Пошуковий запит: (<.>K=GAAS$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 26
Показані документи с 1 по 20 |
|
>1.
| Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления/ред.: Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуол ; пер. с англ., ред. Г. В. Петров. - 1988
|
>2.
| Вінницький державний технічний університет Вісник Вінницького політехнічного інституту. № 2(41)/голов. ред. Б. І. Мокін. - 2002
|
>3.
| Харьковский национальный автомобильно-дорожный университет Вестник Харьковского национального автомобильно-дорожного университета. Вып. 26. - 2004
|
>4.
| Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна Вісник Харківського національного університету. № 648:Хімія/відп. ред. О. І. Коробов Вип. 12(35). - 2005
|
>5.
| Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. Т. 3/ІМФ НАНУ Вип. 3. - 2005
|
>6.
| Харьковский национальный автомобильно-дорожный университет Вестник Харьковского национального автомобильно-дорожного университета. Вып. 36. - 2007
|
>7.
| Харьковский национальный автомобильно-дорожный университет Вестник Харьковского национального автомобильно-дорожного университета. Вып. 41. - 2008
|
>8.
| Національний університет “Львівська політехніка” Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. № 646:Електроніка. - 2009
|
>9.
| Національний університет “Львівська політехніка” Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. № 681:Електроніка/відп. ред. Д. Заячук. - 2010
|
>10.
| Национальный технический университет “Харьковский политехнический институт” Вестник Национального технического университета “ХПИ”. Вып. 54:Новые решения в современных технологиях/отв. ред. Е. И. Сокол. - 2011
|
>11.
| Оптимизация параметра состава X по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlxGa1-xAs-InxGa1-xAs-GaAs/Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, А. В. Фролов // Вестник Национального технического университета “ХПИ”. -Харьков:НТУ “ХПИ”, 2011. т.Вып. 54:Новые решения в современных технологиях.-С.144-152
|
>12.
| Національний університет “Львівська політехніка” Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. № 734:Електроніка/відп. ред. Д. Заячук. - 2012
|
>13.
| Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)/АН ВШУ, ІФН НАНУ, ОНУ. - 2010
|
>14.
| Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование механизма роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия/И. В. Ивонин ; науч. рук. работы Л. Г. Лаврентьева. - 1977
|
>15.
| Ионова Е. Н. Твердофазные реакции и термическая стабильность многослойных структур на основе арсенида галлия/Е. Н. Ионова ; науч. рук. А. И. Федоренко. - 1983
|
>16.
| Коваль Л. П. Релаксация напряжений и формирование дислокационной структуры в эпитаксиальных системах с малым несоответствием/Л. П. Коваль ; рук. работы М. Я. Фукс. - 1983
|
>17.
| Пыхтунова А. И. СВЧ полевые транзисторы на GaAs/А. И. Пыхтунова Ч. 1. - 1976
|
>18.
| Пыхтунова А. И. СВЧ полевые транзисторы на GaAs/А. И. Пыхтунова вып. 2. - 1976
|
>19.
| Трофим В. Г. Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов ALxGa1-xAs-GaAs/В. Г. Трофим, В. А. Чумак ; ред. В. М. Андреев. - 1987
|
>20.
| Авакьянц Г. М. Умножение тока в двухдолинных полупроводниках типа GaAs. Скорость домена в условиях ударной ионизации/Г. М. Авакьянц, А. А. Степанов, Е. Ф. Еремина // Вестник Харьковского национального автомобильно-дорожного университета. -Харьков:ХНАДУ, 2004. т.Вып. 26.-С.81-83
|
|
|
|