М 77 Монокристаллы и техника [Текстььь] : сб. ст. Вып. 1(8) / ВНИИ монокристаллов ; отв. ред. Э. Ф. Чайковский. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1973. - 210 с. : рис. - 0.50 р. Содержание: Квятковская, Е. Ф. Выращивание монокристаллов смешанных феррошпинелей из раствора в расплаве / Е. Ф. Квятковская, С. Ф. Прокопович. - С .3-6 фывфыв: монокристаллы феррошпинелей, рост кристаллов, электронная техника Коновалов, О. М. Эпитаксиальный рост пленок железо-иттриевого граната из раствора в расплаве / О. М. Коновалов [и др.]. - С .7-11 Другие авторы: Космына М. Б., Пузиков В. М., Сало В. И. фывфыв: железо-иттриевый гранат, тонкие пленки, кристаллография Коновалов, О. М. Выращивание монокристаллов железо-иттриевого граната в атмосфере кислорода / О. М. Коновалов [и др.]. - С .12-17 Другие авторы: Космына М. Б., Мнацаканова Т. Р., Пузиков В. М. фывфыв: рост кристаллов, железо-иттриевый гранат, монокристаллы Коновалов, О. М. Исследование диффузии железо-иттриевого граната в растворителе BaO-B[[d]]2[[/d]]O[[d]]3[[/d]] / О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. П. Воронов. - С .18-23 фывфыв: процесс диффузии, железо-иттриевый гранат, жидкие расплавы Мусатов, М. И. Образование вакуумных полостей в кристаллах корунда, выращенных методом Чохральского / М. И. Мусатов. - С .24-27 фывфыв: пористость кристаллов, вакуумные полости, метод Чохральского Бончковский, В. И. Анизотропия неоднородной и однородной ширины линий поглощения иона Nd[[p]]3+[[/p]] в кристаллах CaWO[[d]]4[[/d]] и LaNa(WO[[d]]4[[/d]])[[d]]2[[/d]] / В. И. Бончковский, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. - С .28-32 фывфыв: анизотропия, монокристаллы, линии поглощения иона Панова, А. Н. Электронные центры окраски в кристаллах NaJ(TI) / А. Н. Панова, Р. Х. Мустафина, Е. М. Быкова. - С .33-42 фывфыв: облучение кристаллов, спектрометрия, спектры поглощения Угланова, В. В. Поглощение V[[d]]3[[/d]] -центра в кристалле LiF / В. В. Угланова. - С .43-46 фывфыв: рост кристаллов, люминесценция, полоса поглощения кристаллов Чаркина, Т. А. Соотношение между концентрациями F- и M -центров в кристаллах LiF / Т. А. Чаркина, В. В. Угланова. - С .47-51 фывфыв: радиация ионизирующая, облучение кристаллов, ионные структуры кристаллов Метлинский, П. Н. Диаграмма состояния системы HgSe-Ca[[d]]2[[/d]]Se[[d]]3[[/d]] / П. Н. Метлинский [и др.]. - С .52-56 Другие авторы: Тырзиу В. Г., Маркус М. М., Дерид О. П. фывфыв: микроструктура сплавов, кристаллография, твердые растворы Овечкина, Е. Е. Растворимость Mn в In[[d]]2[[/d]]Te[[d]]3[[/d]] / Е. Е. Овечкина. - С .57-61 фывфыв: растворимость марганца, свойства марганца, неорганические материалы Сысоев, Л. А. Влияние давления инертного газа на фазовую устойчивость конденсированных сульфидов цинка и кадмия / Л. А. Сысоев, О. П. Вербицкий. - С .62-64 фывфыв: рост кристаллов, инертные газы, химические реакции Мащенко, В. Е. О характеристиках фототока монокристаллов селенида кадмия, легированных медью / В. Е. Мащенко [и др.]. - С .65-70 Другие авторы: Гусаченко А. Г., Ванцан В. М., Булгаков Б. М., Носачев Б. Г. фывфыв: монокристаллы, селенид кадмия, фототок Глущенко, Н. И. Спектральная фоточувствительность монокристаллов селенида цинка / Н. И. Глущенко [и др.]. - С .71-76 Другие авторы: Мигаль В. П., Носачев Б. Г., Рвачев А. Л. фывфыв: селенид цинка, монокристаллы, химия соединений Сысоев, Л. А. Корелляция изменения светорассеяния и плотности монокристаллов CdS при термообработке / Л. А. Сысоев, А. Д. Ковалева. - С .77-80 фывфыв: отжиг монокристаллов, светорассеяние монокристаллов, пористость монокристаллов Сысоев, Л. А. О возможной природе загрязнения углеродом монокристаллов полупроводниковых халькогенидов, выращенных из расплава под давлением инертного газа / Л. А. Сысоев, Ю. М. Коган, Б. Г. Носачев. - С .81-83 фывфыв: полупроводниковые соединения, монокристаллы, инертные газы Гайсинский, В. Б. Диффузия в приповерхностный слой соединений типа А[[p]]II[[/p]]B[[p]]VI[[/p]] / В. Б. Гайсинский [и др.]. - С .84-87 Другие авторы: Загоруйко Ю. А., Путятин В. Д., Терейковская О. Ф., Файнер М. Ш. фывфыв: диффузия, кристаллы, химические соединения Усоскин, А. И. Оптические постоянные сурьмы в аморфной фазе / А. И. Усоскин, И. Н. Шкляревский. - С .88-91 фывфыв: пленки сурьмы, диэлектрики, молекулярная спектроскопия Панова, А. Н. Исследование влияния термообработки на оптические и сцинтилляционные свойства монокристаллов CsJ(Na) / А. Н. Панова, К. В. Шахова. - С .92-97 фывфыв: сцинтилляционные монокристаллы, термическая обработка, спектры поглощения кристаллов Чайковский, Э. Ф. Влияние температуры подложки на сцинтилляционные характеристики тонкопленочных детекторов на основе монокристаллов CsJ(Na) / Э. Ф. Чайковский [и др.]. - С .98-103 Другие авторы: Цирлин Ю. А., Выдай Ю. Т., Иванова Г. М. фывфыв: тонкие пленки, тонкопленочные детекторы, монокристаллы Глобус, М. Е. Расчет световыхода сцинтилляторов с учетом эффективной зеркальности отражателя. Случай отсутствия оптического контакта / М. Е. Глобус. - С .104-111 фывфыв: сцинтилляторы, монокристаллы, спектрометрия Померанцев, В. В. Улучшение спектрометричности сцинтилляционных ɣ-детекторов / В. В. Померанцев, Ю. А. Цирлин. - С .112-116 фывфыв: спектрометры, световоды, радиометрия Рыбкин, Ю. Ф. Зависимость сцинтилляционных параметров монокристаллов CsJ(TI) от основности расплава / Ю. Ф. Рыбкин, А. С. Середенко. - С .117-121 фывфыв: детекторы сцинтилляционные, монокристаллы, применение сцинтилляторов Бланк, А. Б. Определение α- и β-форм кремниевой кислоты в йодиде натрия и монокристаллах на его основе / А. Б. Бланк, И. Г. Коган. - С .122-126 фывфыв: йодид натрия, монокристаллы, аналитическая химия Бланк, А. Б. Концентрирование сульфатов при нормальной направленной кристаллизации криотектических растворов хлорида и бромида калия / А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. - С .127-131 фывфыв: примеси сульфатов, бромид калия, процесс кристаллизации Несанелис, М. З. Определение микропримесей Cr, Mo, Ti и W в шихте и монокристаллах алюмо-иттриевых гранатов / М. З. Несанелис, Н. В. Кисилевская, Э. С. Золотовицкая. - С .132-136 фывфыв: монокристаллы, спектральный анализ, примесные элементы Смушков, И. В. Высокочувствительная рентгенографическая методика фазового анализа для фаз с близкой рассеивающей способностью / И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. - С .137-142 фывфыв: анализ фазовый, рентгеновская дифрактометрия, рентгеноструктурный анализ Демченко, В. Г. Получение омических контактов на халькогенидах кадмия электролитическим восстановлением / В. Г. Демченко [и др.]. - С .143-149 Другие авторы: Гаплевская С. П., Завертанная Л. С., Рвачев А. Л. фывфыв: халькогениды кадмия, контакты омические, электрохимическое восстановление Дудник, А. Р. Влияние контактного слоя при измерении коэффициента поглощения ультразвуковых волн в кристаллах импульсным методом / А. Р. Дудник, Р. В. Коваленок, В. Н. Лагутина. - С .150-157 фывфыв: ультразвуковые измерения, кристаллы, коэффициент поглощения волн Зайцева, В. И. Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира / В. И. Зайцева, М. Е. Довгань. - С .158-163 фывфыв: процесс шлифовки, монокристаллы лейкосапфира, профиль шероховатости Лифиц, А. Л. Влияние многократного облучения гамма-радиацией на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием / А. Л. Лифиц [и др.]. - С .164-168 Другие авторы: Цирлин Ю. А., Гуревич Н. Ю., Бродский М. М., Будилов И. С., Шеховцов С. А., Котина Е. Г. фывфыв: малая инерционность фона , кристаллы йодистого натрия, гамма-радиация Кибальчич, Г. А. Счетные характеристики сцинтилляционных счетчиков с детекторами на основе монокристаллов NaJ(TI) при регистрации обратно рассеянного гамма-излучения / Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. - С .169-174 фывфыв: гамма-излучение, счетчики сцинтилляционные, монокристаллы Маликов, В. Я. Исследование динамических характеристик компрессионной печи выращивания монокристаллов соединений А[[p]]II[[/p]]B[[p]]VI[[/p]] / В. Я. Маликов, В. И. Костенко, Л. А. Сысоев. - С .175-181 фывфыв: рост монокристаллов, печи компрессионные, химическая технология Берданов, И. Т. Регулятор температуры повышенной надежности / И. Т. Берданов, П. Е. Стадник. - С .182-185 фывфыв: выращивание монокристаллов, регулятор температуры, работа кристаллизатора Бончковский, В. И. Приставка к прибору ПКС-125 / В. И. Бончковский [и др.]. - С .186-188 Другие авторы: Вассернис Р. И., Перли Б. С., Петиков Н. Ф., Скоробогатов Б. С. фывфыв: монокристаллы, кристаллография, напряжение в кристаллах Гайсинский, В. Б. Устройство для измерения параметров высокочастотных широкополосных пьезопреобразователей / В. Б. Гайсинский [и др.]. - С .189-190 Другие авторы: Загоруйко Ю. А., Гурьев В. Р., Файнер М. Ш. фывфыв: акустоэлектрический датчик, пьезопреобразователи широкополосные, монокристаллы
Keywords: ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ПЛЕНКИ ЖЕЛЕЗО-ИТТРИЕВОГО ГРАНАТА -- КРИСТАЛЛЫ КОРУНДА -- МЕТОД ЧУХРАЙСКОГО -- РАСТВОРИМОСТЬ -- ЭНЕРТНЫЕ ГАЗЫ -- ДИФФУЗИЯ -- ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Сало, В. И. Пузиков, В. М. Дерид, О. П. Булгаков, Б. М. Носачев, Б. Г. Рвачев, А. Л. Терейковская, О. Ф. Файнер, М. Ш. Иванова, Г. М. Бродский, М. М. Будилов, И. С. Шеховцов, С. А. Котина, Е. Г. Петиков, Н. Ф. Скоробогатов, Б. С. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Монокристаллы и техника [Текстььь] : сб. ст. Вып. 1(10) / ВНИИ монокристаллов ; отв. ред. Э. Ф. Чайковский. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1974. - 185 с. : рис. - 0.50 р. Содержание: Каплан, М. С. Исследование напряжений в оптически активных кристаллах / М. С. Каплан, И. В. Смушков, В. И. Сумки. - С .1-6. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, напряжение кристаллов, оптика Афанасьев, И. И. О фотоупругих свойствах кристаллов кубических классов 23 и m3 / И. И. Афанасьев, Л. К. Андрианова. - С .7-13. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, фотоупругость кристаллов, монокристаллы Сысоев, Л. А. Исследование светорассеяния в монокристаллах CdS, выращенных из расплава / Л. А. Сысоев [и др.]. - С .14-19. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Булгаков Б. М., Фисун А. И., Вербицкий О. П., Силин В. И. фывфыв: сульфид кадмия, монокристаллы, выращивание кристаллов Cысоев, Л. А. Оптические свойства монокристаллов ZnS-MgS / Л. А. Cысоев, Н. Ф. Обухова. - С .20-24. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: твердые растворы, монокристаллы, оптические свойства Тиман, Б. Л. Влияние рекомбинации на деформационное взаимодействие носителей со звуковой волной в полупроводниках / Б. Л. Тиман, И. Н. Сидоров. - С .25-28. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: физическая акустика, деформация, полупроводники Коваленок, Р. В. Расчет поглощения продольных звуковых волн в монокристаллах NaCl в области низких температур / Р. В. Коваленок. - С .29-36. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, монокристаллы, тепловой фон кристаллов Ковтун, Г. П. Монокристаллические сплавы вольфрама с молибденом и некоторые их свойства / Г. П. Ковтун [и др.]. - С .37-41. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Семененко В. Е., Беловол В. С., Блинкин А. М., Бойко В. В., Цилюрик Н. А. фывфыв: рост кристаллов, вольфрам, молибден Катрич, Н. П. Термическая десорбция водорода из молибдена / Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц, Г. Т. Адонкин. - С .42-46. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: процесс десорбции, монокристаллы, водород Агеева, Н. К. Получение и люминесцентные свойства монокристаллов PbF[[d]]2[[/d]](РЗЭ) / Н. К. Агеева, В. В. Азаров. - С .47-50. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: фтористый свинец, рост кристаллов, спектроскопия кристаллов Азаров, В. В. Получение люминесцирующих тонких пленок CdF[[d]]2[[/d]](Eu[[p]]3+[[/p]]) / В. В. Азаров, Л. Б. Кольнер, Л. Г. Мельник. - С .51-53. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, спектроскопия кристаллов, монокристаллы Азаров, В. В. Рентгенолюминесценция ионов редкоземельных элементов в монокристаллах и порошковых люминофорах Y[[d]]3[[/d]]Al[[d]]5[[/d]]O[[d]]12[[/d]] / В. В. Азаров [и др.]. - С .54-60. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Базилевская Т. А., Ицкович Р. Ю., Квичко Л. А., Рамакаева Р. Ф. фывфыв: спектроскопия кристаллов, редкоземельные элементы, люминофоры порошковые Панова, А. Н. Роль сложных активаторных центров в рекомбинационной люминесценции криталлов NaJ(TI) / А. Н. Панова, Р. Х. Мустафина. - С .61-67. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, люминесценция рекомбинационная , кристаллография Бектурганов, К. Температурные и концентрационные зависимости пластичности кристаллов NaCl(Pb) / К. Бектурганов, А. А. Блистанов, М. П. Шаскольская. - С .68-75. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, механические свойства кристаллов, пластичность кристаллов Захарин, Я. А. Выращивание кристаллических нитей из йодистого цезия / Я. А. Захарин, Л. В. Ковалева, Н. С. Королевская. - С .76-79 фывфыв: кристаллография, сцинтилляционные кристаллы, йодистый цезий Выдай, Ю. Т. Некоторые сцинтилляционные характеристики тонкопленочных детекторов на основе CsJ(TI) / Ю. Т. Выдай, Ю. А. Цирлин, Э. Ф. Чайковский. - С .80-83. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, детекторы тонкопленочные, сцинтилляторы Андрющенко, А. В. Исследование накопления радиационных дефектов в кристаллах йодистого натрия / А. В. Андрющенко [и др.]. - С .84-88. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Гуревич Н. Ю., Долгополова А. В., Нагорная Л. Л., Цирлин Ю. А. фывфыв: йодистый натрий, дефекты радиационные, кристаллография Сысоева, Е. П. Аттестация по световому выходу детекторов, упакованных без оптического контакта / Е. П. Сысоева [и др.]. - С .89-93. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Чериковская В. Я., Зеленская О. В., Цирлин Ю. А. фывфыв: световой выход, монокристаллы, детекторы Гладкова, И. В. Волоконные экраны на основе щелочногалоидных сцинтилляционных кристаллов / И. В. Гладкова [и др.]. - С .94-100. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Замятин Ю. В., Захарин Я. А., Королевская Н. С., Науменко Н. М. фывфыв: кристаллы сцинтилляционные, волоконная оптика, монокристаллы Коновалов, О. М. Расчет профиля внутреннего магнитного поля в аксиально намагниченном цилиндрическом элементе железо-иттриевого граната, легированном галлием / О. М. Коновалов, М. Б. Космына, Е. Н. Пирогов. - С .101-106. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: железо-иттриевый гранат, кристаллография, монокристаллы Коневский, В. С. Влияние температуры изотермического отжига на разрешающую способность элементов оптических систем из корунда / В. С. Коневский, Л. А. Литвинов, В. П. Токмакова. - С .107-110. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: корунд, оптические системы, кристаллография Рыбкин, Ю. Ф. Кислотно-основное потенциометрическое титрование в расплавленном йодистом натрии / Ю. Ф. Рыбкин, В. В. Баник. - С .111-114. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: йодистый натрий, титрование потенциометрическое, кристаллография Рыбкин, Ю. Ф. Очистка хлоридов щелочных металлов и метод контроля ее с помощью электрохимической ячейки с твердым электролитом / Ю. Ф. Рыбкин, О. В. Демирская. - С .115-118. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, твердый электролит, монокристаллы Квичко, Л. А. Сравнительная оценка методов получения окиси алюминия особой чистоты / Л. А. Квичко [и др.]. - С .119-123. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Ицкович Р. Ю., Коток Л. А., Рамакаева Р. Ф., Экель В. А., Камышан Н. И., Василевская Н. В. фывфыв: особо чистые вещества, окись алюминия, монокристаллы Салийчук, Е. К. Полярографическое определение бария и стронция при совместном присутствии / Е. К. Салийчук, Т. И. Андрущенко, Л. А. Коток. - С .124-127. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: полярографический метод, аналитическая химия, анализ веществ Бланк, А. Б. Распределение примесей меди и железа при направленной кристаллизации водных растворов йодида цезия / А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. - С .128-132. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: аналитическая химия, примеси, кристаллизация направленная Арушанов, С. З. О возможности повышения оптической прочности и структурного совершенства поверхности монокристаллов корунда / С. З. Арушанов [и др.]. - С .133-137. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Бабийчук И. П., Бебчук А. С., Громов Д. А., Добровинская Е. Р. фывфыв: корунд, кристаллография, оптическая прочность кристаллов Довгань, М. Е. О характере разрушения лейкосапфира, выращенного методом направленной кристаллизации / М. Е. Довгань, В. И. Зайцева. - С .138-143. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллизация направленная, рост монокристаллов, кристаллография Кошкин, В. М. Терморезисторы на основе In[[d]]2[[/d]]Te[[d]]3[[/d]] и Ga[[d]]2[[/d]]Te[[d]]3[[/d]] / В. М. Кошкин [и др.]. - С .144-147. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Гальчинецкий Л. П., Кулик В. Н., Кулаков В. М. фывфыв: терморезисторы, полупроводники, монокристаллы Маликов, В. Я. Исследование графитового нагревателя компрессионной печи в процессе роста монокристаллов с высокой температурой кристаллизации / В. Я. Маликов [и др.]. - С .148-151. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Сысоев Л. А., Носачев Б. Г., Колодяжный А. И. фывфыв: кристаллография, рост монокристаллов, процесс кристаллизаци Коновалова, М. Я. Измерение диэлектрической проницаемости растворов железо-иттриевого граната в растворителе состава 1, OBaO-O, 6B[[d]]2[[/d]]O[[d]]3[[/d]] при высоких температурах / М. Я. Коновалова, О. М. Коновалов, В. И. Костенко. - С .152-156. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: диэлектрическая проницаемость, монокристаллы граната, кристаллография Носоновский, А. Г. Прибор для определения неравномерности хода вытягивающих устройств кристаллизационных аппаратов / А. Г. Носоновский [и др.]. - С .157-158 Другие авторы: Литвинов Л. А., Василенко С. С., Игнатьев М. Ф. фывфыв: кристаллография, аппараты кристаллизационные, монокристаллы Савинков, А. И. Механические свойства монокристаллов дигидрофосфата аммония (ADP) / А. И. Савинков, М. П. Шаскольская. - С .159-162. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, монокристаллы, структура кристаллов Кин, Л. В. К выбору типа кристаллизационных аппаратов для производства ювелирного рубина / Л. В. Кин, Л. А. Литвинов, В. Н. Извеков. - С .163-169. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: рост кристаллов, корунд, монокристаллы
Keywords: ОПТИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- СВЕТОРАССЕЯНИЕ В МОНОКРИСТАЛЛАХ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ПЛАСТИЧНОСТЬ КРИСТАЛЛОВ -- ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ -- РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Вербицкий, О. П. Силин, В. И. Блинкин, А. М. Бойко, В. В. Цилюрик, Н. А. Квичко, Л. А. Рамакаева, Р. Ф. Нагорная, Л. Л. Цирлин, Ю. А. Королевская, Н. С. Науменко, Н. М. Экель, В. А. Камышан, Н. И. Василевская, Н. В. Громов, Д. А. Добровинская, Е. Р. Кулаков, В. М. Колодяжный, А. И. Игнатьев, М. Ф. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Монокристаллы и техника [Текстььь] : сб. ст. Вып. 2(9) / ВНИИ монокристаллов ; отв. ред. Э. Ф. Чайковский. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1973. - 224 с. : рис. - 0.50 р. Содержание: Андреев, Г. А. Флотационный метод измерения плотности твердых тел и его применения / Г. А. Андреев. - С .1-20. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: температурный метод флотации, флотационные измерения, физика твердого тела Катрич, Н. П. Влияние скорости кристаллизации на структуру и свойства монокристаллов вольфрама, выращенных в глубоком вакууме / Н. П. Катрич [и др.]. - С .21-27. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Пугач Г. М., Розенберг Т. Б., Канищев В. Н. фывфыв: процесс кристаллизации, рост монокристаллов, вольфрам Катрич, Н. П. Получение монокристаллов молибдена из тонкого слоя расплава с использованием электроннолучевого нагрева / Н. П. Катрич, А. Я. Данько, В. Н. Канищев. - С .28-33. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: тугоплавкие металлы, выращивание монокристаллов, молибден Катрич, Н. П. Изучение механизмов рассеяния порошка над расплавом в процессе кристаллизации / Н. П. Катрич, А. Я. Данько. - С .34-40. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: тугоплавкие металлы, процесс кристаллизации, выращивание монокристаллов Романова, Г. И. Управление характером распределения активирующей примеси в кристаллах рубина / Г. И. Романова [и др.]. - С .41-47. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Власов Н. М., Татарченко В. А., Тихонова Н. П. фывфыв: кристаллография, примеси кристаллов, рубин Татарченко, В. А. Устойчивость кристаллизации в способе Вернейля / В. А. Татарченко, Г. И. Романова. - С .48-53. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: рост кристаллов, способ Вернейля, процесс кристаллизации Сысоев, Л. А. Получение и исследование некоторых свойств монокристаллов ZnS-MgS / Л. А. Сысоев, Н. Ф. Обухова. - С .54-57. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, выращивание монокристаллов, физическая оптика Шварцман, С. А. Влияние фазового состава шихты на процесс выращивания кристаллов фторфосфата кальция / С. А. Шварцман [и др.]. - С .58-60. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Суслова С. И., Соколов В. А., Желондзь В. И. фывфыв: фторфосфат кальция, выращивание кристаллов, кристаллография Бирман, Б. И. Теоретическое изучение тепловых полей в сцинтилляционных кристаллах с большим отношением длины к диаметру / Б. И. Бирман, В. М. Фесенко, В. Г. Проценко. - С .61-66 фывфыв: сцинтилляционные кристаллы, выращивание монокристаллов, тепловые поля Захарин, Я. А. Пластическая деформация монокристаллов йодистого цезия, активированных натрием и таллием / Я. А. Захарин [и др.]. - С .67-72. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Ковтун Л. Н., Нагорная Л. Л., Строилова Д. Л., Чиненов А. А. фывфыв: кристаллография, деформация монокристаллов, йодистый цезий Куколь, В. В. Рентгендифрактометрическая методика исследования дефектов упаковки кристаллических плоскостей в монокристаллах / В. В. Куколь, Е. Е. Лакин. - С .73-81. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: физика металлов, кристаллография, анализ рентгенографический Куколь, В. В. Влияние легирования на структуру и концентрацию дефектов упаковки монокристаллов сульфида цинка, выращенных из расплава / В. В. Куколь [и др.]. - С .82-89. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Лакин Е. Е., Носачев Б. Г., Сысоев Л. А. фывфыв: кристаллическая структура, рост кристаллов, дефекты упаковки плоскостей Куколь, В. В. Рентгеновское исследование изменений структуры и параметров кристаллической решетки при термической обработке чистых и легированных монокристаллов сульфида цинка / В. В. Куколь, Е. Е. Лакин, Л. А. Сысоев. - С .90-98. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: сульфид цинка, кристаллография, рост кристаллов Федоренко, О. А. Возникновение микротрещин в локально деформированных монокристаллах ZnSe / О. А. Федоренко, Л. В. Атрощенко. - С .99-104. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: микротвердость минералов, пластическая деформация, монокристаллы Подус, Л. П. Об использовании соотношения (∆x)[[p]]2[[/p]] ~Dt для определения коэффициента диффузии / Л. П. Подус, И. В. Смушков. - С .105-108 фывфыв: коэффициент диффузии, монокристаллы, кристаллография Чайковский, Э. Ф. Применение вторичной ионно-ионной эмиссии для анализа состава непроводящих твердых тел / Э. Ф. Чайковский, В. М. Евсеев. - С .109-114. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: явление вторичной ионно-ионной эмиссии , электропроводность материалов, физика твердого тела Бончковский, В. И. Температурное уширение и смещение энергетических уровней Nd[[p]]3+[[/p]] в ряду вольфраматов со структурой шеелита / В. И. Бончковский, С. А. Сазонова. - С .115-125. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: вольфрамат кальция, примесные ионы, температурное смещение Бончковский, В. И. Температурная зависимость вероятности излучательных переходов иона Nd[[p]]3+[[/p]] в кристаллах со структурой шеелита / В. И. Бончковский, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. - С .126-128. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: спектроскопия кристаллов, структура шеелита, кристаллография Птицын, Г. В. Декорирование электрически активных центров в процессе диффузии адсорбированных атомов золота по поверхности CsJ / Г. В. Птицын, Г. Х. Розенберг, Э. Ф. Чайковский. - С .129-132. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: рост кристаллов, методика декорирования центров, атомы золота Лифиц, А. Л. Влияние дозировки активатора на сцинтилляционные характеристики детекторов на основе NaJ(TL) / А. Л. Лифиц [и др.]. - С .133-140. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Цирлин Ю. А., Гуревич Н. Ю., Кобленц М. Л., Будилов И. С. фывфыв: кристаллография, монокристаллы, дозировка активатора Чайковский, Э. Ф. Сцинтилляционные характеристики пленочных детекторов на основе CsJ(Na) / Э. Ф. Чайковский [и др.]. - С .141-146. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Цирлин Ю. А., Выдай Ю. Т., Иванова Г. М. фывфыв: детекторы пленочные, тонкие пленки, сцинтилляторы пленочные Говорова, Р. А. Поверхностная энергия некоторых кристаллов, определенная методом взаимного шлифования / Р. А. Говорова, В. И. Лукашенко, В. И. Зайцева. - С .147-152. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: метод взаимного шлифования, кристаллография, шлифовка кристаллов Рыбкин, Ю. Ф. Шкала основности в расплавленном йодистом натрии / Ю. Ф. Рыбкин, В. В. Баник. - С .153-158. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: йодистый натрий, основности вещества, кристаллография Комарь, Н. П. Определение цинка, кобальта и никеля в хлориде калия методом многокомпонентной спектрофотометрии / Н. П. Комарь, Л. С. Манжелий. - С .159-164. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: метод спектрофотометрии, кристаллография, колориметрия Манжелий, Л. С. Определение содержания воды в йодиде цезия / Л. С. Манжелий, Л. М. Никитина, А. М. Булгакова. - С .165-169. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: аналитическая химия, йодид цезия, титрование реактивом Дарвойд, Т. И. Применение регрессионного анализа для исследования распределения примесей при направленной кристаллизации йодида натрия / Т. И. Дарвойд, Г. Н. Веселая, А. Б. Бланк. - С .170-178. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: йодида натрия, анализ регрессионный, кристаллизация направленная Каулько, Л. А. Экстракционно-фотометрическое определение микропримесей меди и железа в окиси алюминия и алюмо-аммонийных квасцах / Л. А. Каулько, Л. И. Сорока, Н. Т. Сизоненко. - С .179-183. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: микропримеси монокриталлов, экстракционно-фотометрический метод анализа, кристаллография Бланк, А. Б. Поведение примесей лития и рубидия при направленной кристаллизации раствора бромида калия криотектического состава / А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. - С .184-188. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллизация направленная, примеси, кристаллография Бланк, А. Б. О критериях эффективности очистки материалов или концентрирования примесей методом направленной кристаллизации / А. Б. Бланк. - С .189-193. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллизация направленная, очистка материалов, примеси Карамышева, А. И. Исследование процесса получения молибдата свинца / А. И. Карамышева [и др.]. - С .194-200. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Квичко Л. А., Коток Л. А., Ицкович Р. Ю. фывфыв: синтез молибдата свинца, рост монокристаллов, химические реакции Арзуманян, Ш. О. К исследованию теплопередачи в газопламенной кристаллизационной печи / Ш. О. Арзуманян, Л. А. Литвинов, С. Н. Шорин. - С .201-205 фывфыв: выращивание кристаллов, теплопередача, кристаллография
Keywords: КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ МОЛИБДЕНА -- СПОСОБ ВЕРНЕЙЛЯ -- СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- ПЛАСТИЧЕСКАЯ ДЕФОРМАЦИЯ КРИСТАЛЛОВ -- ПЛЕНОЧНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ -- МЕТОД НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИОННЫЕ ПЕЧИ Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Канищев, В. Н. Тихонова, Н. П. Желондзь, В. И. Строилова, Д. Л. Чиненов, А. А. Сысоев, Л. А. Кобленц, М. Л. Будилов, И. С. Иванова, Г. М. Ицкович, Р. Ю. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Монокристаллы и техника [Текстььь] : сб. ст. Вып. 6 / ВНИИ монокристаллов ; отв. ред. Э. Ф. Чайковский. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1972. - 270 с. : рис. - 0.50 р. Содержание: Багдасаров, Х. С. Современные тенденции в развитии методов кристаллизации и возможность получения совершенных монокристаллов корунда / Х. С. Багдасаров, Е. Р. Добровинская, В. В. Пищик. - С .3-20. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, корунд, кристаллизация Смушков, И. В. Рентгенографическое исследование деформированного состояния фтористого лития / И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. - С .21-26. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: пластическая деформация, фтористый литий, монокристаллы Панова, А. Н. О желтой люминесценции кристаллов йодистого цезия / А. Н. Панова, Н. В. Ширан. - С .27-32. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, люминесценциия желтая , цезий Тагиева, М. М. Электропроводность кристалла хлористого калия, содержащего анионные примеси / М. М. Тагиева, М. П. Шаскольская. - С .33-37. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: щелочногалоидные кристаллы, примеси анионные, электропроводность хлористого калия Адамов, Л. С. Легирование полупроводников типа In[[d]]2[[/d]]Te[[d]]3[[/d]] методом зонного выравнивания / Л. С. Адамов, Л. П. Гальчинецкий, А. И. Корин. - С .38-45. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: зонная плавка, полупроводники, процесс легирования Коган, Ю. М. Неэквивалентные sp[[p]]3[[/p]]-гибриды в полупроводниках с тетраэдрической координацией атомов / Ю. М. Коган, В. М. Кошкин, Л. А. Сысоев. - С .46-52. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: координация тетраэдрическая, полупроводники, кристаллография Тиман, Б. Л. Явление рекомбинационного усиления звука в полупроводниках. 1. Случай прямой рекомбинации зона-зона / Б. Л. Тиман. - С .53-59. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: процесс рекомбинации, звук, полупроводники Тиман, Б. Л. Явление рекомбинационного усиления звука в полупроводниках. 2. Случай рекомбинации через уровни локальных центров в запрещенной зоне / Б. Л. Тиман. - С .60-68. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: звук, полупроводники, прямая рекомбинация Добровинская, Е. Р. Об изменении структурного совершенства монокристаллов корунда в процессе высокотемпературного отжига / Е. Р. Добровинская [и др.]. - С .69-73. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Галагуря А. Н., Литвинов Л. А., Черник М. М. фывфыв: отжиг высокотемпературный, рост кристаллов, корунд Бабийчук, И. П. Определение природы дислокаций в монокристаллах корунда методом избирательного травления / И. П. Бабийчук [и др.]. - С .74-77. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Галагуря А. Н., Добровинская Е. Р., Черник М. М. фывфыв: кристаллография, корунд, возникновение дислокаций Фесенко, В. М. Двойная инжекция в полупроводник при больших напряженностях электрического поля / В. М. Фесенко. - С .78-84. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: полупроводники, инжекция двойная, напряженность поля Тиман, Б. Л. Статическая вольт-амперная характеристика диэлектрического диода с ловушками при учете зависимости подвижности электронов от напряженности электрического поля / Б. Л. Тиман, В. М. Фесенко. - С .85-90. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: подвижность электронов, диоды диэлектрические, напряженность поля Адамов, Л. С. Выращивание и некоторые свойства монокристаллов сульфида цинка, легированных донорными примесями / Л. С. Адамов, Л. А. Саркисов, Л. А. Сысоев. - С .91-96. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание кристаллов, примеси донорные, цинк Гальчинецкий, Л. П. Действие быстрых нейтронов на полупроводниковые кристаллы типа A[[d]]2[[/d]][[p]]III[[/p]]B[[d]]3[[/d]][[p]]VI[[/p]] / Л. П. Гальчинецкий [и др.]. - С .97-102. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Кошкин В. М., Кулаков В. М., Кулик В. Н., Улманис У. А., Шаховцов В. И. фывфыв: полупроводники, примеси, кристаллы Cысоев, Л. А. О природе и механизме образования собственных дефектов при отжиге кристаллов CdS / Л. А. Cысоев, А. Д. Ковалева. - С .103-108. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, отжиг кристаллов, дефекты кристаллов Гайсинский, В. Б. Ионное легирование монокристаллов сульфида кадмия / В. Б. Гайсинский [и др.]. - С .109-112. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Гальчинецкий Л. П., Григорьев А. Н., Кошкин В. М., Кулик В. Н., Николайчук Л. И., Пивовар Л. И., Райскин Э. К., Сысоев Л. А., Файнер М. Ш. фывфыв: монокристаллы, легирование ионное, сульфид кадмия Сысоев, Л. А. Влияние концентрации акцепторной примеси в приповерхностном высокоомном слое монокристалла селенида кадмия на процессы фотопроводимости и инерционность / Л. А. Сысоев, А. Г. Гусаченко. - С .113-117. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: рост кристаллов, селенид кадмия, примеси акцепторные Чайковский, Э. Ф. Временная зависимость ионного тока при ионизаци на грани (100) вольфрама щелочного металла и щелочногалоидной соли / Э. Ф. Чайковский, Г. М. Пятигорский, Ю. Ф. Деркач. - С .118-125. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: ионизация поверхностная, щелочные металлы, монокристаллы Редькин, В. С. Уменьшение концентрации углерода на поверхности карбида МоС при нагреве по данным спектров Оже-электронов / В. С. Редькин [и др.]. - С .126-129. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Зашквара В. В., Корсунский М. И., Чайковский Э. Ф., Власенко В. А., Сотников В. Т. фывфыв: электроны Оже, углерод, спектры Оже Дубовик, М. Ф. Исследование доменной и дислокационной структуры монокристаллов ниобата бария-стронция / М. Ф. Дубовик [и др.]. - С .130-133. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Дрогайцев Е. А., Мартынов В. П., Теплицкая Т. С. фывфыв: структура кристаллов, кристаллография, рост кристаллов Крайнюков, Н. И. Пластическая деформация монокристаллов йодистого натрия / Н. И. Крайнюков, Д. Л. Строилова, Л. Н. Ковтун. - С .134-139. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, деформация пластическая, йодистый натрий Бродский, М. М. Влияние температуры облучения на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием / М. М. Бродский [и др.]. - С .140-142. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Гуревич Н. Ю., Лифиц А. Л., Цирлин Ю. А. фывфыв: кристаллография, йодистый натрий, температура облучения Цирлин, Ю. А. К вопросу об анализе сигналов сцинтилляционных детекторов различных типов / Ю. А. Цирлин [и др.]. - С .143-147 Другие авторы: Грудская Л. Е., Тер-Гевондян В. Г., Мешман А. П. фывфыв: детекторы сцинтилляционные, анализаторы импульсов, кристаллография Глобус, М. Е. О влиянии многократного рассеяния γ-квантов на энергетическое разрешение сцинтилляционного спектрометра / М. Е. Глобус. - С .148-153. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: сцинтилляторы, монокристаллы, рассеяние γ-квантов Бурцев, В. Н. Физика отказов сцинтилляционных детекторов / В. Н. Бурцев [и др.]. - С .154-159. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Никулина Р. А., Говорова Р. А., Кравченко Н. Г. фывфыв: монокристаллы, сцинтилляторы, отказ элемента Коновалов, О. М. Исследование фазового состава систем, применяемых для выращивания монокристаллов кальций-висмут-ванадиевого феррограната / О. М. Коновалов [и др.]. - С .160-164. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Космына М. Б., Ли Фун-га С. Н., Нагорная Л. Л., Прокопович С. Ф. фывфыв: твердые растворы, монокристаллы, рост кристаллов Коновалов, О. М. Изготовление ориентированных ферритовых элементов из монокристаллов железо-иттриевого граната / О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. С. Зибров. - С .165-168. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: ферриты, монокристаллы, железо-иттриевый гранат Довгань, М. Е. Некоторые исследования микрорельефа пластин корунда в процессе обработки / М. Е. Довгань, В. И. Зайцева, М. Т. Карпенко. - С .169-173. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, корунд, процесс шлифовки Катрич, Н. П. Установка для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов методом плавающей зоны / Н. П. Катрич, А. Я. Данько, Г. М. Пугач. - С .174-180. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание кристаллов, метод плавающей зоны, тугоплавкие металлы Катрич, Н. П. Установка для выращивания тугоплавких монокристаллов из тонкого слоя расплава / Н. П. Катрич, А. Я. Данько, Г. М. Пугач. - С .181-185. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, газовые примеси, выращивание кристаллов Катрич, Н. П. Анализ газов, растворенных в тугоплавких металлах / Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц. - С .186-192. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: газовый анализ, тугоплавкие металлы, монокристаллы Дайч, А. Р. Влияние качества поверхности на световыход сцинтиллятора CsJ(TI) с малым отношением высоты к диаметру / А. Р. Дайч, В. А. Суслопаров, Ю. А. Цирлин. - С .193-198. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, сцинтилляторы, световыход пластин Кибальчич, Г. А. Влияние выходной цепи ФЭУ на счетную характеристику / Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. - С .199-202. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: сцинтилляционные счетчики, фотоумножители, сцинтилляторы Литвинов, Л. А. К вопросу об идеальной поверхности шихты окиси алюминия / Л. А. Литвинов, И. Б. Казимирова. - С .203-205. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание кристаллов, способ сепарации, окись алюминия Маликов, В. Я. Контроль сопротивления нагревателя печи в процессе выращивания монокристаллов / В. Я. Маликов, Л. А. Сысоев. - С .206-209. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание монокристаллов, компрессионная печь, процесс нагрева Костенко, А. В. Датчики действующего значения напряжения переменного тока и их использование в системах регулирования теплового режима печей выращивания монокристаллов / А. В. Костенко, В. Я. Маликов. - С .210-214. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание монокристаллов, тепловой режим печей, электрическое напряжение Васильчук, В. Г. Установка для исследования электрических свойств твердых диэлектриков в широком интервале температур / В. Г. Васильчук, Л. С. Зубенко, Э. М. Мадикян. - С .215-217 фывфыв: диэлектрики твердые, электропроводность монокристаллов, выращивание монокристаллов Смирнов, В. А. Применение алкоголятов алюминия для получения окиси алюминия высокой чистоты / В. А. Смирнов [и др.]. - С .218-224. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Колеущенко А. Г., Чичарова А. Д., Николаев Р. К. фывфыв: окись алюминия, дистилляционная очистка, изопропилат алюминия Азаров, В. В. Влияние микроискажений кристаллической решетки LaF[[d]]3[[/d]] на концентрационное тушение люминесценции неодима / В. В. Азаров [и др.]. - С .225-227. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Минков Б. И., Скоробогатов Б. С., Щербина Е. В. фывфыв: фтористый лантан, кристаллография, рост кристаллов Батуричева, З. Б. О потерях дозиметрической информации в фосфорах CaS(Bi, Zn, Na) / З. Б. Батуричева, А. А. Бондаренко. - С .228-229. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: термолюминофоры, дозиметрия, монокристаллы Адамов, Л. С. Влияние концентрации донорных примесей на проводимость монокристаллов CdS / Л. С. Адамов [и др.]. - С .230-231. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Саркисов Л. А., Сысоев Л. А., Файнер М. Ш. фывфыв: монокристаллы, примеси донорные, химический анализ Гайсинский, В. Б. Влияние свойств контактов на потери в высокочастотных пьезопреобразователях с диффузионным слоем в CdS / В. Б. Гайсинский [и др.]. - С .232-233. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Загоруйко Ю. А., Сысоев Л. А., Файнер М. Ш. фывфыв: пьезопреобразователи высокочастотные, диффузионный слой, поверхностный слой Обуховский, Я. А. Обнаружение полифосфатов в дигидрофосфате калия / Я. А. Обуховский, М. И. Колыбаева. - С .234-236. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: полифосфаты, калий, монокристаллы Катрич, Н. П. К определению состава газовых включений в монокристаллах из окиси алюминия и бромистого калия / Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц. - С .237-239 фывфыв: кристаллография, газовые включения, монокристаллы Звягинцев, В. Н. Устройство программного управления двигателем / В. Н. Звягинцев, В. С. Суздаль, П. И. Корнилич. - С .240-242 фывфыв: монокристаллы, выращивание кристаллов, программное управление Костенко, А. В. Диапазонный генератор низкочастотных прямоугольных импульсов для программных устройств / А. В. Костенко, В. Я. Маликов. - С .243-245. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, программное управление, генератор диапазонный
Keywords: МОНОКРИСТАЛЛЫ КОРУНДА -- МОНОКРИСТАЛЛЫ ЙОДИСТОГО ЦЕЗИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ СУЛЬФИДА ЦИНКА -- МОНОКРИСТАЛЛЫ ЙОДИСТОГО НАТРИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ СУЛЬФИДА КАДМИЯ -- ПЛАСТИЧЕСКАЯ ДЕФОРМАЦИЯ -- СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЕ ДЕТЕКТОРЫ -- ЖЕЛЕЗО-ИТТРИЕВЫЙ ГРАНАТ -- ТУГОПЛАВКИЕ МЕТАЛЛЫ -- ПЕЧИ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Черник, М. М. Кулик, В. Н. Улманис, У. А. Шаховцов, В. И. Кошкин, В. М. Николайчук, Л. И. Пивовар, Л. И. Райскин, Э. К. Сысоев, Л. А. Файнер, М. Ш. Чайковский, Э. Ф. Власенко, В. А. Сотников, В. Т. Теплицкая, Т. С. Цирлин, Ю. А. Мешман, А. П. Кравченко, Н. Г. Нагорная, Л. Л. Прокопович, С. Ф. Николаев, Р. К. Щербина, Е. В. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Зайцева, В. И. Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира [Текстььь] / В. И. Зайцева, М. Е. Довгань> // Монокристаллы и техника : сб. ст. / ВНИИ монокристаллов. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1973. - Вып. 1(8). - С. 158-163
Keywords: процесс шлифовки -- монокристаллы лейкосапфира -- профиль шероховатости Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Довгань, М. Е. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Говорова, Р. А. Поверхностная энергия некоторых кристаллов, определенная методом взаимного шлифования [Текстььь] / Р. А. Говорова, В. И. Лукашенко, В. И. Зайцева> // Монокристаллы и техника : сб. ст. / ВНИИ монокристаллов. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1973. - Вып. 2(9). - С. 147-152. - Библиогр. в конце ст.
Keywords: метод взаимного шлифования -- кристаллография -- шлифовка кристаллов Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Лукашенко, В. И. Зайцева, В. И. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Довгань, М. Е. Некоторые исследования микрорельефа пластин корунда в процессе обработки [Текстььь] / М. Е. Довгань, В. И. Зайцева, М. Т. Карпенко> // Монокристаллы и техника : сб. ст. / ВНИИ монокристаллов. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1972. - Вып. 6. - С. 169-173. - Библиогр. в конце ст.
Keywords: кристаллография -- корунд -- процесс шлифовки Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Зайцева, В. И. Карпенко, М. Т. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Довгань, М. Е. О характере разрушения лейкосапфира, выращенного методом направленной кристаллизации [Текстььь] / М. Е. Довгань, В. И. Зайцева> // Монокристаллы и техника : сб. ст. / ВНИИ монокристаллов. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1974. - Вып. 1(10). - С. 138-143. - Библиогр. в конце ст.
Keywords: кристаллизация направленная -- рост монокристаллов -- кристаллография Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Зайцева, В. И. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |