Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Періодичні видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
 Знайдено у інших БД:Книжкові видання (13)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>K=ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 29
Показані документи с 1 по 10
 1-10    11-20   21-29 
1.
Шифр: У8/2000/45/11
   Журнал

Український фізичний журнал [Текст] : наук. журн./ Нац. акад. наук України, Ін­т фізики. - Київ : Наукова думка, 1956 - . - ISSN 0503-1265. - Виходить щомісячно
2000р. т.45 N 11
Зміст:
Glebova, A. N. The First Investigations of Spark Discharge in Ukraine / A. N. Glebova, Yu. A. Khramov. - С.1279-1284. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ГРУЗИНЦЕВ А. П., ИССЛЕДОВАНИЯ ИСКРОВОГО РАЗРЯДА, РАДИОАКТИВНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
Burlikov, V. V. A Uniform–Density Fluid Sphere in General Relativity / V. V. Burlikov, M. P. Korkina. - С.1285-1288. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ЖИДКОСТНАЯ СТРУКТУРА, ОДНОРОДНАЯ ПЛОТНОСТЬ, НЕСТАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ
Dzyublik, A. Ya. Collective Excitations of Even–even Superdeformed Nuclei / A. Ya. Dzyublik, V. V. Utyuzh. - С.1289-1294. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ЧЕТНО-ЧЕТНЫЕ СВЕРХДЕФОРМИРОВАННЫЕ ЯДРА, УРАВНЕНИЕ БОРА-МОТТЕЛЬСОНА, КВАДРУПОЛЬНЫЕ КОЛЕБАНИЯ
Freik, D. M. The Size Effect of the Temperature Dependence of the Electrical Resistivity in Thin Polycrystalline Cr and Cu Metal Films / D. M. Freik, Ya. P. Salii, M. V. Kalynjuk. - С.1375-1377. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ, ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
Kashuba, I. E. Analysis of Influence of Model Approximations Related to the Phenomenological Nuclear Structure on Neutron–nucleus Scattering / I. E. Kashuba, I. A. Korzh, T. I. Yakovenko. - С.1295-1300. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: РАССЕЯНИЕ НЕЙТРОНОВ, ЧЕТНО-ЧЕТНЫЕ ИЗОТОПЫ СЕЛЕНА, ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ЯДРА
Inopin, E. V. The Nonrelativistic Storage Ring of Tritium Ions as a Neutron Source / E. V. Inopin, A. S. Tarasenko. - С.1301-1305. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ИСТОЧНИК НЕЙТРОНОВ, НЕРЕЛЯТИВИСТСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ, ИОНЫ ТРИТИЯ
Polozov, A. D. Unitarity Effects in Elastic Scattering of Hadrons and Deep Inelastic Lepton–Hadron Scattering / A. D. Polozov, B. V. Struminsky. - С.1306-1310. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: УПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ АДРОНОВ, ЭФФЕКТ УНИТАРНОСТИ, НЕУПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ ЛЕПТОН-АДРОНОВ
Novosad, S. S. Influence of Photochemical Transformations upon Optic–Spectral Characteristics of Iodine Cadmium Crystals with Copper Dopant / S. S. Novosad. - С.1311-1317. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: МЕТОД СТОКБАРГЕРА-ЧОХРАЛЬСКОГО, ФОТОХИМИЧЕСКОЕ ПРЕВРАЩЕНИЕ, ЛЕГИРОВАНИЕ МЕДЬЮ
Anisimov, I. O. The Effect of Initial Electron Beam Modulation on its Evolution in Overcritical Plasma / I. O. Anisimov [et al.]. - С.1318-1323. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Boyko N. O., Dovbakh S. V., Palets D. B., Romanyuk L. I.
Кл.слова: ЭФФЕКТ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА, СВЕРХКРИТИЧЕСКАЯ ПЛАЗМА, ЛЕНГМЮРА ЧАСТОТЫ
Zhyvylo, S. D. Reflection of Alfven Waves from the Ionosphere and Possibility or Active Magnetospheric Resonator / S. D. Zhyvylo, V. M. Ivchenko, I. O. Kremenetsky. - С.1324-1332. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: АЛЬФВЕНОВСКИЕ ВОЛНЫ, МАГНИТОСФЕРНЫЙ РЕЗОНАТОР, СЛОИ ИОНОСФЕРЫ
Alekhin, L. A. Impact of Charged Ions on the Indicatrix of Critical Opalescence of Liquid Systems / L. A. Alekhin [et al.]. - С.1333-1337. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Bulavin L. A., Abdikarimov B. Zn., Kopylchuk V. P.
Кл.слова: ОПАЛЕСЦЕНЦИЯ ЖИДКОСТНЫХ СИСТЕМ, ЗАРЯЖЕННЫЕ ИОНЫ, ИНДИКАТРИСА
Plevachuk, Yu. O. The Miscibility Gap Region and Properties of Liquid Ternary Tl–Se–Te Alloys / Yu. O. Plevachuk, B. I. Sokolovskii, V. P. Diduokh. - С.1338-1340. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: БИНАРНЫЕ ЖИДКИЕ СПЛАВЫ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ МАТЕРИАЛОВ, ПРОЦЕСС СМЕШИВАНИЯ-РАЗДЕЛЕНИЯ
Machulin, V. F. Anisotropy of Elastic Properties of Crystals CdхHg1-хTe ( x = 0, 2; 1, 0) / V. F. Machulin, Ya. M. Olikh, I. O. Lysiuk. - С.1341-1344. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: УПРУГИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ, ПОВЕРХНОСТИ РЭЛЕЯ, ПОПЕРЕЧНЫЕ УЛЬТРАЗВУКОВЫЕ ВОЛНЫ
Strikha, M. V. Change of Quantum Yield in Narrow–Gap Semiconductors Caused by Uniaxial Compression / M. V. Strikha, G. A. Shepelskii. - С.1345-1347. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: УЗКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КВАНТОВЫЙ ВЫХОД, ОДНООСНОЕ СЖАТИЕ
Bortnik, H. M. Electrophysical Properties and Dimension Effects in Semiconductor Crystals of GaSb / H. M. Bortnik, S. S. Varshava, I. S. Virt. - С.1348-1351. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Boiko, B. T. Influence of Conjunction Layers on Phonoelectric Properties in Film Polycrystalline Heterosystems on the Cadmium Telluride Base / B. T. Boiko, G. S. Khrypunov, G. V. Yurchenko. - С.1352-1355. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Stashchuk, V. S. Optical Properties and Electronic Structure of Ni–Co Alloys / V. S. Stashchuk. - С.1356-1360. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: СПЛАВ НИКЕЛЬ-КОБАЛЬТ, ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Lashkarev, G. V. Magnetic Susceptibility of Powders of Layered Diselenides of Transition Metals with Various Dispersions / G. V. Lashkarev [et al.]. - С.1361-1365. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Dmitriev A. I., Kulikov L. M., Semenov-Kobzar A. A., Akselrud L. G., Romaka L. P., Baida A. A.
Кл.слова: СЛОИСТЫЕ ДИСЕЛЕНИДЫ, ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ, МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ
Mikhtarov, M. A. Electron Energy Losses in Lithium Niobate / M. A. Mikhtarov, K. N. Pilipchak, R. Kh. Amirov. - С.1366-1369. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: НИОБАТ ЛИТИЯ, ПОТЕРИ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭНЕРГИИ, БОМБАРДИРОВКА ИОНАМИ АРГОНА, КИСЛОРОДА
Plevachuk, Yu. O. Electrophysical Properties of the In–Te System in the Miscibility Gap Region / Yu. O. Plevachuk, B. I. Sokolovskii, V. M. Sklyarchuk. - С.1370-1374. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ОБЛАСТЬ РАССЛОЕНИЯ, СИСТЕМА ИНДИЙ-ТЕЛЛУР, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Burbelo, R. M. The Nature of Visualization of Expitaxial Si Structures ( p–n Junction) by Thermal Waves / R. M. Burbelo, A. G. Kuzmich, I. Ya. Kucherov. - С.1378-1380. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЯ, ТЕРМИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МИКРОСКОПИЯ
Degoda, V. Ya. Distribution of Light Sum Accumulation and Scintillation Efficiency of Crystallophosphors under X–Ray Excitation / V. Ya. Degoda. - С.1381-1387. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ, СЦИНТИЛЛЯЦИЯ, КРИСТАЛЛОФОСФОР
Mazmanishvili, A. S. Reproducibility of the Statistical Distribution of Gaussian Optical Field Counts on a Linear Integral Transformation / A. S. Mazmanishvili. - С.1388-1390. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ГАУССОВО ПОЛЕ, СТАТИСТИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ, ЛИНЕЙНОЕ ИНТЕГРАЛЬНОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ
Krykunova, V. E. Study of Excimeric Fluorescence of Pyrene by the Method of Registration of the First Derivative of the Intensity with Respect to Wavelength / V. E. Krykunova, O. A. Khakhel'. - С.1391-1396. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ЭКСИМЕРНАЯ ФЛУОРЕСЦЕНЦИЯ ПИРЕНА, ДЛИНА ВОЛНЫ, МЕТОД ПЕРВОЙ ПРОИЗВОДНОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ
Stakhira, J. M. Determination of Trap Enegry Distrubution From Spectra of the Peizophotoresistive Effect / J. M. Stakhira [et al.]. - С.1397. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Shuwar R. Ya., Pavlishenko B. M., Datsyuk Yu. R.
Кл.слова: ПЬЕЗОФОТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ, ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ЭНЕРГИЯ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

2.
Шифр: У8/2002/47/1
   Журнал

Український фізичний журнал [Текст] : наук. журн./ Нац. акад. наук України, Ін­т фізики. - Київ : Наукова думка, 1956 - . - ISSN 0503-1265. - Виходить щомісячно
2002р. т.47 N 1
Зміст:
Volchenko, A. P. Equations of Material Point Motion in Relative Time / A. P. Volchenko. - С.5-9. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: УРАВНЕНИЯ ДВИЖЕНИЯ, ОТНОСИТЕЛЬНОЕ ВРЕМЯ, МАТЕРИАЛЬНАЯ ТОЧКА
Verbitsky, V. P. Weakly Bound Particle in the Electric Field of a Nucleus / V. P. Verbitsky, L. Ya. Zhukalyuk, K. O. Terenetsky. - С.10-14. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: СЛАБОСВЯЗАННЫЕ ЧАСТИЦЫ, ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ЯДРА, ВОЛНОВЫЕ ФУНКЦИИ ИОНОВ
Gorchkov, V. N. The Theory of Formation of Optical Vortices by the Technique of a Phase Wedge / V. N. Gorchkov, A. N. Khoroshun, M. S. Soskin. - С.15-23. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ ВИХРИ, МЕТОД ФАЗОВОГО КЛИНА, ГАУССА МЕТОД
Guivan, M. M. Investigation of the Process of Extitation of Mercury Monobromide and Monochloride Excimer Molecules in Dense Gas–Discharge Plasma / M. M. Guivan, A. N. Malinin. - С.24-27. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ПЛАЗМА, ЭКСИМЕРНЫЕ МОЛЕКУЛЫ, МОНОБРОМИД, МОНОХЛОРИД РТУТИ
Shuaibov, A. K. A Wide–Band Electrodischarge Source of Radiation at Low Pressure on Mixture of Inert Gases with Molecules of Chlorine / A. K. Shuaibov [et al.]. - С.28-31. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Shimon L. L., Shevera I. V., Dashchenko A. I.
Кл.слова: СМЕСЬ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ, МОЛЕКУЛЫ ХЛОРА, ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ
Lozovyi, V. I. Diffusion of KMnO4 and CuSO4 Low Impurities in Varions Water Modifications / V. I. Lozovyi, E. V. Poberegnyi, E. S. Polkovnichenko. - С.32-36. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ДИФФУЗИЯ, МОДИФИКАЦИИ ВОДЫ, МАЛОПРИМЕСНЫЕ ХИМИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Alekhin, A. D. Viskosity of the Methanol–Hexane Mixture near the Critical Temperature of Stratification / A. D. Alekhin, V. S. Sperkach, O. I. Bilous. - С.37-38. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРА РАССЛОЕНИЯ, СМЕСЬ МЕТАНОЛ-ГЕКСАН, ВЯЗКОСТЬ СМЕСЕЙ
Kurilo, I. V. Effect of Hg and Tl Inclusions on Mechanical Behaviour of CdTe, HgTe and CdхHg1-хTe Crystals / I. V. Kurilo [et al.]. - С.39-42. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Rudyi I. O., Virt I. S., Vlasenko O. I.
Кл.слова: ВКЛЮЧЕНИЯ РТУТИ, МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОВЕДЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ, МОДЕЛЬ МОТТА-НАБАРРО
Fodchuk, I. M. Four–Beam X-Ray Scattering in Ge with One–Dimensional Strain Fields / I. M. Fodchuk [et al.]. - С.43-49. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Raransky M. D., Borcha M. D., Kshevetsky O. S., Tkach O. O.
Кл.слова: РЕНТГЕНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ, ОДНОМЕРНЫЕ ПОЛЯ ДЕФОРМАЦИИ, ГЕРМАНИЙ
Neimash, V. B. Generation of Radiation and Thermal Deffects in Silicon during “Hot” Electron Irradiation / V. B. Neimash, M. M. Krasko, A. M. Kraitchinskii. - С.50-53. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ГЕНЕРАЦИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ, ТЕПЛОВЫЕ ДЕФОРМАЦИИ В КРЕМНИИ, ОБЛУЧЕНИЕ “ГОРЯЧИМИ” ЭЛЕКТРОНАМИ
Dovhyi, Ya. O. The Autointercalation Phenomenon in Layered InхTl1-хI Crystals / Ya. O. Dovhyi, S. V. Ternavska, A. V. Franiv. - С.54-60. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: АВТОИНТЕРКАЛЯЦИЯ, СЛОИСТЫЕ КРИСТАЛЛЫ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Gonchar, A. G. The Mechanism of Influence of Residual Thermal Stresses on the Electrophysical Properties of Composite Films on the Basis of SnO2–Sb / A. G. Gonchar, I. M. Vinitsky, B. M. Rud. - С.61-65. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: КОМПОЗИТНЫЕ ПЛЕНКИ, ОСТАТОЧНЫЕ ТЕРМИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Danchuk, V. D. Temperature Study of the Resonance Intermolecular Interaction in the Crystalline n–Paraffins and α–olefins / V. D. Danchuk [et al.]. - С.66-68. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Puchkovska G. O., Kravchuk A. P., Makarenko S. P.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, МЕЖМОЛЕКУЛЯРНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ВЕЩЕСТВА
Matyushin, V. M. Influence of Low–Temperature Processing with Atomic Hydrogen on the System Cu–Ge / V. M. Matyushin, S. I. Kontseus, D. O. Polekha. - С.69-72. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: АТОМАРНЫЙ ВОДОРОД, НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА, СИСТЕМА Cu–Ge
Tokiy, V. V. Anomalous Nonlinear Photogeneration of Carriers on the Surface of Diamond / V. V. Tokiy, V. I. Timchenko, V. O. Soroka. - С.73-75. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: ФОТОГЕНЕРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ, ПОВЕРХНОСТЬ АЛМАЗА, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
Poperenko, L. V. Optical Properties of Ion–Implanted Systems “Thin Molybdenum Film–Lithium Niobate” / L. V. Poperenko [et al.]. - С.76-79. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Klui M. I., Staschuk V. S., Lysyuk V. O.
Кл.слова: ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ, ТОНКАЯ ПЛЕНКА МОЛИБДЕНА-НИОБАТ ЛИТИЯ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Sukach, G. O. Influence of the Surface Recombination Processes of Higher Orders on a Thickness of the Interlayer Responsible for Formation of Photoeffects in Semiconductor Structures / G. O. Sukach, S. M. Bilousov. - С.80-84. - Bibliography is at the end of the article
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИЯ ВЫСШИХ ПОРЯДКОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОЭФФЕКТОВ
Kudin, A. P. Radiative Recombination in Irradiated Zinc Diphosphide / A. P. Kudin [et al.]. - С.85-89. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Tartachnyk V. P., Litovchenko P. G., Megela I. G., Khivrich V. I.
Кл.слова: ДИФОСФИД ЦИНКА, ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ, ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
Lazur, V. Yu. Dynamical Symmetry and Separation of Variables the Schrodinger Equation with a Two–Center Confinement–Type Potential / V. Yu. Lazur [et al.]. - С.90-98. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Dobosh V. M., Rubish V. V., Melika M. D.
Кл.слова: УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА, ДИНАМИЧЕСКАЯ СИММЕТРИЯ, РАЗДЕЛЕНИЕ ПЕРЕМЕННЫХ
Repetsky, S. P. Interatomic and Electronic Correlations in Systems with Narrow Energy Bands / S. P. Repetsky [et al.]. - С.99-104. - Bibliography is at the end of the article
Інші автори: Shatnii T. D., Len T. S., Len E. G.
Кл.слова: МЕЖАТОМНЫЕ КОРРЕЛЯЦИИ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ, МОДЕЛЬ ХАББАРДА
O.S. Parasyuk (on his 80th Birthday)
Кл.слова: ПАРАСЮК О. С., УЧЕНЫЕ- ФИЗИКИ УКРАИНЫ, НАУКА В УКРАИНЕ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

3.
Шифр: М7/2008/30/3
   Журнал

Металлофизика и новейшие технологии [Текст] : междунар. науч.-техн. журн./ редкол.: О. М. Ивасишин (гл. ред.) [и др.]. - Киев, 1979 - . - ISSN 1024-1809. - Виходить щомісячно
2008р. т.30 N 3 . - 34.67, р.
Зміст:
Eлектронно-позитронна анігіляція в дисперсних системах полiхлортрифторетилен-йодид срiбла / М. М. Нищенко [та ін. ]
Кл.слова: йодид серебра, дисперсные системы, композиционные материалы
Шкурдода, Ю. О. Питома провiднiсть тришарових полiкристалiчних плiвок / Ю. О. Шкурдода, В. Б. Лобода, Л. В. Дехтярук
Кл.слова: поликристаллические пленки, трехслойны пленки, удельная проводимость
Точицкий, Т. А. Влияние двойникования на формирование текстуры и морфологии поверхности в электролитически осажденных пленках Ni-Fе-Мо / Т. А. Точицкий, А. Э. Дмитриева
Кл.слова: электролитические пленки, субструктура, осажденные пленки
Танатаров, Л. В. О двухтемпературных вспышках в металле / Л. В. Танатаров, И. В. Танатаров, А. А. Сорока
Кл.слова: ДВУХТЕМПЕРАТУРНЫЕ ВСПЫШКИ, ФЛУКТУАЦИИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ФЛУКТУАЦИИ
Селищев, П. А. Роль комплексообразования в упрочнении металлов под облучением / П. А. Селищев, В. И. Слисенко
Кл.слова: упрочнение металлов, комплексообразование, междоузельные атомы
Ориентационные изменения и развитие трещин в процессе пластической деформации двумерных поликристаллов алюминия / Е. Е. Бадиян [и др. ]
Кл.слова: пластическая деформация, поликристаллы алюминия, двумерные поликристаллы
Засимчук, Е. Э. Некоторые особенности упругопластической деформации в поликристаллах / Е. Э. Засимчук, В. И. Засимчук
Кл.слова: упругопластическая деформация, поликристаллы, границы зерен
Изменение структурно-фазового состояния и сверхпластических свойств эвтектики олово-свинец в процессе старения / В. Ф. Коршак [и др. ]
Кл.слова: структурно-фазовое состояние, сверхпластические свойства, старение
Бондаренко, Ю. О. Вплив циклiчного термооброблення «розпад-розчинення» на структуру стопу cu-5, 7% ат. Тi / Ю. О. Бондаренко, О. В. Титаренко, О. А. Шматко
Кл.слова: циклическая термообработка, сплавы меди, непрерывное растворение
Ярматов, И. Т. Обратимое и необратимое формоизменение металлов и сплавов / И. Т. Ярматов
Кл.слова: СТАТИСТИКО-ВЕРОЯТНОСТНЫЕ АНАЛИЗЫ, ФОРМОИЗМЕНЕНИЕ МЕТАЛЛОВ, ТЕРМОЦИКЛИРОВАНИЕ
Лысенко, А. Б. Влияние термического режима закалки из жидкого состояния на микроструктуру металлов / А. Б. Лысенко, О. Л. Кравец, А. А. Лысенко
Кл.слова: режимы закалки, микроструктура металлов, численное решение
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

4.
Шифр: Ф8/1988/22/4
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1988р. т.22 N 4
Зміст:
Алексеев, М. А. Гофрировка валентной зоны кристаллов фосфида индия / М. А. Алексеев [и др.]. - С.569–574. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Карлик И. Я., Мирлин Д. Н., Сапега В. Ф.
Кл.слова: АНИЗОТРОПИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ГОРЯЧАЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
Гантмахер, В. Ф. О механизме магнитопримесных резонансов в фотовозбужденном p-Ge / В. Ф. Гантмахер, В. Н. Зверев, Д. В. Шовкун. - С.575–577. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОСЦИЛЛЯЦИИ, АКЦЕПТОРЫ, ЭКСИТОНЫ
Калитенко, В. А. Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока / В. А. Калитенко, И. Я. Кучеров, В. М. Перга. - С.578–581. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, НАПРЯЖЕННОСТИ, ЗАРЯЖЕННЫЕ ДИСЛОКАЦИИ
Кужир, П. Г. Фототок в варизонной структуре при нестационарном возбуждении / П. Г. Кужир [и др.]. - С.582–585. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Малышев С. А., Рыжков М. П., Трофименко Е. Е.
Кл.слова: ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ ФОТОНОСИТЕЛИ, ОПТИЧЕСКИЕ ИМПУЛЬСЫ
Веденеев, А. С. Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках / А. С. Веденеев [и др.]. - С.586–592. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Воронкова Г. И., Ждан А. Г., Коган Ш. М., Лифшиц Т. М., Рыльков В. В.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ТОЧНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА
Малютенко, В. К. Люминесценция InAs в условиях магнитной инжекции / В. К. Малютенко [и др.]. - С.593–596. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Яблоновский Е. И., Савченко А. П., Билинец Ю. Ю., Кабаций В. Н.
Кл.слова: МАГНИТОКОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ, СВЕТОДИОДЫ, СПЕКТРЫ ИЗЛУЧЕНИЙ
Копьев, П. С. Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами / П. С. Копьев [и др.]. - С.597–603. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кочерешко В. П., Уральцев И. Н., Яковлев Д. Р.
Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, АКЦЕПТОРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Крещук, А. М. Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа / А. М. Крещук [и др.]. - С.604–608. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мартисов М. Ю., Полянская Т. А., Савельев И. Г., Сайдашев И. И., Шик А. Я., Шмарцев Ю. В.
Кл.слова: СКОРОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ, АКУСТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Карпова, И. В. Режимы генерации рекомбинационных волн конечной амплитуды / И. В. Карпова, В. А. Сабликов, С. М. Сыровегин. - С.609–612. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВОЗБУЖДЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, АМПЛИТУДЫ КОЛЕБАНИЙ
Асрян, Л. В. Обратный ток и фототок p–n-перехода с высокой концентрацией рекомбинационных центров / Л. В. Асрян, А. Я. Шик. - С.613–617. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ЗАРЯДЫ, КВАНТОВЫЕ ВЫХОДЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Пека, Г. П. Селективная фоточувствительность длинных p+–n-диодов с варизонной базой на основе AlxGa1-xAs / Г. П. Пека [и др.]. - С.618–622. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Каваляускас А. А., Пулеметов Д. А., Смоляр А. Н., Шимулите Е. А.
Кл.слова: СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ИНЖЕКЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Гермогенов, В. П. Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление твердого раствора n-AlxGa1-xSb / В. П. Гермогенов [и др.]. - С.623–627. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Диамант В. М., Коротченко З. В., Криворотов Н. П., Позолотин В. А.
Кл.слова: ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ, ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Иванов, М. Г. Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы / М. Г. Иванов, И. А. Меркулов, Ал. Л. Эфрос. - С.628–633. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДОНОРНЫЕ ЦЕНТРЫ, КУЛОНОВСКИЕ ЦЕНТРЫ
Кучинский, П. В. О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии / П. В. Кучинский [и др.]. - С.634–637. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ломако В. М., Рутковский И. З., Счастный В. В., Тарасевич А. Д., Шахлевич Л. Н.
Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Артамонов, О. А. Низкоэнергетические изохроматные спектры кремния / О. А. Артамонов [и др.]. - С.638–641. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дмитриева О. Г., Самарин С. Н., Яковлев И. И.
Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ЗАХВАТЫ, ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНОВ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ
Левин, Е. И. Поперечная прыжковая проводимость аморфных пленок в сильных электрических полях / Е. И. Левин, И. М. Рузин, Б. И. Шкловский. - С.642–653. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРЫЖКОВЫЙ ТРАНСПОРТ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Мастеров, В. Ф. ЭПР связанных дырок в GaAs‹Mn› / В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, М. Н. Барбашов. - С.654–656. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ПЕРЕХОДЫ, СПЕКТРЫ
Гарбузов, Д. З. Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (lambda=1.3 мкм) и InGaAsP/GaAs (lambda=0.85 мкм) / Д. З. Гарбузов [и др.]. - С.657–663. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Чалый В. П., Свелокузов А. Е., Халфин В. Б., Тер-Мартиросян А. Л.
Кл.слова: ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, СПЕКТРЫ, ТЕМПЕРАТУРЫ
Вишневская, Б. И. Синие SiC-6H-светодиоды / Б. И. Вишневская [и др.]. - С.664–669. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дмитриев В. А., Коваленко И. Д., Коган Л. М., Морозенко Я. В., Родкин В. С., Сыркин А. Л., Царенков Б. В., Челноков В. Е.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПЕРЕХОДЫ, ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
Андрианов, Д. Г. Осцилляции Шубникова–де-Гааза в Pb1-xMnxTe / Д. Г. Андрианов [и др.]. - С.670–674. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Белоконь С. А., Климонский С. О. , Лакеенков В. М.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, СВОБОДНЫЕ ДЫРКИ, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Бочкарева, Л. В. Концентрационная зависимость коэффициента термоэдс эпитаксиальных пленок Pb0.8Sn0.2Te / Л. В. Бочкарева, С. П. Зимин. - С.675–678. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СЛОИ, ДЕФОРМАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
Астров, Ю. А. Урбаховский характер спектров примесного оптического поглощения полупроводника за счет кулоновского взаимодействия центров / Ю. А. Астров, Л. М. Порцель. - С.679–685. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ПРИМЕСНЫЕ ЗОНЫ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Соловьев, В. Н. Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии / В. Н. Соловьев, В. А. Хрисанов. - С.686–691. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ВЕЩЕСТВА, ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССОРЫ, СТРУКТУРНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Аёшин, А. И. Влияние интенсивности облучения быстрыми нейтронами на процессы дефектообразования в кремнии / А. И. Аёшин [и др.]. - С.692–696. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Антонова И. В., Васильев А. В., Панов В. И., Шаймеев С. С.
Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, РАЗУПОРЯДОЧЕННЫЕ ОБЛАСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гацкевич, Е. И. Электронная проводимость расплавов кремния и германия / Е. И. Гацкевич, В. Л. Малевич. - С.697–699. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАВЛЕНИЯ, СТРУКТУРНЫЕ ФАКТОРЫ, МОДЕЛЬ ТВЕРДЫХ СФЕР
Мехтиев, Н. М. Уровни прилипания для электронов в ZnIn2Se4 / Н. М. Мехтиев, З. З. Гусейнов. - С.700–703. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, РЕКОМБИНАЦИИ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Резников, Б. И. Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения / Б. И. Резников, Г. В. Царенков. - С.704–709. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДРЕЙФЫ НОСИТЕЛЕЙ, ДИФФУЗИИ, ПОТОКИ ЭЛЕКТРОНОВ
Лаврушин, Б. М. Поглощение света в полупроводниковых соединениях AIIIBV p-типа / Б. М. Лаврушин, Р. Ф. Набиев, Ю. М. Попов. - С.710–715. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ ПОГЛОЩЕНИЯ, ПЕРЕХОДЫ, СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ
Литовский, Р. Н. Влияние инверсионного слоя на туннельную полевую генерацию носителей тока в МДП структурах / Р. Н. Литовский. - С.716–722. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕЖЗОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ ОБЕДНЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Архипов, В. И. Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As2Se3 / В. И. Архипов [и др.]. - С.723–727. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Казакова Л. П., Лебедев Э. А., Руденко А. И.
Кл.слова: НЕРАВНОВЕСНЫЕ ДЫРКИ, ДИСПЕРСИОННЫЕ ПЕРЕНОСЫ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ
Богданов, С. В. Многоэкситонно-примесные комплексы в 6H-SiC / С. В. Богданов, В. А. Губанов. - С.728–730. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, РЕКОМБИНАЦИИ
Александров, П. А. Исследование распределения аморфной и кристаллической фазы ионно-синтезированного SiC в Si / П. А. Александров [и др.]. - С.731–733. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Баранова Е. К., Городецкий А. Е., Демаков К. Д., Кутукова О. Г., Шемардов С. Г.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ СЛОИ, ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ
Баранюк, В. В. Эффект усиления фототока в гетероструктуре In2O3–α-Si : H–Si / В. В. Баранюк [и др.]. - С.733–735. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Комиссаров Г. П., Манассон В. А., Шустер Э. М.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ФОТОНОСИТЕЛИ, ОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ
Греков, Е. В. Определение плотности локализованных состояний в α-Si : H из измерений токов, ограниченных пространственным зарядом / Е. В. Греков, О. Г. Сухоруков. - С.735–737. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зарифьянц, Ю. А. Фотоиндуцированные метастабильные состояния в α-SixC1-x : H / Ю. А. Зарифьянц [и др.]. - С.738–739. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Карягин С. Н., Коробов О. Е., Лупачева А. Н.
Кл.слова: АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, СПИНОВЫЕ ЦЕНТРЫ
Кольченко, Т. И. О дефектах, возникающих в n-InP при низкотемпературном облучении / Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз. - С.740–741. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, СТРУКТУРЫ, ПАРЫ ФРЕНКЕЛЯ
Кристофель, Н. Н. Когерентный фотовольтаический эффект в поле эллиптически поляризованной световой волны / Н. Н. Кристофель, А. Г. Пищев. - С.742–744. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КВАНТОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ФОТОТОКИ, ЭЛЕКТРОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ
Дедулевич, С. Особенности электропроводности p-Ge в переменном слабогреющем электрическом поле / С. Дедулевич [и др.]. - С.744–747. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Канцлерис Ж., Мартунас З., Шяткус А.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ НЕЛИНЕЙНОСТЕЙ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Дабагян, А. В. Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии n-типа при низкотемпературном гамма-облучении / А. В. Дабагян, В. В. Емцев. - С.747–750. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ, ИЗОХРОННЫЙ ОТЖИГ
Артемьев, В. А. Модель кинетики формирования областей разупорядочения в полупроводниках с учетом деформаций / В. А. Артемьев, В. В. Михнович, С. Г. Титаренко. - С.750–753. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, ДЕФЕКТЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Герасименко, Н. Н. Конверсия типа проводимости в слоях p-InAs, облученных ионами аргона / Н. Н. Герасименко [и др.]. - С.753–755. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мясников А. М., Нестеров А. А., Ободников В. И., Сафронов Л. Н., Хрящев Г. С.
Кл.слова: ДОНОРНЫЕ ЦЕНТРЫ, ПЕРЕХОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Белобородов, П. Ю. Влияние процессов перезарядки глубоких центров на задержку пробоя арсенид-галлиевых π–γ–n-структур, компенсированных железом / П. Ю. Белобородов, О. П. Толбанов, С. С. Хлудков. - С.755–758. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЕРЕХОДЫ, ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ ДИФФУЗИИ, НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ
Антоненко, В. И. Идентификация пространственной локализации пограничных состояний в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора / В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко. - С.758–761. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, СПЕКТРОСКОПИИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ
Доросинец, . Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии / В. А. Доросинец [и др.]. - С.761–763. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Поклонский Н. А., Самуйлов В. А., Стельмах В. Ф.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, НЕУСТОЙЧИВОСТИ, ВОЛЛНЫ
Бочков, А. В. Нелинейная теория аномальных температурных полей в твердых телах / А. В. Бочков, О. Л. Машкевич. - С.764–766. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕМПЕРАТУРЫ
Лашкарев, Г. В. Магнитная восприимчивость и термоэдс вблизи фазового перехода в твердом растворе PbTe1-xSx / Г. В. Лашкарев [и др.]. - С.766–768. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бродовой А. В., Радченко М. В., Демин В. Н., Гаськов А. М.
Кл.слова: УЗКОЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, АНОМАЛИИ
Дыкман, И. М. Электромагнитные волны в сверхрешетке многодолинного полупроводника, образованной когерентными волнами / И. М. Дыкман, П. М. Томчук. - С.768–772. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КУЛОНОВСКИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, ДОЛИНЫ, КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ
Неустроев, Л. Н. К теории эффекта Холла в сетке инверсионных каналов / Л. Н. Неустроев. - С.773–774. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ, ХОЛЛОВСКИЕ ТОКИ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

5.
Шифр: Ф8/1990/24/1
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1990р. т.24 N 1
Зміст:
Гальперин, Ю. М. Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах : обзор / Ю. М. Гальперин [и др.]. - С.3–24. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гершензон Е. М., Дричко И. Л., Литвак-Горская Л. Б.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, КОНЦЕНТРАЦИИ ДОНОРОВ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Кулиш, Н. Р. Нелинейность краевого поглощения CdSe / Н. Р. Кулиш [и др.]. - С.25–29. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Лисица М. П., Малыш Н. И., Булах Б. М.
Кл.слова: ЛАЗЕРНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Хакимов, З. М. Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии / З. М. Хакимов [и др.]. - С.29–36. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Пулатова Д. С., Адилов М. К., Махмудов А. Ш., Левин А. А., Юнусов М. С.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Глобус, Т. Р. Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны / Т. Р. Глобус, А. О. Олеск, С. А. Олеск. - С.37–44. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ, СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ, ПОРОГОВЫЕ ЭНЕРГИИ
Витман, Р. Ф. Проявление скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при gamma-облучении / Р. Ф. Витман [и др.]. - С.45–50. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Витовский Н. А., Машовец Т. В, Налбандян Л. В.
Кл.слова: АКЦЕПТОРНЫЕ ЦЕНТРЫ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Брандт, Н. Б. Гальваномагнитные эффекты в сплаве p-Pb1-xSnxTe (x=0.2), облученном электронами / Н. Б. Брандт [и др.]. - С.51–58. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Скипетров Е. П., Слынько Е. И., Хорош А. Г., Штанов В. И.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, МОНОКРИСТАЛЛЫ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
Васько, Ф. Т. Поляризованная люминесценция размерно-квантованных гетероструктур / Ф. Т. Васько, Г. И. Стебловский. - С.59–65. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ, ПЕРЕХОДЫ, КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
Мельникова, Ю. С. О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+—n-переходов / Ю. С. Мельникова. - С.66–71. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ПЛОТНОСТИ ТОКОВ, ДЫРКИ
Ахметов, В. Д. Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами / В. Д. Ахметов [и др.]. - С.72–76. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Болотов В. В., Камаев Г. Н., Смирнов Л. С.
Кл.слова: ЛЕГИРУЮЩИЕ ПРИМЕСИ, ВАКАНСИИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Быковский, В. А. Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений / В. А. Быковский [и др.]. - С.77–81. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванютин Л. А., Кольченко Т. И., Ломако В. М., Цыпленков И. Н., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В.
Кл.слова: ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ГЛУБОКИЕ УРОВНИ, ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
Акимов, А. В. Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs / А. В. Акимов [и др.]. - С.82–92. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Жиляев Ю. В., Криволапчук В. В., Шофман В. Г.
Кл.слова: ФОСФОРЕСЦЕНЦИИ, ДЫРКИ, ГЛУБОКИЕ УРОВНИ
Баженов, Н. Л. Фотолюминесценция твердых растворов Cd0.4Hg0.6Te / Н. Л. Баженов [и др.]. - С.93–97. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гельмонт Б. Л., Иванов-Омский В. И., Ижнин А. И., Смирнов В. А.
Кл.слова: СПЕКТРЫ, ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ, КВАНТОВЫЕ ВЫХОДЫ
Баранов, А. Н. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs / А. Н. Баранов [и др.]. - С.98–103. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дахно А. Н., Джуртанов Б. Е., Лагунова Т. С., Сиповская М. А., Яковлев Ю. П.
Кл.слова: ДЫРОЧНЫЕ ПРОВОДИМОСТИ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ
Дубков, В. П. Влияние давления на электрофизические свойства Pb1-xSnxSe (x=0.25), облученного электронами, в диэлектрической фазе / В. П. Дубков, Е. П. Скипетров. - С.104–108. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ, СПЛАВЫ, ПРОВОДИМОСТИ
Вяткин, А. П. Тензоэлектрические явления в контактах металл—арсенид галлия при анизотропном давлении / А. П. Вяткин [и др.]. - С.109–114. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: , Максимова Н. К., Филонов Н. Г., Филатов В. И.
Кл.слова: ДИОДЫ, БАРЬЕРЫ ШОТТКИ, ГИСТЕРЕЗИСЫ
Рыжий, В. И. К теории полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой / В. И. Рыжий, Е. А. Семыкина. - С.115–120. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Баранский, П. И. Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe / П. И. Баранский [и др.]. - С.121–125. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Беляев А. Е., Городничий О. П., Комиренко С. М.
Кл.слова: ПОДВИЖНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ, КРИСТАЛЛЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Вейс, А. Н. Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком / А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко. - С.126–130. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ТЕРМОЭДС, СПЕКТРАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Алешкин, В. Я. Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой / В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов. - С.131–135. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОДЗОНЫ, ГЕНЕРАЦИИИ, ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ
Абдукадыров, А. Г. Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках / А. Г. Абдукадыров, С. Д. Барановский, Е. Л. Ивченко. - С.136–143. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ, ГЕНЕРАЦИИ
Кайданов, В. И. Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии / В. И. Кайданов, С. А. Рыков, М. А. Рыкова. - С.144–151. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОБЪЕМНЫЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ, ГИСТЕРЕЗИСЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Алфёров, Ж. И. Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском / Ж. И. Алфёров [и др.]. - С.152–158. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванов С. В., Копьев П. С., Леденцов Н. Н., Луценко М. Э., Мельцер Б. Я., Неменов М. И., Устинов В. М., Шапошников С. В.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОРОГОВЫЕ ПЛОТНОСТИ ТОКОВ, СТРУКТУРЫ
Гольдман, Е. И. Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник—диэлектрик / Е. И. Гольдман [и др.]. - С.159–165. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ждан А. Г., Клочкова А. М., Маркин Ю. В.
Кл.слова: СТРУКТУРЫ, ПОГРАНИЧНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ТУННЕЛЬНЫЕ ОПУСТОШЕНИЯ
Либенсон, Б. Н. Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике / Б. Н. Либенсон, М. Т. Нормурадов, А. С. Рысбаев. - С.166–170. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ ИОНЫ, ГЕНЕРАЦИИ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СДВИГИ
Любченко, А. В. Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке / А. В. Любченко, К. А. Мысливец, Я. М. Олих. - С.171–174. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ВРЕМЯ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Соколина, Г. А. Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок / Г. А. Соколина [и др.]. - С.175–180. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ботев А. А., Буйлов Л. Л., Банцеков С. В., Лазарева О. И., Белянин А. Ф.
Кл.слова: ХИМИЧЕСКАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, ПОЛИКРИСТАЛЛЫ, ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТИ
Михнович, В. В. Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах / В. В. Михнович, Т. В. Фирсова. - С.181–184. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ОБЛУЧЕНИЯ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Иванюкович, В. А. Низкотемпературное облучение арсенида галлия / В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако. - С.185–187. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, БАРЬЕРЫ ШОТТКИ
Колин, Н. Г. Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арсенида галлия / Н. Г. Колин [и др.]. - С.187–189. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Королева И. А., Марков А. В., Освенский В. Б.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, МЕТОД ХОЛЛА, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Григорьев, Н. Н. Кинетика нарастания и спада концентрации носителей при импульсном фотовозбуждении неоднородных полупроводников / Н. Н. Григорьев, Т. А. Кудыкина, А. В. Любченко. - С.190–192. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИИ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ВКЛЮЧЕНИЯ
Гертович, Т. С. Поляриметрический фотоприемник / Т. С. Гертович [и др.]. - С.192–193. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гринева С. И., Комиссаров Г. П., Манассон В. А., Огородник А. Д., Товстюк К. Д., Шарлай Е. С.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ, ФОТОПЛЕОХРОИЗМ
Авакянц, Л. П. Определение концентрации марганца в твердых растворах Hg1-xMnxTe методом электроотражения / Л. П. Авакянц [и др.]. - С.193–196. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Александрович С. В., Велиюлин Э. И., Ефимов А. Д., Холина Е. Н., Чапнин В. А.
Кл.слова: КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ, ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ, СПЕКТРЫ
Васильев, В. П. Зеемановское расщепление 3Г8--состояния мелких акцепторов в германии / В. П. Васильев [и др.]. - С.196–198. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гельмонт Б. Л., Голубев В. Г., Иванов-Омский В. И., Кропотов Г. И.
Кл.слова: ДЫРКИ, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гельмонт, Б. Л. Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках / Б. Л. Гельмонт, А. В. Родина, Ал. Л. Эфрос. - С.198–201. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДОНОРЫ, РАДИАЛЬНЫЕ ФУНКЦИИ, ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ
Алфёров, Ж. И. (Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см2) и 0.73 мкм (350 A/см2) с легированной квантовой ямой / Ж. И. Алфёров [и др.]. - С.201–203. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванов С. В., Копьев П. С., Леденцов Н. Н., Мельцер Б. Я., Луценко М. Э.
Кл.слова: ПОРОГОВЫЕ ПЛОТНОСТИ ТОКОВ, ЛАЗЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Арутюнян, В. М. Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках / В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян. - С.203–206. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДИФФУЗИОННЫЕ УРАВНЕНИЯ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, СИЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

6.
Шифр: Ф8/1991/25/4
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1991р. т.25 N 4
Зміст:
Сюй, Син. Новый метод экспериментальной проверки модели инверсионного слоя аномального эффекта Холла при комнатной температуре / Син Сюй, Ван Си-фу. - С.577-581. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА, ПРИПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Асеев, А. Л. Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облучении кристаллов Si и Ge электронами в высоковольтном электронном микроскопе / А. Л. Асеев, С. Г. Денисенко, Л. И. Федина. - С.582-587. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КИНЕТИКА РОСТА ДЕФЕКТОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ПАРЫ ФРЕНКЕЛЯ
Глазов, В. М. Структурные превращения при нагреве монокристаллов кремния / В. М. Глазов [и др.]. - С.588-595. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кольцов В. Б., Куцова В. З., Регель А. Р., Таран Ю. Н., Тимошина Г. Г., Узлов К. И., Фалькевич Э. С.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Качурин, Г. А. Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов P+ в кремний / Г. А. Качурин [и др.]. - С.596-600. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Тысченко И. Е., Мажирин А. П., Федина Л. И.
Кл.слова: ДИФФУЗИИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ГЕНЕРАЦИИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ
Гусев, Г. М. Квантовый перенос в delta-легированных слоях GaAs / Г. М. Гусев [и др.]. - С.601-607. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Квон З. Д., Лубышев Д. И., Мигаль В. П., Погосов А. Г.
Кл.слова: ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА, РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ, СТРУКТУРЫ
Адамсон, П. В. О роли фотоактивного поглощения собственной люминесценции в полосковых многопроходных гетероструктурах / П. В. Адамсон. - С.608-611. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ПОРОГОВЫЕ НАКАЧКИ, ЛАЗЕРЫ
Кадушкин, В. И. Фаза осцилляций магнитокинетических коэффициентов вырожденных двумерных электронов / В. И. Кадушкин, В. А. Кульбачинский. - С.612-616. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, КВАНТОВЫЕ ОСЦИЛЛЯЦИИ, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Цэндин, К. Д. Спектры собственных дефектов с отрицательной энергией корреляции в легированных халькогенидных стеклообразных полупроводниках / К. Д. Цэндин. - С.617-623. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ, НЕМОНОТОННЫЕ СПЕКТРЫ, ПРОВОДИМОСТИ ПЛЕНОК
Бродовой, В. А. Акустическая эмиссия биполярных транзисторов в импульсном режиме / В. А. Бродовой [и др.]. - С.624-627. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Воскобойников А. М., Лысенко А. Е., Нелуп В. А.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ГЕНЕРАЦИИ ИМПУЛЬСОВ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Покутний, С. И. Размерное квантование электронно-дырочной пары в квазинульмерных полупроводниковых структурах / С. И. Покутний. - С.628-632. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МИКРОКРИСТАЛЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ
Атакулов, Ш. Б. Механизм термической деградации фоточувствительных слоев PbS / Ш. Б. Атакулов, К. Э. Онаркулов, М. Х. Рахманкулов. - С.633-636. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ, ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
Рыжий, В. И. Неоднозначность вольт-амперных характеристик биполярных гетеротранзисторов с туннельно-резонансным эмиттером / В. И. Рыжий, И. И. Хмырова. - С.637-643. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛОВ, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПРОВОДИМОСТИ
Баграев, Н. Т. Фрактально-диффузионные p-n-переходы в кремнии / Н. Т. Баграев [и др.]. - С.644-654. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Клячкин Л. Е., Маляренко А. М., Суханов В. Л.
Кл.слова: ЛЕГИРОВАНИЕ, МЕХАНИЗМЫ ДИФФУЗИИ, КВАНТОВАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ
Крючков, С. В. Влияние термополевой ионизации примесей на проводимость сверхрешетки / С. В. Крючков, Г. А. Сыродоев. - С.655-659. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИЗОТРОПНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Бычковский, Д. Н. Теория "моттовского" плато на вольт-фарадной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом / Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов, М. М. Панахов. - С.660-669. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СТРУКТУРЫ, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЗАПИРАЮЩИЕ СМЕЩЕНИЯ
Артамонов, В. В. Механические напряжения в гетероэпитаксиальном GaAs, выращенном на Si-подложке / В. В. Артамонов [и др.]. - С.670-676. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бачериков Ю. Ю., Лашкевич Е. Г., Нечипорук Б. Д., Садофьев Ю. Г.
Кл.слова: ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ, МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Гришечкина, С. П. Резонансный внутрицентровый переход в теллуриде свинца, легированном галлием / С. П. Гришечкина [и др.]. - С.677-683. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Журавлев А. А., Моллманн К. -П., Херрманн К. Х.
Кл.слова: СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ФОТОПРОВОДИМОСТИ, ПОГЛОЩЕНИЯ
Абдуллин, Х. А. Исследование рекомбинационно-ускоренного отжига радиационных дефектов в кремнии / Х. А. Абдуллин, Б. Н. Мукашев, М. Ф. Тамендаров. - С.684-688. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРОСКОПИЯ, ГЛУБОКИЕ УРОВНИ, МЕЖДОУЗЕЛЬНЫЕ АТОМЫ
Касиян, А. И. Подвижность 2D-электронов при их рассеянии на связанных плазмон-фононных колебаниях / А. И. Касиян, И. В. Сур, И. И. Балмуш. - С.689-694. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КИНЕТИЧЕСКИЕ УРАВНЕНИЯ, ЭКРАНИРОВАНИЕ, ДВУМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ
Воронков, В. П. Температурная зависимость вольт-амперных характеристик контактов Pd-GaAs, подвергнутых лазерному отжигу / В. П. Воронков [и др.]. - С.695-698. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Вяткин А. П., Кулешов С. М., Муленков С. Ю.
Кл.слова: КОНТАКТНЫЕ СТРУКТУРЫ, ДИОДЫ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ
Сысоев, Б. И. Свойства границы раздела InAs-тонкий полуизолирующий слой In2S3 / Б. И. Сысоев [и др.]. - С.699-703. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Агапов Б. Л., Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Прокопова Т. В., Фетисова С. В.
Кл.слова: ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПЕРЕХОДНЫЕ ОБЛАСТИ
Нифтиев, Г. М. Оптические свойства монокристаллов MnGa2Se4 / Г. М. Нифтиев [и др.]. - С.704-707. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Тагиев О. Б., Зейналов Э. З., Алиев Б. Д.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ПОЛУМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Сысоев, Б. И. Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою / Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, М. М. Кипнис. - С.708-712. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ БАРЬЕРЫ
Акимов, А. В. Экспериментальное наблюдение дырок в n-GaAs, высвободившихся в результате оже-распада локализованных состояний / А. В. Акимов [и др.]. - С.713-717. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Жиляев Ю. В., Криволапчук В. В., Полетаев Н. К., Шофман В. Г.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ПЕРЕХОДНЫЕ ОБЛАСТИ ЗАТУХАНИЯ, ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Гавриленко, В. И. Индуцированное циклотронное излучение тяжелых дырок в одноосно деформированном германии / В. И. Гавриленко [и др.]. - С.718-722. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Калугин Н. Г., Красильник З. Ф., Никоноров В. В., Стариков Е. В., Шикторов П. Н.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ГЕНЕРАЦИИ, ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ
Болотов, В. В. Формирование распределений E-центров на границе областей пространственного заряда при отжиге облученных диодов Шоттки / В. В. Болотов, В. А. Стучинский. - С.723-728. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОДВИЖНЫЕ ДЕФЕКТЫ, ЗОННЫЙ КРЕМНИЙ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Пикус, Ф. Г. Максимальная низкотемпературная подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах с широким спейсерным слоем. Моделирование на ЭВМ / Ф. Г. Пикус. - С.729-735. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОРРЕЛЯЦИИ, ЭКРАНИРОВАНИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Балтрамеюнас, Р. Изменение оптических свойств кристаллов кремния в пикосекундном временном диапазоне / Р. Балтрамеюнас [и др.]. - С.736-739. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Велецкас Д., Нятикшис В., Пятраускас М., Скайстис Э.
Кл.слова: ДИФРАКЦИИ СВЕТА, ИМПУЛЬСЫ ВОЗМУЩЕНИЙ, ГОЛОГРАММЫ
Крючков, С. В. Увлечение электронов солитонами в сверхрешетке при ионизации примесных центров / С. В. Крючков. - С.740-742. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПЕРЕХОДЫ, МИНИ-ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ
Чекурин, В. Ф. Пьзорезистивный эффект при динамическом деформировании многодолинных полупроводников / В. Ф. Чекурин. - С.743-445. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ТОКОВ, КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ, НЕЛИНЕЙНЫЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УРАВНЕНИЯ
Лигер, В. В. Тиристорный эффект в фоточувствительных структурах n-p-n-p на PbTe, созданных методом ионной имплантации / В. В. Лигер. - С.745-747. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОДИОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, КРИСТАЛЛЫ
Яфясов, А. М. Исследование скоростей заполнения квантовых подзон ОПЗ узкощелевых полупроводников (CdHg)Te / А. М. Яфясов, А. Д. Перепелкин. - С.748-750. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ, ПЛОТНОСТИ ЗАРЯДОВ
Чихрай, Е. В. К вопросу о повышении разрешающей способности метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней / Е. В. Чихрай, Х. А. Абдуллин. - С.751-753. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ВЕСОВЫЕ ФУНКЦИИ, СПЕКТРЫ
Леднева, Е. С. Спектры фотоэмиссии из металла в p-Ge при низких температурах / Е. С. Леднева. - С.753-756. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СТРУКТУРЫ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МЕТОД, СПЕКТРАЛЬНЫЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ
Бабенцов, В. Н. Поведение остаточной примеси Li в высокоомном теллуриде кадмия при кратковременном отжиге / В. Н. Бабенцов [и др.]. - С.756-760. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Горбань СИ., Жовнир Г. И., Рашковецкий ЛВ.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ИЗМЕНЕНИЯ ПРОВОДИМОСТЕЙ
Аждаров, Г . Х. Подвижность электронов в твердых растворах германий-кремний при рассеянии на фононах и беспорядках сплава / Г . Х. Аждаров, Н. А. Агаев, Р. А. Кязимзаде. - С.760-762. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ТЕОРИЯ БРУКСА
Вавилов, В. С. Люминесценция эпитаксиальных слоев 6H-SiC, облученных быстрыми электронами / В. С. Вавилов [и др.]. - С.762-766. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Водаков Ю. А., Иванов А. И., Мохов Е. Н., Роенков А. Д., Чукичев М. В., Веренчикова Р. Г.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ОБЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

7.
Шифр: Ф8/1991/25/6
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1991р. т.25 N 6
Зміст:
Бейсюк, П. П. Равновесные свойства твердых растворов Cd1-xMgxTe / П. П. Бейсюк [и др.]. - С.961-964. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Савицкий А. В., Илащук М. И., Руснак Н. И., Власюк В. И., Парфенюк О. А.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРИМЕСИ
Соловьева, Е. В. Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства эпитаксиальных гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP / Е. В. Соловьева [и др.]. - С.965-969. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мильвидский М. Г., Белогорохов А. И., Виноградова Г. И., Гогаладзе Д. Т., Долгинов Л. М., Малькова Н. В., Новикова В. М., Осипова А. Н.
Кл.слова: ФОНОНЫ, РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ, ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ
Мякенькая, Г. С. Обобщенная микроскопическая модель аномального мюония и его водородного аналога в кремнии / Г. С. Мякенькая ; . - С.970-975. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КОНФИГУРАЦИИ, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ
Масленников, Н. М. К вопросу о величине напряжения пробоя p-n-переходов в кремнии / Н. М. Масленников. - С.976-978. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ИОНИЗАЦИИ, ДЕФЕКТЫ, ПЛАСТИНЫ
Немов, С. А. Особенности явлений переноса в PbTe, легированном одновременно Tl и Si / С. А. Немов, М. К. Житинская, В. И. Прошин. - С.979-982. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ УДЕЛЬНОЙ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ, КОНЦЕНТРАЦИИ ДЫРОК, ПРИМЕСИ
Джафарова, С. З. Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe / С. З. Джафарова [и др.]. - С.983-989. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Рагимова Н. А., Абуталыбов Г. И., Гусейнов А. М., Абдинов А. Ш.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ИЗЛУЧЕНИЙ, СЛОИСТЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЭКРАНИРОВАНИЕ
Рытова, Н. С. Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов / Н. С. Рытова. - С.990-996. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕКОМБИНАЦИИ, ПАССИВАЦИИ, ПРИМЕСИ
Емцев, В. В. Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии / В. В. Емцев [и др.]. - С.997-1003. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Клингер П. М., Фистуль В. И., Шмарцев Ю. В.
Кл.слова: ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ, АКЦЕПТОРНЫЕ КОМПЛЕКСЫ, СМЕЩЕНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ
Миргородский, В. И. О влиянии центров захвата на акустоэлектронное взаимодействие в фотопроводящем сульфиде кадмия / В. И. Миргородский, С. В. Пешин. - С.1004-106. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКИ, СВОБОДНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ, ОПТИЧЕСКИЕ ПОДСВЕТКИ
Пузин, И. Б. Об определении концетрации легирующей примеси в активном слое ДГС лазеров из емкостных измерений / И. Б. Пузин. - С.1007-1013. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПЕРЕХОДЫ, ВОЛЬТ-ФАРАДНОЕ ПРОФИЛИРОВАНИЕ
Трифонова, М. М. Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец-ртуть-теллур n-типа / М. М. Трифонова, Н. С. Барышев, М. П. Мезенцева. - С.1014-1017. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ ХОЛЛА, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, СЛОИСТЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Птащенко, А. А. О возможном механизме появления отрицательного сопротивления p-n-гетеропереходов с глубокими уровнями / А. А. Птащенко, Н. В. Мороз, В. И. Будулак. - С.1018-1021. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ, ОБЕДНЕННЫЕ СЛОИ
Винокуров, Д. А. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе / Д. А. Винокуров [и др.]. - С.1022-1029. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Лантратов В. М., Синицын М. А., Улин В. П., Фалеев Н. Н., Федорова О. М., Шайович Я. Л., Явич Б. С.
Кл.слова: ДЕФЕКТНОСТИ, СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Паносян, Ж. Р. Размерно-квантованные поверхностные экситоны на границе раздела CdTe-электролит / Ж. Р. Паносян, З. А. Касаманян, Г. Ш. Шмавонян. - С.1030-1033. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, КУЛОНОВСКИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ ПОДЗОНЫ
Томашюнас, Р. Фотопроводимость в пленках PbS при возбуждении пикосекундными импульсами света / Р. Томашюнас [и др.]. - С.1034-1039. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Пятраускас М., Вайткус Ю., Синюс Я., Гашка Р., Власкин А.
Кл.слова: ТЕРМООТЖИГ ПЛЕНОК, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ, РЕКОМБИНАЦИИ
Куряева, Р. Г. Исследование под давлением края полосы поглощения полупроводников в камере с алмазными наковальнями / Р. Г. Куряева, В. А. Киркинский, Б. А. Фурсенко. - С.1040-1046. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Алешкин, В. Я. Исследование квантовых ям C-V-методом / В. Я. Алешкин [и др.]. - С.1047-1052. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Демидов Е. В., Звонков Б. Н., Мурель А. В., Романов Ю. А.
Кл.слова: ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Вакуленко, О. В. Температурная зависимость интенсивности примесной люминесценции в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации / О. В. Вакуленко, В. Н. Супруненко, В. Д. Рыжиков. - С.1053-1057. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСИ, ПОДСВЕТКИ, ДЫРКИ
Белотелов, С. В. Люминесценция имплантированных слоев Cd0.38Hg0.62Te и диодных структур на их основе / С. В. Белотелов [и др.]. - С.1058-1064. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванов-Омский В. И., Ижнин А. И., Смирнов В. А.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ, ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ
Шикин, В. Вольт-амперная характеристика отдельной заряженной дислокации в полупроводниках / В. Шикин, Ю. Шикина. - С.1065-1067. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ДИОДНЫЕ ЭФФЕКТЫ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Сырбу, Н. Н. Колебательные ИК спектры SiAs / Н. Н. Сырбу [и др.]. - С.1067-1069. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Хачатурова С. Б., Олиференко Н. М., Бурка А., Лукин А. Н.
Кл.слова: ПРОВОДИМОСТЬ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ
Томашюнас, Р. Фотопроводимость сильновозбужденных поликристаллических пленок CdTe / Р. Томашюнас [и др.]. - С.1070-1072. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мастейка Р., Пятраускас М., Жиндулис А., Кутра Й.
Кл.слова: КОРРЕЛЯЦИИ, РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Олешко, Е. В. Особенности изменения электронной структуры теллурида висмута при самоинтеркаляции медью / Е. В. Олешко [и др.]. - С.1073-1075. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Велиюлин Э. И., Козыренко Э. И., Кахраманов С. Ш.
Кл.слова: КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ, ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, ПЕРЕХОДЫ
Абдурахманов, К. П. Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния / К. П. Абдурахманов [и др.]. - С.1075-1078. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Куликов Г. С., Лебедев А. А., Утамурадова Ш. Б., Юсупова Ш. А.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ГЛУБОКИЕ УРОВНИ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Рытова, Н. С. Образование молекул водорода в арсениде галлия n-типа при его гидрогенизации / Н. С. Рытова. - С.1078-1080. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, АТОМАРНЫЙ ВОДОРОД, КОЭФФИЦИЕНТЫ ДИФФУЗИИ
Пашаев, Э. М. Влияние рентгеновского излучения на реальную структуру кристаллов CdxHg1-xTe / Э. М. Пашаев [и др.]. - С.1080-1083. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Каневский В. М., Пурцхванидзе А. А., Перегудов В. Н.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ДИФРАКЦИИ
Громовой, Ю. С. Суперсверхтонкая структура в спектрах ЭПР ионов Eu2+ в тонких пленках PbTe / Ю. С. Громовой, С. В. Пляцко, Г. Е. Костюнин. - С.1083-1085. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Андрианов, А. В. Исследование эпитаксиальных твердых растворов InAs1-x-ySbxPy методом комбинационного рассеяния света / А. В. Андрианов. - С.1086-1088. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ФОНОНЫ
Магомедов, М. - Р. А. Тепловые и электрические свойства пленок CuInSe2, полученных методом испарения из одного или двух источников / М. - Р. А. Магомедов, М. А. Абдуллаев, Дж. Х. Амирханова. - С.1088-1090. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ, ТЕРМОЭДС, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Ремесник, В. Г. О концентрации и подвижности электронов в узкозонных полупроводниковых соединениях AIIBVI p-типа / В. Г. Ремесник, Н. Х. Талипов. - С.1091-1094. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПОСТОЯННАЯ ХОЛЛА, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ
Бойко, И. И. Охлаждение двумерного электронного газа затвором МДП структуры / И. И. Бойко, А. Я. Шик. - С.1094-1097. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕХАНИЗМЫ РЕЛАКСАЦИИ, ФОНОННЫЕ МЕХАНИЗМЫ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
Эпштейн, Э. М. Поле неидеального delta-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Э. М. Эпштейн, Г. М. Шмелев, А. Т. Железняк. - С.1098-1099. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДЫРЫ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ПОЛЯ
Шмаков, С. Л. Расчетные аспекты оптимизации варизонных слоев по выходу люминесценции / С. Л. Шмаков. - С.1099-1103. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ЧИСЛЕННЫЕ РЕШЕНИЯ, ФОТОНЫ
Баженов, Н. Л. Квантовый выход фотолюминесценции в твердых растворах CdxHg1-xTe (0.4 / Н. Л. Баженов [и др.]. - С.1103-1106. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Иванов-Омский В. И., Ижнин А. И., Смирнов В. А.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ДЫРКИ, РЕКОМБИНАЦИИ
Тиман, Б. Л. Изменение свойств контакта в процессе протекания тока в системе In-CdS-In / Б. Л. Тиман, А. П. Карпова, С. М. Селин. - С.1107. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: АНОДНЫЕ КОНТАКТЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ПЕРЕХОДЫ ЭЛЕКТРОНОВ
Козуб, В. И. Новые книги по полупроводникам / В. И. Козуб. - С.1108-1112
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ОБЗОРЫ ЛИТЕРАТУРЫ, КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

Перейти до описів статей

8.
Шифр: Ф8/1992/26/3
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1992р. т.26 N 3
Зміст:
Горфинкель, В. Б. Высокочастотная модуляция выходной мощности полупроводникового лазера на двойной гетероструктуре n+-AlGaAs-GaAs-p*-AlGaAs греющим электрическим полем / В. Б. Горфинкель, И. И. Филатов. - С.401-407. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕТОДЫ МОДУЛЯЦИИ, ВЫХОДНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ, ОДИНОЧНЫЕ ИМПУЛЬСЫ
Соловьева, А. Е. Образование шнура проводимости и пробоя в поликристаллическом оксиде индия / А. Е. Соловьева. - С.408-412. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ, РАЗРУШАЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ
Иванов-Омский, В. И. Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке p-InSb / В. И. Иванов-Омский [и др.]. - С.413-419. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Смирнов В. А., Юлдашев Ш. У., Гадаев О. А., Стрэдлинг Р. А., Фергюсон И.
Кл.слова: ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ, ПОЛОСЫ ИЗЛУЧЕНИЙ, АКЦЕПТОРЫ
Иванов-Омский, В. И. Нейтронное облучение CdхHg1-хTe / В. И. Иванов-Омский [и др.]. - С.420-426. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кутехов Н. В., Смирнов В. А., Юлдашев Ш. У., Гадаев О. А.
Кл.слова: НЕЙТРОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ, ТЕПЛОВЫЕ НЕЙТРОНЫ, ФЛЮЕНС
Баграев, Н. Т. Метастабильность центров марганца в твердых растворах кремний-германий / Н. Т. Баграев [и др.]. - С.427-430. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мирсаатов Р. М., Половцев И. С., Сирожов У., Юсупов А.
Кл.слова: ПРОЦЕССЫ ТУШЕНИЯ, РЕГЕНЕРАЦИЯ, ФОТОПРОВОДИМОСТЬ
Забродский, А. Г. Прыжковая проводимость K=0.3-серии образцов Ge : Ga : эффект насыщения, перескоки по ближайшим соседям и переход к прыжкам с переменной длиной / А. Г. Забродский, А. Г. Андреев, М. В. Алексеенко. - С.431-446. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕТАЛЛ - ИЗОЛЯТОР, ГЕЛИЕВЫЕ ТЕМПЕРАТУРЫ, УРОВНИ ЛЕГИРОВАНИЯ
Бабич, В. М. Образование и свойства термодоноров при отжигах ниже 550°C в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского / В. М. Бабич [и др.]. - С.447-453. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Баран Н. П., Доценко Ю. П., Зотов К. И., Ковальчук В. Б., Максименко В. М.
Кл.слова: ЭФФЕКТ ХОЛЛА, МЕТОД ЭПР, ДОНОРНЫЕ ЦЕНТРЫ
Торчинская, Т. В. Природа нестабильности свечения в светоизлучающих CaP : N-структурах / Т. В. Торчинская, Т. Г. Бердинских, О. Д. Смиян. - С.454-460. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРОСКОПИЯ, ПРЯМЫЕ ТОКИ, ОТЖИГ ДЕФЕКТОВ
Логвинов, Г. Н. Термоэдс в полупроводниковых субмикронных пленках / Г. Н. Логвинов. - С.461-467. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ, ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕМПЕРАТУРА, КОРОТКОЕ ЗАМЫКАНИЕ
Боднарук, О. А. Концентрация собственных носителей и эффективная масса электронов в MnхHg1-хTe / О. А. Боднарук [и др.]. - С.468-472. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Горбатюк И. Н., Остапов С. Э., Раренко И. М.
Кл.слова: ЭНЕРГИЯ ФЕРМИ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ЭМПИРИЧЕСКИЕ ВЫРАЖЕНИЯ
Шматов, А. А. К вопросу о корреляции функции в релаксационной спектроскопии глубоких уровней / А. А. Шматов. - С.473-476. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОРРЕЛЯЦИОННЫЕ ФУНКЦИИ, ВЕСОВЫЕ ФУНКЦИИ, РЕЛАКСАЦИОННЫЕ СИГНАЛЫ
Еремин, В. К. Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур / В. К. Еремин, А. М. Иванов, Н. Б. Строкан. - С.477-480. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ, ВЫСОКООМНЫЙ N-КРЕМНИЙ
Баграев, Н. Т. Цинк в кремнии: фотоиндуцированные реакции / Н. Т. Баграев [и др.]. - С.481-490. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мирсаатов Р. М., Половцев И. С., Юсупов А.
Кл.слова: ЭФФЕКТЫ ТУШЕНИЯ, РЕГЕНЕРАЦИЯ, ФОТОПРОВОДИМОСТЬ
Серженко, Ф. Л. Теория инфракрасных фотоприемников на основе структур n-Si-Si1-хGeх с квантовыми ямами / Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин. - С.491-499. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПОРОГОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
Абрамов, А. А. Распределение концентрации мелких и глубоких заряженных центров в ионно-легированных бериллием слоях фосфида индия / А. А. Абрамов [и др.]. - С.500-505. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Захарикова Л. П., Микуленок А. В., Стоянова И. Г.
Кл.слова: НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
Рудь, В. Ю. Усиление фотоплеохроизма в структурах n-p-CdSiAs2-n-In2O3 / В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, М. Сергинов. - С.506-509. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, ГОМОПЕРЕХОДЫ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
Горшкова, О. В. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1-хSnхS и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями / О. В. Горшкова, И. А. Дрозд, В. И. Стафеев. - С.510-515. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ, ЛЕГИРУЮЩИЕ ПРИМЕСИ
Алешкин, В. Я. Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InхGa1-хAs-GaAs с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин [и др.]. - С.516-521. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Аншон А. В., Бабушкина Т. С., Батукова Л. М., Демидов Е. В., Звонков Б. Н., Кунцевич Т. С., Малкина И. Г., Янькова Т. Н.
Кл.слова: ПЕРЕХОДЫ ЭЛЕКТРОНОВ, РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ, ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ
Дубровский, Ю. В. “Энергетическая квазибаллистика” в микроструктурах с двумерным электронным газом / Ю. В. Дубровский, И. А. Ларкин, С. В. Морозов. - С.522-524. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НЕЛИНЕЙНОЕ ПОВЕДЕНИЕ, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ, ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ
Гукасян, А. М. Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации в арсениде галлия / А. М. Гукасян [и др.]. - С.525-529. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ушаков В. В., Гиппиус А. А., Марков А. В.
Кл.слова: НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЗАРЯДЫ, ПРОЦЕССЫ ДЕГРАДАЦИИ
Прима, Н. А. Упругое рассеяние в многодолинных полупроводниках и его роль в релаксации энергии неравновесных электронов / Н. А. Прима. - С.530-534. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ ДОЛИНЫ, КИНЕТИЧЕСКИЕ УРАВНЕНИЯ, МЕЖДОЛИННОЕ РАССЕЯНИЕ
Карачевцева, Л. А. Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов в двухслойных структурах CdхHg1-хTe / Л. А. Карачевцева, А. В. Любченко, Э. А. Маловичко. - С.535-538. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА, ЭФФЕКТ DELTARHO
Гусев, Г. М. Осцилляции Шубникова-де-Гааза двумерного электронного газа в двумерном периодическом потенциале / Г. М. Гусев [и др.]. - С.539-542. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Квен З. Д., Бесман В. Б., Вильмс П. П., Коваленко Н. В., Мошегов Н. Г., Торопов А. И.
Кл.слова: ДВУМЕРНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ, УРОВНИ ЛАНДАУ, АНОМАЛИИ
Гусинский, Г. М. Шум 1/f, электрические и фотоэлектрические свойства GaAs, подвергнутого облучению ионами высокой энергии / Г. М. Гусинский [и др.]. - С.543-547. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дьяконова Н. В., Левинштейн М. Е., Румянцев С. Л.
Кл.слова: ИОНЫ АЗОТА, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ, АКЦЕПТОРНЫЕ ДЕФЕКТЫ
Бурлак, А. В. Особенности электрофизических характеристик тонких слоев PbS с низким содержанием окислителя / А. В. Бурлак [и др.]. - С.548-550. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Зотов В. В., Игнатов А. В., Тюрин А. В., Цукерман В. Г.
Кл.слова: ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, МЕЖЗЕРЕННЫЕ ГРАНИЦЫ, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
Арутюнян, В. М. О возможности обнаружения поверхностных состояний из спектров фотопроводимости / В. М. Арутюнян [и др.]. - С.550-553. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Варданян С. Х., Димаксян М. Л., Маргарян А. Л., Меликсетян В. А., Саруханян Р. Э.
Кл.слова: ПОВЕРХНОСТНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Аждаров, Г. Х. Акцепторные уровни замещающих атомов примеси меди в кристаллах Ge1-хSiх / Г. Х. Аждаров, Р. З. Кязимзаде, В. В. Мир-Багиров. - С.553-556. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ, ДОНОРНЫЕ УРОВНИ, ЭНЕРГИЯ АКТИВАЦИИ
Магомедов, М. А. Получение и свойства изотипных гетероструктур на основе n-CuInSe2 / М. А. Магомедов [и др.]. - С.556-558. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Медведкин Г. А., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В.
Кл.слова: ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ БАРЬЕРЫ, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Константинова, Н. Н. Оптические гетероконтакты на основе пленок CuInSe2 / Н. Н. Константинова [и др.]. - С.558-562. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Магомедов М. А., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В.
Кл.слова: ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Вирт, И. С. Твердофазное лазерное легирование монокристаллов CdхHg1-хTe / И. С. Вирт [и др.]. - С.562-565. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кузьма М. С., Шерегий Е. М., Шкумбатюк П. С.
Кл.слова: ПРОХОДИМОСТЬ, ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ, ИНФРАКРАСНАЯ ТЕХНИКА
Вирт, И. С. Свойства n+-p-переходов на основе CdхHg1-хTe, подвергнутых локальной деформации / И. С. Вирт, С. В. Белотелов. - С.565-568. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОДИОДЫ, МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Бойко, М. П. Низкотемпературные аномалии термоэдс PbTe(Tl) / М. П. Бойко, Е. А. Засавицкий. - С.568-571. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СПЛАВЫ, РЕЗОНАНСНОЕ РАССЕЯНИЕ, КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ
Савицкий, В. Г. Рекомбинационное излучение варизонных полупроводников в условиях магнитоконцентрационного эффекта / В. Г. Савицкий, Б. С. Соколовский ; В. И. Новак. - С.571-574. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИСТОЧНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, БЕСКОНЕЧНЫЕ ПЛАСТИНЫ
Голубев, В. Г. Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K / В. Г. Голубев [и др.]. - С.574-577. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Емцев В. В., Клингер П. М., Кропотов Г. И., Шмарцев Ю. В.
Кл.слова: ИЗОВАЛЕНТНЫЕ ПРИМЕСИ, ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ, ПРИМЕСНЫЕ КЛАСТЕРЫ
Катана, П. К. Многофотонное межзонное поглощение лазерного излучения в полупроводниках с участием примесных уровней / П. К. Катана. - С.578. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕОРИЯ ВОЗМУЩЕНИЙ, ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, МОДЕЛЬ ЛУКОВСКОГО
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

9.
Шифр: Ф8/1995/29/2
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1995р. т.29 N 2
Зміст:
Борздов, В. М. Влияние электрон-электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного полевого транзистора: метод Монте-Карло / В. М. Борздов, О. Г. Жевняк, Ф. Ф. Комаров. - С.193-200. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, АЛГОРИТМЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ, КИНЕТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Богданюк, Н. С. Отжиг центров зеленой люминесценции сульфида кадмия / Н. С. Богданюк, Г. Е. Давидюк, А. П. Шаварова. - С.201-208. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ, МОНОКРИСТАЛЛЫ, ИЗОТРОПНЫЕ ЦЕНТРЫ
Калантарова, З. С. Оптическое управление переключением и механизм запирания p-n-i-n+-структуры импульсом напряжения положительной полярности / З. С. Калантарова. - С.209-218. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СТРУКТУРЫ, ДИНИСТОРЫ
Бреслер, М. С. Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/InAsSb/InAsSbP / М. С. Бреслер [и др.]. - С.219-228. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гусев О. Б., Айдаралиев М., Зотова Н. В., Карандашев С. А., Матвеев Б. А., Стусь М. Н., Талалакин Г. Н.
Кл.слова: ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
Грехов, И. В. Механизм формирования стационарных обратных вольт-амперных характеристик МДП структур с переносом заряда / И. В. Грехов, А. Ф. Шулекин, М. И. Векслер. - С.229-234. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДИЭЛЕКТРИКИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ОЖЕ-ИОНИЗАЦИЯ
Нариманов, Е. Е. Влияние поверхностного рассеяния на электропроводность тонкой полупроводниковой пленки в квантующем магнитном поле / Е. Е. Нариманов. - С.235-239. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ, ПРОВОДИМОСТЬ
Сиротюк, С. В. Симметричная ортогонализация остовных блоховских функций в алмазе / С. В. Сиротюк, Ю. Е. Кинаш. - С.240-243. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОСТОВНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ, МЕТОД ИТЕРАЦИИ, ОРТОГОНАЛЬНЫЕ СУММЫ БЛОХА
Венгер, Е. Ф. Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности GaAs / Е. Ф. Венгер [и др.]. - С.244-254. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кириллова С. И., Примаченко В. Е., Чернобай В. А.
Кл.слова: ФОТОЭДС, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, ЭФФЕКТ ФОТОПАМЯТИ
Гулямов, Г. ЭДС горячих носителей, обусловленная сортировкой электронов по энергиям в магнитном поле / Г. Гулямов. - С.255-258. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕРМОЭДС ЭТТИНСГАУЗЕНА, МОНОПОЛЯРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, НАПРЯЖЕНИЕ ХОЛЛА
Кибис, О. В. Влияние квантующего магнитного поля на энергетический спектр электронов в квазидвумерных слоях многодолинных полупроводников / О. В. Кибис. - С.259-270. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ, ДЕФОРМАЦИЯ КРИСТАЛЛОВ, ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ
Иванов, П. А. Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексной проводимости МОП структуры в широком температурном интервале / П. А. Иванов [и др.]. - С.271-277. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Пантелеев В. Н., Самсонова Т. П., Челноков В. Е.
Кл.слова: ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ, ДИЭЛЕКТРИКИ
Вейс, А. Н. Энергетический спектр Pb0.995- ySn0.005NaySe по данным оптического поглощения / А. Н. Вейс, Н. А. Суворова. - С.278-285. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОНЦЕНТРАЦИЯ ДЫРОК, ПРОВОДИМОСТЬ, КОЭФФИЦИЕНТ ПОГЛОЩЕНИЯ
Павлов, Д. А. Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния / Д. А. Павлов [и др.]. - С.286-290. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Шенгуров В. Г., Шенгуров Д. В., Хохлов А. Ф.
Кл.слова: МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ, ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ХОЛЛОВСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ
Кикоин, К. А. Примесные состояния 3 d-ионов в квантовых ямах и сверхрешетках I типа / К. А. Кикоин, Л. А. Манакова. - С.291-305. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ
Каминский, В. В. Влияние gamma-облучения на электрические параметры тонких пленок SmS / В. В. Каминский [и др.]. - С.306-308. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Васильев Л. Н., Горнушкина Е. Д., Соловьев С. М., Сосова Г. А., Володин Н. М.
Кл.слова: ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ, УДЕЛЬНОЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ
Зыков, В. А. Амфотерное поведение висмута в пленках селенида свинца / В. А. Зыков, Т. А. Гаврикова, С. А. Немов. - С.309-315. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ, ЛЕГИРОВАНИЕ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ
Юрьев, В. А. Зависимость характерных размеров крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов от их положения вдоль продольной оси монокристаллического слитка InP:Fe / В. А. Юрьев, В. П. Калинушкин. - С.316-317. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ, КРИСТАЛЛЫ, МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО
Боднарь, И. В. Фотолюминесценция монокристаллов CuAlxIn1-xS2 / И. В. Боднарь [и др.]. - С.318-322. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кесаманлы Ф. П., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В.
Кл.слова: ГАЗОТРАНСПОРТНЫЕ РЕАКЦИИ, ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ
Баринов, Ю. В. Исследование кинетики термостимулированной релаксации объемного заряда в окисле SiO2 структур металл-окисел-полупроводник, облученных gamma-квантами 60Co / Ю. В. Баринов [и др.]. - С.323-327. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Безбородов В. Н., Емельянов В. В., Першенков В. С.
Кл.слова: ОТЖИГИ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛОВУШКИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Бабенцов, В. Н. Трансформация системы дефектов по толщине пластины CdTe при диффузионном легировании галлием / В. Н. Бабенцов, А. И. Власенко, Н. И. Тарбаев. - С.328-334. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ЭКСИТОНЫ, ОТЖИГИ
Абдуллин, Х. А. Исследование вакансионных дефектов в монокристаллическом кремнии, облученном при 77 K / Х. А. Абдуллин, Б. Н. Мукашев. - С.335-345. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРОСКОПИЯ, ПРОВОДИМОСТЬ, СПЕКТРЫ
Ваксман, Ю. Ф. Излучательная рекомбинация в монокристаллах селенида цинка, активированных кислородом / Ю. Ф. Ваксман. - С.346-348. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ, ПОДРЕШЕТКИ, СПЕКТРЫ
Беляев, А. Е. Поперечный электронный транспорт в туннельно-резонансных структурах с двумерными носителями заряда / А. Е. Беляев [и др.]. - С.349-356. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Витусевич С. А., Конакова Р. В., Кравченко Л. Н., Ильин И. Ю.
Кл.слова: АККУМУЛЯЦИОННЫЕ СЛОИ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Богданюк, Н. С. Центры красной люминесценции в монокристаллах CdS и CdS:Cu и их преобразование при электронном облучении / Н. С. Богданюк, Г. Е. Давидюк, А. П. Шаварова. - С.357-361. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРЫ, ЛЕГИРОВАНИЕ, ПОЛОСЫ СВЕЧЕНИЯ
Акчурин, Р. Х. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAs1- x-ySbx Biy/InSb: расчет некоторых физических параметров / Р. Х. Акчурин, О. В. Акимов. - С.362-369. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ, ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЗОНЫ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Балландович, В. С. Емкостная спектроскопия карбида кремния, легированного бором / В. С. Балландович, Е. Н. Мохов. - С.370-377. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ, ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ, ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА
Матвеев, О. А. Особенности выращивания кристаллов CdTe из расплава / О. А. Матвеев, А. И. Терентьев. - С.378-383. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ, ГРАДИЕНТЫ ТЕМПЕРАТУР
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

10.
Шифр: Ф8/1997/31/8
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1997р. т.31 N 8
Зміст:
Воронина, Т. И. Электронный транспорт в гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования твердого раствора / Т. И. Воронина [и др.]. - С.897-901. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Лагунова Т. С., Михайлова М. П., Моисеев К. Д., Сиповская М. А., Яковлев Ю. П.
Кл.слова: ГЕТЕРОСИСТЕМЫ, ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ КАНАЛЫ
Цырлин, Г. Э. Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков / Г. Э. Цырлин [и др.]. - С.902-907. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Петров В. Н., Дубровский В. Г., Поляков Н. К., Типисев С. Я., Голубок А. О., Леденцов Н. Н.
Кл.слова: СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ, МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ, МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Корсунская, Н. Е. Два источника возбуждения фотолюминесценции пористого кремния / Н. Е. Корсунская [и др.]. - С.908-911. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Торчинская Т. В., Джумаев Б. Р., Хоменкова Л. Ю., Булах Б. М.
Кл.слова: ПРОЦЕССЫ СТАРЕНИЯ, СПЕКТРЫ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Цырлин, Г. Э. Люминесцентные свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии / Г. Э. Цырлин [и др.]. - С.912-915. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Петров В. Н., Максимов М. В., Леденцов Н. Н.
Кл.слова: ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, СПЕКТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Шмелев, Г. М. Эффект Холла в квазидвумерных сверхрешетках в неквантующих магнитном и сильном электрическом полях / Г. М. Шмелев, Э. М. Эпштейн, И. И. Маглеванный. - С.916-919. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОПЕРЕЧНЫЕ ПОЛЯ, ТЯНУЩИЕ ПОЛЯ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Агарев, В. Н. Нестационарная термоэдс в многослойных структурах с p-n-переходами / В. Н. Агарев. - С.920-921. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОДНОРОДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ, СВЕРХЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУР
Сизов, Ф. Ф. Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex. Получение и структурные характеристики / Ф. Ф. Сизов [и др.]. - С.922-925. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Козырев Ю. Н., Кладько В. П., Пляцко С.В., Огенко В.М., Шевляков А.П.
Кл.слова: МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ, КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Шашкин, В. И. Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в электрохимической ячейке / В. И. Шашкин [и др.]. - С.926-930. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Каретникова И. Р., Мурель А. В., Нефедов И. М., Шерешевский И. А.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ, НАНОМЕТРЫ, ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Головань, Л. А. Влияние импульсного лазерного облучения на оптические характеристики и фотопроводимость твердых растворов CdHgTe / Л. А. Головань [и др.]. - С.931-935. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кашкаров П. К., Лакеенков В. М., Тимошенко В. Ю.
Кл.слова: НАНОСЕКУНДНЫЕ ИМПУЛЬСЫ, ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
Вирт, И. С. Влияние электрического поля на релаксацию фотопроводимости в кристаллах n-Hg0.8Cd0.2Te / И. С. Вирт. - С.936-938. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЯНУЩИЕ ПОЛЯ, ФОТОПРОЦЕССЫ, НАПРЯЖЕННОСТЬ ПОЛЯ
Максимов, М. В. Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах / М. В. Максимов [и др.]. - С.939-943. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Крестников И. Л., Иванов С. В., Леденцов Н. Н., Сорокин С. В.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ, РАСЧЕТ ЭНЕРГИЙ ПЕРЕХОДОВ
Качлишвили, Х. З. О вычислении коэффициента захвата горячих электронов на отталкивающие центры в условиях игольчатого типа функции распределения / Х. З. Качлишвили, З. С. Качлишвили, Ф. Г. Чумбуридзе. - С.944-946. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КУЛОНОВСКИЙ ЦЕНТР, КОЭФФИЦИЕНТЫ ЗАХВАТА, АППРОКСИМАЦИЯ
Куницын, А. Е. Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрического расплава / А. Е. Куницын [и др.]. - С.947-949. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мильвидская А. Г., Мильвидский М. Г., Чалдышев В. В.
Кл.слова: МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Голант, Е. И. Зависимость резонансной проводимости симметричных двухбарьерных структур от амплитуды высокочастотного поля / Е. И. Голант, А. Б. Пашковский. - С.950-953. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА, КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ, ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОНОВ
Дощанов, К. М. Температурная зависимость электрических свойств поликристаллического кремния в темноте и при воздействии солнечного излучения / К. М. Дощанов. - С.954-956. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ, ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Балагуров, Л. А. Исследование пористого кремния и его старения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и инфракрасной спектроскопии / Л. А. Балагуров [и др.]. - С.957-960. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Павлов В. Ф., Петрова Е. А., Боронина Г. П.
Кл.слова: МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ, СПЕКТРЫ ПОГЛАЩЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Макаренко, Л. Ф. Расчет уровней 2p-состояний термодоноров в кремнии / Л. Ф. Макаренко. - С.961-965. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ, ТЕОРИЯ ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Беляев, А. П. Проводимость, стимулированная осцилляциями температуры в распавшихся твердых растворах сульфида и теллурида кадмия / А. П. Беляев, В. П. Рубец, И. П. Калинкин. - С.966-968. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПЛЕНОК, РЕЛАКСАЦИИ, НЕОДНОРОДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Галкин, Н. Г. Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома / Н. Г. Галкин, А. В. Конченко, А. М. Маслов. - С.969-972. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГИЯ ФОТОНОВ, МЕЖЗОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ПОГЛОЩЕНИЯ
Энтин, М. В Усиление фотогальванического эффекта в двумерно-разупорядоченной среде / М. В Энтин. - С.973-975. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ, СРЕДА ДЫХНЕ, ФЛУКТАЦИИ
Данилова, Т. Н. Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 3/4 мкм / Т. Н. Данилова [и др.]. - С.976-979. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Данилова А. П., Ершов О. Г., Именков А. Н., Колчанова Н. М., Степанов М. В., Шерстнев В. В., Яковлев Ю. П.
Кл.слова: ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ, ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ, ЛАЗЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ
Бестаев, М. В. Рентгеноспектральный микроанализ легированных монокристаллов PbTe и Pb0.8Sn0.2Te / М. В. Бестаев [и др.]. - С.980-982. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Горелик А. И., Мошников В. А., Таиров Ю. М.
Кл.слова: МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ, ОПТОЭЛЕКТРОНИКА, ДИФФУЗИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Лебедев, А. А. Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения / А. А. Лебедев. - С.983-986. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОРЕЗИСТОРЫ, МЕЛКИЕ ДОНОРЫ, СТРУКТУРЫ
Дзамукашвили, Г. Э. Эволюция статической отрицательной дифференциальной проводимости в Ga1-xAlxAs в зависимости от величины поперечного магнитного поля и от состава твердого раствора / Г. Э. Дзамукашвили, З. С. Качлишвили, Н. К. Метревели. - С.987-989. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ПЕРЕХОДЫ, ОСЦИЛЛЯЦИИ ГАННА
Греков, Ю. Б. Инверсия типа проводимости эпитаксиальных пленок твердых растворов PbSnTe при воздействии лазерного излучения допороговой мощности / Ю. Б. Греков, Н. А. Семиколенова, Т. А. Шляхов. - С.990-992. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ЭПИТАКСИЯ, КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА
Наумова, О. В. Природа центров Ec-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости / О. В. Наумова, Л. С. Смирнов, В. Ф. Стась. - С.993-997. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОТЖИГ, КРЕМНИЙ
Антонова, И. В. Исследование процесса формирования кислородных преципитатов в кремнии / И. В. Антонова [и др.]. - С.998-1002. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: , Попов В. П., Шаймеев С. С.
Кл.слова: ИНФРАКРАСНАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ, СЕЛЕКТИВНОЕ ТРАВЛЕНИЕ, МЕЖУЗЕЛЬНЫЙ КИСЛОРОД
Резников, Б. И. Нестационарный фотоэффект в высокоомных чистых сильно смещенных структурах металл-полупроводник и металл--диэлектрик-полупроводник / Б. И. Резников. - С.1003-1010. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ, ТРАНСПОРТНЫЕ УРАВНЕНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Аскеров, И. М. Инжекционные токи в смешанослойных монокристаллах Ga0.5In1.5S3 / И. М. Аскеров, Ф. Ю. Асадов. - С.1011-1012. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ХИМИЧЕСКИЕ ТРАНСПОРТНЫЕ РЕАКЦИИ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Давидюк, Г. Е. Преобразование центров красной и инфракрасной люминесценции при электронном облучении и отжиге монокристаллов CdS и CdS : Cu / Г. Е. Давидюк [и др.]. - С.1013-1016. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Богданюк Н. С., Шаварова А. П., Федонюк А. А.
Кл.слова: ДЕФЕКТЫ, ПОДРЕШЕТКИ, ИЗОХРОННЫЙ ОТЖИГ
Власенко, А. И. Акцепторы в Cd1-xMnxTe (x<0.1) / А. И. Власенко [и др.]. - С.1017-1020. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бабенцов В. Н., Власенко З. К., Свечников С. В., Раренко И. М., Захарук З. И., Никонюк Е. С., Шляховый В. Л.
Кл.слова: ДЕФЕКТЫ, ПРОВОДИМОСТЬ, РЕКОМБИНАЦИЯ
Скипетров, Е. П. Энергетический спектр n-Pb1-xSnxTe (x=0.22), облученного электронами / Е. П. Скипетров, А. Н. Некрасова, А. В. Рязанов. - С.1021-1023. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГИДРОСТАТИЧЕСКОЕ СЖАТИЕ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ОБЛУЧЕНИЕ СПЛАВОВ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

 1-10    11-20   21-29 
 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua