных пленок в системе сульфид свинца-сульфид кадмия / С. П. Зимин, Е. Л. Корегина, Л. В. Бочкарева. - С.185-188. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ, СИНТЕЗ НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Калинушкин, В. П. Изменение диаграммы рассеяния света монокристаллами нелегированного GaAs вследствие электронного облучения / В. П. Калинушкин, В. А. Юрьев. - С.188-190. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО, ЖИДКОСТНАЯ ГЕРМЕТИЗАЦИЯ, РАСПЛАВЫ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

2.


    Гинзбург, Л. П.
    Переходы Андерсона в системе D--центров [Текст] / Л. П. Гинзбург // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1993. - Том 27, N 1. - С. 30-40. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТЕОРИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА -- ПРОВОДИМОСТЬ
Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua