Головна сторінка бібліотеки Спрощенний режим пошуку Інструкція з пошуку
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Книжкові видання- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
 Знайдено у інших БД:Періодичні видання (1)
Формат представлення знайдених документів:
повний інформаційнийкороткий
Пошуковий запит: (<.>K=XFEO$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Форма документа : Однотомне видання
Шифр видання : 621.315.592/К 56 рукописний текст
Автор(и) : Коваль, Лариса Петровна
Назва : Релаксация напряжений и формирование дислокационной структуры в эпитаксиальных системах с малым несоответствием : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Вихідні дані : Харьков, 1983
Кільк.характеристики :132 с.: ил.
Колективи : Харьковский политехнический институт
Примітки : Библиогр.: с. 121-132 (103 назв.)
УДК : 621.315.592(04)
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): гетеропереходы--дислокационная структура --кристаллические решетки
Зміст : Обзор литературы ; Напряжения в эпитаксиальных системах ; Механизмы релаксации в эпитаксиальных системах ; Заключение к обзору и постановка задачи ; Образцы и методика исследований ; Объекты исследований ; Методы наклонных рентгеновских съемок ; Метод измерения кривизны макроскопического изгиба эпитаксиальных систем ; Рентгеновская топография ; Остаточные напряжения и дислокационная структура в эпитаксиальных системах с малым несоответствием ; Типы дислокационных структур в эпитаксиальных системах с малым несоответствием ; О взаимосвязи дислокационной структуры подложки и эпитаксиальной пленки ; Неоднородность макродеформаций и дислокационной структуры в эпитаксиальной системе MgxMn1-xFeO4/MgO ; Зависимость остаточной деформации и дислокационной структуры в эпитаксиальной системе Ge/GaAs ; Релаксация напряжений несоответствия ; Дислокации, параллельные межфазной границе ; Зарождение дислокаций несоответствия в отсутствии концентраторов напряжений, введенных диссоциацией GaAs ; Кинетика дислокаций и формирование сетки ДН при краевом зарождении ; Зарождение и распространение дислокаций при наличии концентраторов напряжений ; Изменение структурного совершенства по толщине пленки ; Специфика процессов релаксации в эпитаксиальных системах с малым несоответствием Ge ; Выводы
Примірники :чз.1(1)
Вільні : чз.1(1)
Знайти схожі

 

Наша адреса: 61000, Харків, вул. Кирпичова, 2
Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ"
Контактний телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua