Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Періодичні видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
 Знайдено у інших БД:Книжкові видання (14)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>A=Колесник, С.$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 240
Показані документи с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Шифр: Ф8/1989/23/5
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1989р. т.23 N 5
Зміст:
Алексеев, М. А. Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках : обзор / М. А. Алексеев [и др.]. - С.761–779. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Карлик И. Я., Мирлин Д. Н., Сапега В. Ф.
Кл.слова: ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, РЕЛАКСАЦИИ
Баранов, А. Н. Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в p-GaSb / А. Н. Баранов [и др.]. - С.780–786. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Воронина Т. И., Лагунова Т. С., Тимченко И. Н., Чугуева З. И., Шерстнев В. В., Яковлев Ю. П.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, ПОДВИЖНОСТИ
Воронин, С. Т. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+—nu —pi—n+-структур / С. Т. Воронин [и др.]. - С.787–791. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кравченко А. Ф., Шерстяков А. П., Горбушов К. В.
Кл.слова: ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ, ПЕРЕХОДЫ, ИНЖЕКЦИОННЫЕ УСИЛЕНИЯ
Балтрамеюнас, Р. Исследование оптического усиления в сверхрешетках GaAs—AlxGa1-xAs / Р. Балтрамеюнас [и др.]. - С.792–795. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Вайнерт X., Геразимас Е., Куокштис Э., Хеннебергер Ф.
Кл.слова: СПЕКТРЫ, СТРУКТУРЫ, ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ РЕКОМБИНАЦИИ
Германенко, А. В. Кинетические явления в одноосно деформированном p-Hg1-xCdxTe с varepsilong›0 / А. В. Германенко [и др.]. - С.796–803. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Миньков Г. М., Румянцев Е. Л., Рут О. Э., Инишева О. В.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА, СВОБОДНЫЕ ДЫРКИ, АКЦЕПТОРЫ
Васильев, А. Э. Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия / А. Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров. - С.804–808. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ, ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ
Осипов, В. В. К теории внутризонного оптического поглощения в гетероструктурах с квантовыми ямами / В. В. Осипов, Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин. - С.809–815. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОИОНИЗАЦИИ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ, КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЙ
Гинзбург, Л. П. Проводящая зона в условиях структурного беспорядка / Л. П. Гинзбург. - С.813–819. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ
Кибис, О. В. Влияние деформации на энергетический спектр валентной зоны в двумерных полупроводниковых системах / О. В. Кибис. - С.820–825. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДЫРОЧНЫЕ СПЕКТРЫ, КВАНТУЮЩИЕ ПОТЕНЦИАЛЫ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Карпова, И. В. Оже-рекомбинация в сильно легированном германии / И. В. Карпова, В. И. Перель, С. М. Сыровегин. - С.826–831. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ГЛУБОКИЕ УРОВНИ, ФОНОВЫЕ ПРИМЕСИ, НОСИТЕЛИ
Корнеева, Л. А. Кооперативные эффекты в кильватере быстрых ориентированных частиц в полупроводниках / Л. А. Корнеева, Е. А. Мазур, А. И. Руденко. - С.832–838. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ, ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ, ЭЛЕКТРОН-ДЫРОЧНАЯ ПЛАЗМА
Гашимзаде, Н. Ф. Локализованные электронные состояния на дефектах полупроводниковой сверхрешетки / Н. Ф. Гашимзаде, Е. Л. Ивченко, В. А. Кособукин. - С.839–844. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВЕРХСТРУКТУРЫ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ
Евтихиев, В. П. Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/n-(Al, Ga)As / В. П. Евтихиев [и др.]. - С.845–848. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Копьев П. С., Надточий М. Ю., Устинов В. М.
Кл.слова: СПЕКТРАЛЬНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ, ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПАРЫ
Резников, Б. И. Нестационарный фотоэффект в варизонной m—p—n-структуре I. Распространение импульса неравновесных носителей заряда / Б. И. Резников, Г. В. Царенков. - С.849–856. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ, РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИМПУЛЬСОВ, ОБЪЕМНЫЕ ЗАРЯДЫ
Крючков, С. В. Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей / С. В. Крючков, Г. А. Сыродоев. - С.857–864. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УЗКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЕЙ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
Лукашевич, Т. А. Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении / Т. А. Лукашевич, Л. В. Мизрухин. - С.865–868. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, УРОВЕНЬ ФЕРМИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Медведкин, Г. А. Фотоэффект в гетероструктурах In2O3/CuInSe2, полученных методом термического окисления / Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров. - С.869–872. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРАЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ, ФОТООТВЕТЫ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
Бугай, А. А. Частотная зависимость ширины линии ЭПР в аморфном кремнии в интервале 9/130 ГГц / А. А. Бугай [и др.]. - С.872–874. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Зарицкий И. М., Лукин С. Н., Неймарк Е. И., Кабдин Н. Н.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ, ИОННЫЕ ИМПЛАНТАЦИИ
Лашкарев, Г. В. Особенности поведения примеси хрома в теллуриде свинца / Г. В. Лашкарев [и др.]. - С.874–876. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бродовой А. В., Радченко М. В., Колесник С. П., Вертелецкий П. В.
Кл.слова: УЗКОЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КРИСТАЛЛЫ, ЛЕГИРОВАНИЕ
Абдуллаев, А. А. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, А. З. Гаджиев. - С.876–880. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТРАНСФОРМАЦИИ, МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ
Кузнецов, В. В. Край собственного поглощения AlxGa1-xAs1-yPy / В. В. Кузнецов, В. Н. Разбегаев, Сайд Эль-Гизири. - С.880–881. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ
Лукьянченко, А. И. Отрицательная дифференциальная фотопроводимость. Эффект ИК гашения фотопроводимости / А. И. Лукьянченко. - С.882–885. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИМЕСНЫЕ ПОДСВЕТКИ, ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ, СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Колковский, И. И. Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного n-Si / И. И. Колковский, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша. - С.885–887. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ, РОСТОВЫЕ МИКРОДЕФЕКТЫ
Крутоголов, Ю. К. Исследование зонной структуры твердых растворов In1-xGaxP с использованием фотоэлектрического метода / Ю. К. Крутоголов [и др.]. - С.887–890. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Довженко С. В., Диордиев С. А., Крутоголова Л. И., Кунакин Ю. И., Рыжих С. А.
Кл.слова: СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПЕРЕХОДЫ, ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Бакин, Н. Н. Образование центров E10 (Ec—0.62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-InP при электронном и gamma-облучениях / Н. Н. Бакин [и др.]. - С.890–892. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Брудный В. Н., Пешев В. В., Смородинов С. В.
Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ДИОДЫ, ПАРЫ ФРЕНКЕЛЯ
Аброян, И. А. Ионно-стимулированное восстановление кристаллической структуры GaAs / И. А. Аброян [и др.]. - С.892–894. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Беляков В. С., Крысов Г. А., Титов А. И.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПОДЛОЖКИ, КРИСТАЛЛИЗАЦИИ, ОБЛУЧЕНИЕ ИОНАМИ
Оконечников, А. П. Диффузионная длина дырок в селениде цинка / А. П. Оконечников, Н. Н. Мельник. - С.894–896. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФОТОЭФФЕКТЫ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДОВ
Лебедев, А. А. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в p+—p0—pi—n0-структурах арсенида галлия / А. А. Лебедев [и др.]. - С.897–899. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Митрохин В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Степанова М. Н., Ярославцев Н. П.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ПРИМЕСИ, МЕТОД ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ
Акимов, Б. А. Динамика движения рабочей точки на падающей ветви вольтамперной характеристики сплавов Pb1-xSnxTe‹In› / Б. А. Акимов, Д. Р. Хохлов, С. Н. Чесноков. - С.899–900. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДЖОУЛЕВ ПРОБОЙ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СОСТОЯНИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Прозоровский, В. Д. Диэлектрические свойства Pb1-xSnx‹Cd, Zn› / В. Д. Прозоровский [и др.]. - С.901–903. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Решидова И. Ю., Таряник Н. В., Браташевский Ю. А.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, РЕШЕТКИ КРИСТАЛЛОВ, ЛЕГИРОВАНИЕ
Сванбаев, Е. А. О размерах упорядоченных областей в некристаллическом гидрогенизированном кремнии / Е. А. Сванбаев, Т. И. Таурбаев. - С.903–905. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МИКРОКРИСТАЛЛЫ, ВОДОРОД, СТРУКТУРЫ
Гредескул, Т. С. Ток через полупроводниковую пластину с неравновесными фононами / Т. С. Гредескул, Ю. Г. Гуревич, О. Л. Машкевич. - С.905–909. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭФФЕКТ ПЕЛЬТЬЕ, НЕОДНОРОДНОСТЬ ТЕМПЕРАТУР, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Пахаруков, Ю. В. Некоторые аспекты эффекта радиационного упорядочения / Ю. В. Пахаруков. - С.909–911. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ, МАЛЫЕ ДОЗЫ ОБЛУЧЕНИЯ, СТРУКТУРНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ
Витовский, Н. А. Скопления атомов меди в германии / Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, Л. В. Налбандян. - С.911–914. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ, АКЦЕПТОРЫ
Шаховцов, В. И. Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах кислорода в Si / В. И. Шаховцов, И. И. Ясковец. - С.914–916. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ
Галаев, А. А. Влияние электронного облучения на характер низкотемпературной проводимости и емкости в кремниевых МДП структурах / А. А. Галаев, Е. А. Выговская, М. Д. Малинкович. - С.916–919. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: НАПРЯЖЕНИЯ, ОСЦИЛЛЯЦИИ ПРОВОДИМОСТИ, ТЕОРИЯ ПРОТЕКАНИЯ
Витман, Р. Ф. Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в n-Si / Р. Ф. Витман [и др.]. - С.919–921. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гусева Н. Б., Лебедев А. А., Таптыгов Э. С.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ
Саморуков, Б. Е. Влияние облучения электронами на свойства фосфида индия, легированного 3d-элементами / Б. Е. Саморуков, С. В. Слободчиков. - С.921–925. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛЫ, ОБЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНАМИ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

2.


   
    Особенности поведения примеси хрома в теллуриде свинца [Текст] / Г. В. Лашкарев [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1989. - Том 23, N 5. - С. 874–876. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
УЗКОЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- КРИСТАЛЛЫ -- ЛЕГИРОВАНИЕ
Дод.точки доступу:
Лашкарев, Г. В.
Бродовой, А. В.
Радченко, М. В.
Колесник, С. П.
Вертелецкий, П. В.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

3.
Шифр: Ф8/1992/26/10
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1992р. т.26 N 10
Зміст:
Прокопьев, Е. П. Позитроний в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами / Е. П. Прокопьев. - С.1681-1687. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВОЛНОВАЯ ФУНКЦИЯ ЭФРОСА, ЭКСИТОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, ТЕМПЕРАТУРА ЖИДКОГО ГЕЛИЯ
Бобицкий, Я. В. Исследование лазерного геттерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения / Я. В. Бобицкий [и др.]. - С.1688-1692. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Берча А. И., Дмитрук Н. Л., Корбутяк Д. В., Фидря Н. А.
Кл.слова: СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ, ПРИМЕСНЫЕ ДЕФЕКТЫ, ЛЕГИРУЮЩИЕ ПРИМЕСИ
Вывенко, О. Ф. Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников / О. Ф. Вывенко, А. А. Истратов. - С.1693-1700. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ, ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ, МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНЕ
Сырбу, Н. Н. Колебательные спектры и эффективные ионные заряды в кристаллах AgAsS2 и TlAsS2 / Н. Н. Сырбу, Ф. И. Пасечник. - С.1701-1714. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ, ГЕОМЕТРИИ КРИСТАЛЛОВ, ЗАРЯДЫ СИГГЕТИ
Алфёров, Ж. И. Выращивание квантовых кластеров GaAs-AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Ж. И. Алфёров [и др.]. - С.1715-1722. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Егоров А. Ю., Жуков А. Е., Иванов С. В., Копьев П. С., Леденцов Н. Н., Мельцер Б. Я., Устинов В. М.
Кл.слова: КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ, КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ, ЛАТЕРАЛЬНЫЕ СВЕРХРЕШЕТКИ
Бабичев, Г. Г. Перераспределение концентрации инжектированных носителей заряда в искусственно анизотропной полупроводниковой пластине с кольцевыми электродами / Г. Г. Бабичев [и др.]. - С.1723-1727. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гузь В. Н., Жадько И. П., Козловский С. И., Романов В. А.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ, АНИЗОТРОПИЯ, КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
Иванов-Омский, В. И. Спектр мелкого акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном поле / В. И. Иванов-Омский, В. А. Харченко, Д. И. Цыпишка. - С.1728-1736. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФОТОПРОВОДИМОСТЬ, ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ, ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ
Пышная, Н. Б. Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии / Н. Б. Пышная [и др.]. - С.1737-1741. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Радауцан С. И., Чалдышев В. В., Чумак В. А., Шмарцев Ю. В.
Кл.слова: ИЗОВАЛЕНТНЫЕ ПРИМЕСИ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ЛЮМИНИСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА
Кудрявцев, Ю. А. Сульфидная пассивация поверхности арсенида индия / Ю. А. Кудрявцев [и др.]. - С.1742-1749. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Новиков Е. Б., Стусь Н. М., Чайкина Е. И.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА, ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ
Ковалевская, Г. Г. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd-p-p+-InP и изменение их в атмосфере водорода / Г. Г. Ковалевская [и др.]. - С.1750-1754. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мередов М. М., Руссу Е. В., Салихов X. М., Слободчиков С. В., Фетисова В. М.
Кл.слова: НАПЫЛЕНИЕ, ВАКУУМ, ГАЗОВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Беляев, А. П. Инжекционно-контактные явления в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка / А. П. Беляев [и др.]. - С.1755-1759. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Рубец В. П., Тошходжаев X. А., Калинкин И. П.
Кл.слова: ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
Соболев, М. М. Механизм деградации (GaAs/AlGaAs)-лазера с квантовой ямой / М. М. Соболев [и др.]. - С.1760-1767. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гитцович А. В., Папенцев М. И., Кочнев И. В., Явич Б. С.
Кл.слова: ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ, ПРОЦЕССЫ ДЕГРАДАЦИИ, ЛАЗЕРНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Лашкарев, Г. В. Электрические, термоэлектрические и магнитные свойства Cd0.2Hg0.8Te, легированного индием / Г. В. Лашкарев [и др.]. - С.1768-1774. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бродовой А. В., Радченко М. В., Мирец А. Л., Паренская Е. С., Никитин М. С., Растегин Ю. И., Колесник С. П.
Кл.слова: УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА, ТЕРМОЭДС
Василевский, К. В. Расчет динамических характеристик лавинно-пролетного диода на карбиде кремния / К. В. Василевский. - С.1775-1783. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЛОКАЛЬНО-ПОЛЕВЫЕ МОДЕЛИ, ОДНОПРОЛЕТНЫЕ СТРУКТУРЫ, КОРОТКИЕ ИМПУЛЬСЫ
Вергелес, М. В. К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs / М. В. Вергелес, И. А. Меркулов. - С.1784-1794. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ВАЛЕНТНЫЕ ЗОНЫ, ВОЛНОВЫЕ ВЕКТОРЫ, ТЯЖЕЛЫЕ ДЫРКИ
Игнатьев, А. С. Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов / А. С. Игнатьев [и др.]. - С.1795-1800. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Каминский В. Э., Копылов В. Б., Мокеров В. Г., Немцев Г. 3., Шмелев С. С., Шубин В. С.
Кл.слова: БУФЕРНЫЕ СЛОИ, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ, РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ
Кульбачинский, В. А. Прыжковая проводимость ионно-имплантированного серой кремния / В. А., Кульбачинский В. А. [и др.]. - С.1801-1814. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Кытин В. Г., Абрамов В. В., Тимофеев А. Б., Ульяшин А. Г., Шлопак Н. В.
Кл.слова: СОПРОТИВЛЕНИЕ, ИНТЕРВАЛ ТЕМПЕРАТУР, МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
Яссиевич, И. Н. Неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний при многофононной рекомбинации / И. Н. Яссиевич, В. М. Чистяков. - С.1815-1824. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПАРЫ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ
Лашкарев, Г. В. Электронное состояние примеси индия в узкощелевых полупроводниках Pb0.82Sn0.18Te, Cd0.2Hg0.8Te / Г. В. Лашкарев [и др.]. - С.1825-1827. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бродовой А. В., Мирец А. Л., Зыков Г. А.
Кл.слова: ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Коварский, В. А. Электрон-фононный механизм уширения оптических полос поглощения в квазинульмерных кристаллах / В. А. Коварский, В. Н. Чеботарь. - С.1828-1830. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ОПТОЭЛЕКТРОНИКА, КВАНТОВАНИЕ
Мухитдинов, А. М. Время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях CdхHg1-хTe p-типа проводимости / А. М. Мухитдинов, В. И. Стафеев. - С.1830-1832. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УЗКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФОТОДИОДЫ, РЕКОМБИНАЦИИ
Белявский, В. И. Интерпретация неравновесных емкостных спектров A-центров, вводимых при импульсной фотонной обработке кремния / В. И. Белявский, Ю. А. Капустин, В. В. Свиридов. - С.1832-1835. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИОНИЗАЦИЯ, ЭНЕРГИЯ ОТЖИГА, СПЕКТРОСКОПИЯ
Кашкаров, П. К. Модификация коэффициента отражения полупроводников AIIIBV при импульсном лазерном облучении / П. К. Кашкаров. - С.1835-1837. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: МЕЖЗОННЫЕ ПОГЛОЩЕНИЯ, СТРУКТУРНЫЕ ПЕРЕСТРОЙКИ, ЛАЗЕРНЫЕ ИМПУЛЬСЫ
Кабанов, В. Ф. Исследование фотоэлектрических свойств пленок магнитного полупроводника Eu1-хSmхO / В. Ф. Кабанов. - С.1837-1841. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ, КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ, ПРОВОДИМОСТЬ
Новиков, А. П. О механизме ионно-индуцированной кристаллизации в кремнии / А. П. Новиков [и др.]. - С.1841-1844. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гусаков Г. А., Комаров Ф. Ф., Толстых В. П.
Кл.слова: АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ОБЛУЧЕНИЯ, УСКОРЕННЫЕ ИОНЫ
Абдураимов, А. Механизм тензоэффекта в n-Si‹Mn› при всестороннем гидростатическом сжатии / А. Абдураимов [и др.]. - С.1845-1847. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Зайнабинидов С. 3., Тешабаев А., Маматкаримов О. О., Химматкулов О.
Кл.слова: ЭФФЕКТ ТЕНЗОСОПРОТИВЛЕНИЯ, ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ ДИФФУЗИИ, ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ
Алешкин, В. Я. Фотолюминесценция в delta-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия / В. Я. Алешкин [и др.]. - С.1848-1849. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Аншон А. В., Батукова Л. М., Демидов Е. В., Демидова Е. Р., Звонков Б. Н., Карпович И. А., Малкина И. Г.
Кл.слова: ЛЕГИРОВАННЫЕ СЛОИ, ЛЕГИРОВАННЫЕ СВЕРХРЕШЕТКИ, ПИРОЛИЗ
Апсит, А. Р. Возникновение нормального электрического поля при ускоренном дрейфовом движении носителей заряда в полупроводнике с постоянным током / А. Р. Апсит. - С.1850-1851. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРОВОДНИКИ, ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ, УСКОРЕНИЕ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

4.


   
    Электрические, термоэлектрические и магнитные свойства Cd0.2Hg0.8Te, легированного индием [Текст] / Г. В. Лашкарев [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1992. - Том 26, N 10. - С. 1768-1774. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ -- КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА -- ТЕРМОЭДС
Дод.точки доступу:
Лашкарев, Г. В.
Бродовой, А. В.
Радченко, М. В.
Мирец, А. Л.
Паренская, Е. С.
Никитин, М. С.
Растегин, Ю. И.
Колесник, С. П.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

5.


   
    Магнитные свойства чистых и легированных индием монокристаллов Cd0.2Hg0.8Te при низких температурах [Текст] / Г. В. Лашкарев [и др.] // Физика и техника полупроводников = Physics and technics of semiconductors : науч. журн. - 1993. - Том 27, N 8. - С. 1381-1384. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0015-3222

Кл.слова (ненормовані):
ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ -- МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ
Дод.точки доступу:
Лашкарев, Г. В.
Бродовой, А. В.
Мирец, А. Л.
Колесник, С. П.
Зыков, Г. А.
Никитин, М. С.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

6.
Шифр: Ф8/1993/27/8
   Журнал

Физика и техника полупроводников [Текст] : науч. журн./ РАН. Отд-ние физ. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург : Наука, 1967 - . - ISSN 0015-3222. - Виходить щомісячно
1993р. т.27 N 8
Зміст:
Данченков, А. А. Морфология, проводимость и эффект псевдолегирования в аморфных и аморфно-кристаллических пленках C : H / А. А. Данченков, В. А. Лигачев, А. И. Попов. - С.1233-1239. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ, УРОВЕНЬ ФЕРМИ, ПЛЕНКИ УГЛЕРОДА
Ембергенов, Б. Структура центров свечения в кристаллах ZnSe / Б. Ембергенов [и др.]. - С.1240-1246. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Корсунская Н. Е., Рыжиков В. Д., Гальчинецкий Л. П., Лисецкая Е. К.
Кл.слова: СПЕКТРЫ ВОЗБУЖДЕНИЙ, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, АКЦЕПТОРЫ
Дмитриев, С. Г. Идентификация многозарядных объемных уровней при релаксационной спектроскопии границы раздела полупроводник-диэлектрик / С. Г. Дмитриев, А. Г. Ждан, Ю. В. Маркин. - С.1247-1255. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИЗОТЕРМИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ТОКА, РЕЛАКСАЦИОННЫЕ СИГНАЛЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ
Андрюшин, Е. А. Кулоновское взаимодействие носителей в тонких полупроводниковых нитях / Е. А. Андрюшин, А. П. Силин. - С.1256-1261. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДИЭЛЕКТРИКИ, НОСИТЕЛИ ТОКА, РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ
Резников, Б. И. Инверсия электрического поля у освещаемого анода МПМ диода / Б. И. Резников, Г. В. Царенков. - С.1262-1275. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ДИФФУЗИОННЫЕ ТОКИ, ФОТОНОСИТЕЛИ, ГРАДИЕНТЫ
Ибрагимова, М. И. Трансформация кристаллической структуры CdхHg1-хTe при ионной имплантации / М. И. Ибрагимова [и др.]. - С.1276-1281. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Файзрахманов И. А., Хайбуллин И. Б., Саинов Н. А.
Кл.слова: МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ, БОМБАРДИРОВКА ИОНАМИ, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Шматов, А. А. Обработка спектров релаксационной спектроскопии глубоких уровней методом математического моделирования / А. А. Шматов. - С.1282-1285. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ, СЕЧЕНИЯ, НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
Сафронов, Л. Н. Диффузия компонентов и примесей в кластеризующихся твердых растворах / Л. Н. Сафронов. - С.1286-1296. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОЭФФИЦИЕНТЫ САМОДИФФУЗИИ, КЛАСТЕРИЗАЦИЯ, ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ
Амиров, Р. X. Межподзонное излучение горячих дырок в Ge и неравновесные фононы / Р. X. Амиров, В. И. Гавриленко. - С.1297-1304. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ, ИМПУЛЬСЫ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
Васильев, А. В. Фотоионизация иона Fe2+ в ZnS: релаксация решетки / А. В. Васильев [и др.]. - С.1305-1310. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Зингер Г. М., Розенфельд Ю. Б., Рыскин А. И.
Кл.слова: ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СЕЧЕНИЯ
Кадушкин, В. И. Явления переноса в легированных сверхрешетках GaAs/AlхGa1-хAs разнесенного типа / В. И. Кадушкин, Е. Л. Шангина. - С.1311-1318. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАЗНЕСЕННЫЕ РЕШЕТКИ, КВАНТОВЫЕ ЯМЫ, ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ
Евстропов, В. В. Электрические свойства эпитаксиальных p-n-структур из GaP на Si-подложках / В. В. Евстропов [и др.]. - С.1319-1325. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Жиляев Ю. В., Назаров Н., Сергеев Д. В., Федоров Л. М., Шерняков Ю. М.
Кл.слова: ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ, ХЛОРИДНЫЕ СИСТЕМЫ, АЗОТНЫЕ ТЕМПЕРАТУРЫ
Гасан-заде, С. Г. Рекомбинационные механизмы и кинетические явления в одноосно-напряженном CdхHg1-хTe / С. Г. Гасан-заде, Г. А. Шепельский. - С.1326-1334. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: УЗКОЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ, КОЭФФИЦИЕНТ ХОЛЛА
Коваленко, А. В. Детекторы ионизирующего излучения на структуре сцинтиллятор (подложка) – планарный фотоприемник ZnSeхTe1-х-ZnSe / А. В. Коваленко, Т. М. Бочкова. - С.1335-1339. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КОМБИНИРОВАННЫЕ ДЕТЕКТОРЫ, КРИСТАЛЛЫ, ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
Кабанов, В. Ф. Исследование фотомагнитных свойств пленок магнитного полупроводника Eu1-хSmхO / В. Ф. Кабанов, А. М. Свердлова. - С.1340-1343. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОПЕРЕЧНЫЙ ТОК, РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, МАГНИТНЫЕ ИОНЫ
Алешкин, В. Я. Поляризационная зависимость межзонного оптического поглощения квантовой ямы InGaAs в GaAs / В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, И. А. Карпович. - С.1344-1348. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПОЛЯРИЗОВАННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ, ВНУТРЕННЕЕ ОТРАЖЕНИЕ, КОЭФФИЦИЕНТ ПОГЛОЩЕНИЯ
Вовк, О. В. Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий / О. В. Вовк [и др.]. - С.1349-1353. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Лелеченко В. П., Солошенко В. И., Ройзин Я. О., Якунина В. Н.
Кл.слова: ОТЖИГ, ОБЛУЧЕНИЯ, РЕНТГЕН
Кучинский, П. В. Влияние нитридизации на радиационное изменение электрофизических свойств МДП структур на основе кремния / П. В. Кучинский [и др.]. - С.1354-1360. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ломако В. М., Петрунин А. П., Патракеев С. П., Суриков И. Н., Шахлевич Л. Н.
Кл.слова: НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА, ОБЛУЧЕНИЕ ГАММА-КВАНТАМИ, МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО
Онопко, Д. Е. Использование кластерного приближения для исследования легированного кристалла кремния / Д. Е. Онопко, А. И. Рыскин. - С.1361-1364. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: КЛАСТЕРЫ КРИСТАЛЛОВ, ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ, ИОНЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
Будагян, Б. Г. Влияние концентрации азота на микроструктуру и темновую проводимость пленок alpha-Si1-хNх:H / Б. Г. Будагян, А. А. Айвазов, А. Ю. Сазонов. - С.1365-1369. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ГАЗОВЫЕ СМЕСИ
Рыскин, А. И. Релаксация решетки при фотоионизации глубоких примесей различной природы / А. И. Рыскин, Ежи М. Лангер. - С.1369-1371. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ, ПРИМЕСНЫЕ ИОНЫ, СПЕКТРАЛЬНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ
Беляков, Л. В. Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии / Л. В. Беляков [и др.]. - С.1371-1375. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Горячев Д.Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д.
Кл.слова: ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, КОРРЕЛЯЦИЯ
Болотов, Л. Н. Визуализация поверхности (111) кремниевых шайб p-типа в атмосферных условиях с помощью сканирующего туннельного микроскопа / Л. Н. Болотов [и др.]. - С.1375-1379. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Козлов В. А., Макаренко И. В., Титков А. Н.
Кл.слова: РЕЛЬЕФ ПОВЕРХНОСТИ, ТОПОГРАФИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ
Галина, Т. М. Ионная имплантация донорной примеси в фосфид индия / Т. М. Галина [и др.]. - С.1379-1381. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Володько В. Г., Демидов Е. С., Подчищаева О. В.
Кл.слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЛЕГИРОВАНИЕ, БОМБАРДИРОВКА ИОНАМИ
Лашкарев, Г. В. Магнитные свойства чистых и легированных индием монокристаллов Cd0.2Hg0.8Te при низких температурах / Г. В. Лашкарев [и др.]. - С.1381-1384. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бродовой А. В., Мирец А. Л., Колесник С. П., Зыков Г. А., Никитин М. С.
Кл.слова: ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ, МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ
Вейс, А. Н. Энергетический спектр вакансий халькогена в ионно-имплантированном сульфиде свинца / А. Н. Вейс. - С.1384-1387. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ОПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ
Выграненко, Ю. К. Глубокие состояния в твердых растворах Pb1-хSnхTe, легированных галлием / Ю. К. Выграненко, В. В. Слынько, Е. И. Слынько. - С.1387-1389. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: СВОБОДНЫЕ НОСИТЕЛИ, ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ, ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ
Куликов, Г. С. Аморфный гидрированный кремний, легированный диспрозием / Г. С. Куликов [и др.]. - С.1389-1392. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мездрогина М. М., Першеев С. К., Абдурахманов К. П.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ЛЕГИРУЮЩИЕ ПРИМЕСИ, РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Куликов, Г. С. Диффузионное легирование серебром аморфного гидрированного кремния с примесью бора / Г. С. Куликов, М. М. Мездрогина, С. К. Першеев. - С.1392-1394. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
Глинчук, К. Д. О зависимости радиационной стойкости интенсивности люминесценции твердых растворов соединений AIIIBV от их состава / К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович. - С.1395-1398. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: РАДИАЦИОННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ, РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ, ОБЛУЧЕНИЕ БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ
Керимова, Т. Г. Оптические свойства твердых растворов CdGa2SSe4(1-х) / Т. Г. Керимова [и др.]. - С.1398-1399. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гусейнов Т. Д., Гулиев Р. А., Мамедова И. А., Бабаев Т. Р.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ, ЗАКОН ВЕГАРДА
Владимирова, Е. В. Влияние глубоких уровней на эффекты поля в гомогенных периодических полупроводниковых структурах на основе кремния / Е. В. Владимирова [и др.]. - С.1400-1402. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гусятников В. Н., Журавлев К. А., Иванченко В. А., Павлов В. Г.
Кл.слова: ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, СУБЛИМАЦИИ, ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

7.
Шифр: phtt/1995/37/1
   Журнал

Физика твердого тела [Текст] : науч. журн./ Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург : Наука, 1959 - . - ISSN 0367-3294. - Виходить щомісячно
1995р. т.37 N 1
Зміст:
Малыгин, Г. А. Самоорганизация дислокаций и локализация скольжения в пластически деформируемых кристаллах (Обзор) / Г. А. Малыгин. - С.3-42. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ОБЗОРЫ, ДИСЛОКАЦИИ
Мещеряков, В. В. Кариатидная структура границы раздела силового контакта / В. В. Мещеряков. - С.43-54. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СВЕРХПРОВОДНИКИ, МЕТАЛЛЫ
Столыпко, А. Л. Влияние подвижности дефектов на эффективность спин-решеточного взаимодействия в кристаллах / А. Л. Столыпко. - С.55-58. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДЕФЕКТЫ, ФИЗИКА ПРОЧНОСТИ
Конев, В. Н. Новый метод расчета токов обмена на межфазной границе твердое тело-газ / В. Н. Конев. - С.59-65. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СУБЛИМАЦИИ
Камзин, А. С. Влияние числа магнитных связей на свойства поверхности антиферромагнитного кристалла Fe3BO6 / А. С. Камзин, Л. А. Григорьев, С. А. Камзин. - С.66-72. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, МОНОКРИСТАЛЛЫ, СПЕКТРОСКОПИИ
Гусейнов, Н. М. Полярон в модели сверхрешетки с бесконечно глубокими квантовыми ямами / Н. М. Гусейнов. - С.73-78. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СВЕРХРЕШЕТКИ, ТУННЕЛИРОВАНИЕ
Гудаев, О. А. Транспорт заряженных носителей и эмпирическое правило Мейера-Нелделя в неупорядоченных материалах / О. А. Гудаев, В. К. Малиновский. - С.79-90. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФЛУКТУАЦИИ
Сабиров, Р. Х. Нелинейные волны в атомной цепочке с кубичным ангармонизмом -4ptи с дальнодействующей гармонической частью / Р. Х. Сабиров. - С.91-100. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, НЕЛИНЕЙНЫЕ ВОЛНЫ, СОЛИТОНЫ
Бондар, В. Д. Электронный парамагнитный резонанс, параметры и структура центров в кристаллах иодистого кадмия с примесями меди и европия / В. Д. Бондар [и др.]. - С.101-106. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Грудзинский А. С., Зарицкий И. М., Колесник С. П.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ, ЕВРОПИЙ
Брик, А. Б. О механизме образования туннельных Al-O- центров в кварце по данным ЭПР / А. Б. Брик [и др.]. - С.107-114. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дегода В. Я., Маразуев Ю. А., Самойлович М. И., Щербина О. И.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ЖИДКИЕ КРИСТАЛЛЫ , ПОЛИМЕРЫ
Власенко, В. Г. Рентгеноспектральное исследование взаимодействия субвалентных электронных оболочек в оксидах самария и иттербия / В. Г. Власенко, А. Т. Шуваев. - С.115-118. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СПЕКТРОСКОПИИ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Кукушкин, С. А. Морфологическая устойчивость островков, растущих из пара на твердой поверхности / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. - С.119-126. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДИФФУЗИИ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Кибис, О. В. Электрон-фотонное взаимодействие в фулереновых трубках со спиральной симметрией / О. В. Кибис, Д. А. Романов. - С.127-129. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФУЛЛЕРЕНЫ
Сабиров, Р. Х. Кноидальные волны в нагруженной атомной цепочке с ангармонизмом третьего и четвертого порядков / Р. Х. Сабиров. - С.130-136. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, НЕЛИНЕЙНЫЕ ВОЛНЫ, СОЛИТОНЫ
Глинчук, М. Д. Влияние случайных полей дефектов на дальний порядок в неупорядоченных дипольных системах / М. Д. Глинчук, В. А. Стефанович. - С.137-149. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДЕФЕКТЫ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Беклемишев, С. А. Динамика ангармонической цепочки в модели Френкеля-Конторовой / С. А. Беклемишев, В. Л. Клочихин. - С.150-159. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СОЛИТОНЫ, ДЕФОРМАЦИИ
Эйдельман, Е. Д. Особенности термоэлектрической конвекции в жидких кристаллах / Е. Д. Эйдельман. - С.160-174. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЖИДКИЕ КРИСТАЛЛЫ
Ктиторов, С. А. Влияние решеточных эффектов на критическое поведение сверхпроводников II рода в магнитном поле / С. А. Ктиторов, Б. Н. Шалаев. - С.175-184. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СВЕРХПРОВОДНИКИ, ДИНАМИКА РЕШЕТКИ
Заворотнев, Ю. Д. Магнитные состояния кристаллов тетрагональной симметрии / Ю. Д. Заворотнев. - С.185-193. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СВЕРХПРОВОДНИКИ, МАГНЕТИЗМ
Попов, Д. И. Электрофизические свойства и распределение компонентов твердого раствора Sn1- zGezTe:In в пленках, полученных методом импульсного лазерного напыления / Д. И. Попов [и др.]. - С.194-205. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Мусихин С. Ф., Немов С. А., Парфеньев Р. В., Макарова Т. Л., Светлов В. Н.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СВЕРХПРОВОДНИКИ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Мазилова, Т. И. Множественность структур границ зерен и решетка зернограничных сдвигов / Т. И. Мазилова, И. М. Михайловский. - С.206-210. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, КОРРЕЛЯЦИЯ, ДИНАМИКА РЕШЕТКИ
Лышенюк, К. П. Кристаллоптика поверхностных поляритонов в анизотропных средах при наличии поверхностной электропроводности / К. П. Лышенюк, Ф. Н. Марчевский. - С.211-218. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДИСПЕРСИИ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Климов, А. А. О природе „случайного“ вырождения термов примесных редкоземельных ионов / А. А. Климов [и др.]. - С.219-223. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Ройцин А. Б., Чумачкова М. М., Артамонов Л. В.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ, ТЕОРИЯ ВОЗМУЩЕНИЙ
Мелькер, А. И. Самоорганизация цепных макромолекул и образование частично кристаллических полимеров / А. И. Мелькер, Т. В. Воробьева. - С.224-236. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ, ПОЛИМЕРЫ
Рошаль, С. Б. Механизм фазового перехода кристалл-квазикристалл и особенности октагонального квазикристаллического порядка в сплавах Mn12Si5 / С. Б. Рошаль [и др.]. - С.237-248. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дмитриев В. П., Лорман В. Л., Толедано П.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ДЕФОРМАЦИИ
Бушуев, В. А. Статистическая динамическая теория вторичных процессов в условиях дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем / В. А. Бушуев. - С.249-260. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДИФРАКЦИИ, ДЕФОРМАЦИИ
Котов, В. М. Поляризационно-независимая модуляция многокомпонентного лазерного излучения / В. М. Котов. - С.261-270. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДИФРАКЦИИ, АКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ
Боборыкина, Е. Н. Исследование тонких пленок и монокристаллов V2O3 в области фазовых переходов методом поверхностных акустических волн / Е. Н. Боборыкина, С. Е. Никитин, Ф. А. Чудновский. - С.271-276. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, АКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Панченко, О. Ф. Тонкая структура спектра полного тока поверхности Fe(001) / О. Ф. Панченко, Л. К. Панченко. - С.277-279. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, РАССЕЯНИЕ, ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Оруджев, Г. С. Распределение заряда и химическая связь в TlSe / Г. С. Оруджев, Ш. М. Эфендиев, З. А. Джахангиров. - С.280-282. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ
Калевич, В. К. Сильная анизотропия g-фактора электронов проводимости в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / В. К. Калевич, Б. П. Захарченя, О. М. Федорова. - С.283-287. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СПИНЫ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

8.
Шифр: phtt/1995/37/4
   Журнал

Физика твердого тела [Текст] : науч. журн./ Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург : Наука, 1959 - . - ISSN 0367-3294. - Виходить щомісячно
1995р. т.37 N 4
Зміст:
Веттегрень, В. И. Исследование эволюции рельефа поверхности нагруженных образцов меди при помощи растрового туннельного профилометра / В. И. Веттегрень, С. Ш. Рахимов, В. Н. Светлов. - С.913-921. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, МЕТАЛЛЫ, ДЕФЕКТЫ
Королева, Л. И. Магнитные и электрические свойства новых тиошпинелей, содержащих Fe, Cr и Sn / Л. И. Королева [и др.]. - С.922-928. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Лукина Л. Н., Михеев М. Г., Одинцов А. Г., Сайфуллаева Д. А.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, МАГНЕТИЗМ
Гиоргадзе, Н. П. Слабонелинейные волны намагниченности в ядерных спиновых системах с диполь-дипольным взаимодействием / Н. П. Гиоргадзе, Р. Р. Хомерики. - С.929-935. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ, ВОЛНЫ
Монозон, Б. С. Межзонное многофотонное поглощение в сверхрешетках / Б. С. Монозон, А. Г. Жилич. - С.936-952. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СВЕРХРЕШЕТКИ
Арутюнян, В. В. Кинетика образования V-центров в alpha-Al2O3 при облучении высокоэнергетичными электронами / В. В. Арутюнян [и др.]. - С.953-959. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Бабаян А. К., Геворкян В. А., Мартиросян У. М.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, МОНОКРИСТАЛЛЫ, ДЕФЕКТЫ
Фищук, И. И. Эффект Холла и магнетосопротивления на переменном токе в поликристаллических системах / И. И. Фищук. - С.960-968. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Агринская, Н. В. Спектроскопические исследования полидиацетилена-THD в матрице ПММА / Н. В. Агринская [и др.]. - С.969-975. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Гук Е. Г., Кудрявцев И. А., Люблинская О. Г.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Днепровский, В. С. Нелинейные оптические свойства нано- и микрокристаллов CdSe / В. С. Днепровский [и др.]. - С.976-983. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Крупенников Д. Н., Липовский А. А., Окороков Д. К.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ
Гофман, И. В. Влияние концентрации бесшарнирных звеньев на физико-механические свойства сополиимида / И. В. Гофман [и др.]. - С.984-989. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Тихонова Л. Ю., Гойхман М. Я., Лайус Л. А.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СОПОЛИИМИДЫ, ШАРНИРНЫЕ ГЕТЕРОАТОМЫ МОНОМЕРОВ
Скрышевский, Ю. А. Влияние электрических полей на процесс термализации носителей заряда в кристалле фенантрена / Ю. А. Скрышевский, А. К. Кадащук, Н. И. Остапенко. - С.990-998. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, РЕЛАКСАЦИИ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
Крайник, Н. Н. О процессах переполяризации в магнониобате свинца --- сегнетоэлектрике с размытым фазовым переходом / Н. Н. Крайник, Л. С. Камзина. - С.999-1006. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Матвиенко, А. А. Влияние примесных атомов германия на кинетику полиморфного превращения олова / А. А. Матвиенко, А. А. Сидельников, В. В. Болдырев. - С.1007-1014. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, РЕЛАКСАЦИИ, ДИСЛОКАЦИИ
Щенников, В. В. Магнитосопротивление метастабильных фаз высокого давления / В. В. Щенников. - С.1015-1021. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Багнич, С. А. Кинетика затухания фосфоресценции бензальдегида в твердом растворе этанола в условиях миграции энергии / С. А. Багнич. - С.1022-1029. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, КИНЕТИКА ЗАТУХАНИЯ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Кузьмин, М. В. Формирование межфазовой границы Eu-Si (111) / М. В. Кузьмин [и др.]. - С.1030-1039. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Логинов М. В., Митцев М. А., Крачино Т. В.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ДЕСОРБЦИИ
Мирсаев, И. Ф. Влияние гидростатического давления на магнитные фазовые переходы в модулированных структурах / И. Ф. Мирсаев, Г. Г. Талуц. - С.1040-1049. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ДИНАМИКА РЕШЕТКИ
Старухин, А. Н. Спектроскопия фуллерита C70 в области края фундаментального поглощения / А. Н. Старухин [и др.]. - С.1050-1057. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Разбирин Б. С., Чугреев А. В., Грушко Ю. С., Колесник С. Н.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФУЛЛЕРЕНЫ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Кандаурова, Г. С. Диаграммы состояний динамических систем магнитных доменов / Г. С. Кандаурова, Ж. А. Кипшакбаева. - С.1058-1062. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ДИАГРАММЫ, МАГНИТНЫЕ ПЛЕНКИ
Казей, З. А. Магнитоупругие аномалии теплового расширения редкоземельных ванадатов RVO4 / З. А. Казей, Н. П. Колмакова. - С.1063-1072. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛЯ, ФОТОРЕФРАКЦИИ
Волк, Т. Р. Фоторефракция в кристаллах с нестационарным фотовольтаическим током / Т. Р. Волк, С. Б. Астафьев, Н. В. Разумовский. - С.1073-1089. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФОТОРЕФРАКЦИИ, ДИЭЛЕКТРИКИ
Агекян, В. Ф. Фотоиндуцированное поглощение света в твердом растворе Cd0.65Mn0.35Te с высокой концентрацией дефектов / В. Ф. Агекян [и др.]. - С.1090-1096. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Серов А. Ю., Степанов Ю. А., Лай Ле Тхай
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДЕФЕКТЫ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
Мансфельд, Г. Д. Поглощение акустических волн в монокристаллах лангасита / Г. Д. Мансфельд [и др.]. - С.1097-1103. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Безделкин В. В., Фреик А. Д., Кучерявая Е. С.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, АКУСТИКА, МОНОКРИСТАЛЛЫ
Губкин, М. К. Ферро- и ферримагнетизм манганита La0.9Na0.1CuхMn1- xO3 / М. К. Губкин [и др.]. - С.1104-1107. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Перекалина Т. М., Чубаренко В. А., Шапиро А. Я.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, МАГНЕТИЗМ, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Томашпольский, Ю. Я. Идентификация фазовых переходов в сверхпроводниках и сегнетоэлектриках методом вторично-электронной эмиссиометрии / Ю. Я. Томашпольский, Н. В. Садовская. - С.1108-1112. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, СВЕРХПРОВОДНИКИ
Жумабеков, З. А. Люминесценция экситонов и кислородных центров в кристаллах NaF / З. А. Жумабеков, М. М. Тайиров. - С.1113-1119. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ДЕФЕКТЫ
Коншина, Е. А. Корреляция оптической щели и особенностей структуры аморфных гидрогенизированных углеродных пленок / Е. А. Коншина. - С.1120-1125. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, КЛАСТЕРЫ, КОРРЕЛЯЦИИ
Лисицын, В. М. Создание и релаксация автолокализованных экситонов в кристалле KI при импульсном каскадном возбуждении / В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев. - С.1126-1133. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, РЕЛАКСАЦИИ
Пунегов, В. И. Погашение сателлитных максимумов сверхрешетки с периодически распределенными микродефектами / В. И. Пунегов. - С.1134-1148. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СВЕРХРЕШЕТКИ, ДЕФЕКТЫ
Мильман, И. И. Температурное тушение в люминесценции анионодефектных кристаллов alpha-Al2O3 / И. И. Мильман, В. С. Кортов, В. И. Кирпа. - С.1149-1159. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ДЕФЕКТЫ
Шалдин, Ю. В. Пироэлектрические свойства кристаллов BaBO4 и KTiOPO4 / Ю. В. Шалдин [и др.]. - С.1160-1168. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Поправски Р., Матыясик С., Дозмаров В. В., Дьяков В. А.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, МОНОКРИСТАЛЛЫ, ДЕФЕКТЫ
Баран, М. Магнитное упорядочение подрешетки Gd3+ в системе Gd1-xYхBa2Cu3O7-delta / М. Баран, Э. Е. Зубов, В. И. Маркович. - С.1169-1175. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДЕФЕКТЫ , ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Валиев, У. В. Оптико-магнитное исследование штарковских подуровней основного мультиплета 7F6 иона Tb3+ в Y3Al5O12 / У. В. Валиев [и др.]. - С.1176-1191. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Горбунова Л. Л., Турганов М. М., Неквасил Б., Сиранов Д.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ
Шаабан, Н. Правило Урбаха в смешанных кристаллах галогенидов серебра AgBr1-xClх / Н. Шаабан, Д. Миллерс, Л. Григорьева. - С.1192-1197. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ДЕФЕКТЫ
Олемской, А. И. Самосогласованное описание одиночных и коллективных возбуждений при делокализации невзаимодействующих фермионов / А. И. Олемской, И. В. Коплык, А. А. Колосков. - С.1198-1213. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДИЛАТАЦИИ, ФЕРМИОНЫ
Патрин, Г. С. Изучение температурного поведения фотомагнитного эффекта в кристаллах FeBO3 на сквид-магнитометре / Г. С. Патрин, Д. А. Великанов, Г. А. Петраковский. - С.1214-1219. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, МАГНИТОАКУСТИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНС
Митрофанов, В. Я. Спектр ЯМР ян-теллеровских ионов Cu2+ в феррошпинелях / В. Я. Митрофанов [и др.]. - С.1220-1222. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Пащенко В. П., Прокопенко В. К., Фишман А. Я., Шемяков А. А.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ФЕРРОШПИНЕЛИ
Покропивный, В. В. Фрактальная поправка к прочности и вязкости разрушения хрупких твердых тел с учетом атомной шероховатости поверхности разрушения / В. В. Покропивный, В. В. Скороход. - С.1223-1225. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ТЕОРИЯ УПРУГОСТИ, ФЕРРОМАГНИТЫ
Чеботкевич, Л. А. Магнитные свойства многослойных пленок (Fe/Mo)10, полученных магнетронным распылением / Л. А. Чеботкевич [и др.]. - С.1226-1228. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Яловкина С. В., Воробьев Ю. Д., Слабженникова И. М.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФЕРРОМАГНИТЫ, ДИФРАКЦИИ
Гавриляченко, В. Г. Проявление фазового наклепа в сегнетоэлектрических кристаллах PbTiO3 / В. Г. Гавриляченко, Е. А. Дулькин, А. Ф. Семенчев. - С.1229-1230. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Аверкиев, Н. С. Основное состояние экситона в квантовых проволоках / Н. С. Аверкиев, А. М. Монахов. - С.1231-1234. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ТЕОРИЯ ВОЛН, ЭКСИТОНЫ
Никулин, Е. И. Определение энергетической щели ВТСП при измерении сопротивления границы с нормальным металлом / Е. И. Никулин. - С.1235-1238. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, МЕТАЛЛЫ, СВЕРХПРОВОДНИКИ
Головин, Ю. И. Влияние отжига в постоянном магнитном поле на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов. - С.1239-1241. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДИСЛОКАЦИИ, МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ
Иванов, С. Н. Теплоемкость твердых растворов иттрий-гадолиний алюминиевых боратов YхGd1-xAl3(BO3)4 / С. Н. Иванов, Г. В. Егоров. - С.1242-1243. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ТЕПЛОЕМКОСТЬ, ДИНАМИКА РЕШЕТКИ
Сторож, В. В. Рентгенографическое исследование влияния адсорбированных веществ на образование дислокаций в процессе деформирования микрокристаллов оксида алюминия / В. В. Сторож, Г. Я. Акимов, Н. Г. Лабинская. - С.1244-1245. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДИСЛОКАЦИИ, ДЕФОРМАЦИИ
Каспер, Н. В. Эффект памяти формы в гексагональных манганитах RMnO3 (R-Ho, Y) / Н. В. Каспер [и др.]. - С.1246-1250. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Акимов А. И., Близнюк Л. А., Троянчук И. О.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Баран, М. Сверхпроводящие свойства керамики GdBa2Cu4O8 : Ca / М. Баран [и др.]. - С.1251-1253. - Библиогр. в конце ст.
Інші автори: Дьяконов В., Набиалек А., Ревенко Ю.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, СВЕРХПРОВОДНИКИ, МАГНЕТИЗМ
Мацокин, В. П. Взаимодействие полей упругих напряжений в ансамбле дисперсных частиц на поверхности монокристалла / В. П. Мацокин. - С.1254-1256. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ДИСЛОКАЦИИ, ДЕФОРМАЦИИ
Є примірники у відділах: всього 1 : чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі
Перейти до описів статей

9.


   
    Электронный парамагнитный резонанс, параметры и структура центров в кристаллах иодистого кадмия с примесями меди и европия [Текст] / В. Д. Бондар [и др.] // Физика твердого тела : науч. журн. - 1995. - Том 37, N 1. - С. 101-106. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0367-3294

Кл.слова (ненормовані):
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ -- ЕВРОПИЙ
Дод.точки доступу:
Бондар, В. Д.
Грудзинский, А. С.
Зарицкий, И. М.
Колесник, С. П.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

10.


   
    Спектроскопия фуллерита C70 в области края фундаментального поглощения [Текст] / А. Н. Старухин [и др.] // Физика твердого тела : науч. журн. - 1995. - Том 37, N 4. - С. 1050-1057. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0367-3294

Кл.слова (ненормовані):
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА -- ФУЛЛЕРЕНЫ -- ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Дод.точки доступу:
Старухин, А. Н.
Разбирин, Б. С.
Чугреев, А. В.
Грушко, Ю. С.
Колесник, С. Н.

Примірників усього: 1
чз.1 (1)
Вільні: чз.1 (1)

Знайти схожі

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua