М 77 Монокристаллы и техника [Текстььь] : сб. ст. Вып. 1(8) / ВНИИ монокристаллов ; отв. ред. Э. Ф. Чайковский. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1973. - 210 с. : рис. - 0.50 р. Содержание: Квятковская, Е. Ф. Выращивание монокристаллов смешанных феррошпинелей из раствора в расплаве / Е. Ф. Квятковская, С. Ф. Прокопович. - С .3-6 фывфыв: монокристаллы феррошпинелей, рост кристаллов, электронная техника Коновалов, О. М. Эпитаксиальный рост пленок железо-иттриевого граната из раствора в расплаве / О. М. Коновалов [и др.]. - С .7-11 Другие авторы: Космына М. Б., Пузиков В. М., Сало В. И. фывфыв: железо-иттриевый гранат, тонкие пленки, кристаллография Коновалов, О. М. Выращивание монокристаллов железо-иттриевого граната в атмосфере кислорода / О. М. Коновалов [и др.]. - С .12-17 Другие авторы: Космына М. Б., Мнацаканова Т. Р., Пузиков В. М. фывфыв: рост кристаллов, железо-иттриевый гранат, монокристаллы Коновалов, О. М. Исследование диффузии железо-иттриевого граната в растворителе BaO-B[[d]]2[[/d]]O[[d]]3[[/d]] / О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. П. Воронов. - С .18-23 фывфыв: процесс диффузии, железо-иттриевый гранат, жидкие расплавы Мусатов, М. И. Образование вакуумных полостей в кристаллах корунда, выращенных методом Чохральского / М. И. Мусатов. - С .24-27 фывфыв: пористость кристаллов, вакуумные полости, метод Чохральского Бончковский, В. И. Анизотропия неоднородной и однородной ширины линий поглощения иона Nd[[p]]3+[[/p]] в кристаллах CaWO[[d]]4[[/d]] и LaNa(WO[[d]]4[[/d]])[[d]]2[[/d]] / В. И. Бончковский, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. - С .28-32 фывфыв: анизотропия, монокристаллы, линии поглощения иона Панова, А. Н. Электронные центры окраски в кристаллах NaJ(TI) / А. Н. Панова, Р. Х. Мустафина, Е. М. Быкова. - С .33-42 фывфыв: облучение кристаллов, спектрометрия, спектры поглощения Угланова, В. В. Поглощение V[[d]]3[[/d]] -центра в кристалле LiF / В. В. Угланова. - С .43-46 фывфыв: рост кристаллов, люминесценция, полоса поглощения кристаллов Чаркина, Т. А. Соотношение между концентрациями F- и M -центров в кристаллах LiF / Т. А. Чаркина, В. В. Угланова. - С .47-51 фывфыв: радиация ионизирующая, облучение кристаллов, ионные структуры кристаллов Метлинский, П. Н. Диаграмма состояния системы HgSe-Ca[[d]]2[[/d]]Se[[d]]3[[/d]] / П. Н. Метлинский [и др.]. - С .52-56 Другие авторы: Тырзиу В. Г., Маркус М. М., Дерид О. П. фывфыв: микроструктура сплавов, кристаллография, твердые растворы Овечкина, Е. Е. Растворимость Mn в In[[d]]2[[/d]]Te[[d]]3[[/d]] / Е. Е. Овечкина. - С .57-61 фывфыв: растворимость марганца, свойства марганца, неорганические материалы Сысоев, Л. А. Влияние давления инертного газа на фазовую устойчивость конденсированных сульфидов цинка и кадмия / Л. А. Сысоев, О. П. Вербицкий. - С .62-64 фывфыв: рост кристаллов, инертные газы, химические реакции Мащенко, В. Е. О характеристиках фототока монокристаллов селенида кадмия, легированных медью / В. Е. Мащенко [и др.]. - С .65-70 Другие авторы: Гусаченко А. Г., Ванцан В. М., Булгаков Б. М., Носачев Б. Г. фывфыв: монокристаллы, селенид кадмия, фототок Глущенко, Н. И. Спектральная фоточувствительность монокристаллов селенида цинка / Н. И. Глущенко [и др.]. - С .71-76 Другие авторы: Мигаль В. П., Носачев Б. Г., Рвачев А. Л. фывфыв: селенид цинка, монокристаллы, химия соединений Сысоев, Л. А. Корелляция изменения светорассеяния и плотности монокристаллов CdS при термообработке / Л. А. Сысоев, А. Д. Ковалева. - С .77-80 фывфыв: отжиг монокристаллов, светорассеяние монокристаллов, пористость монокристаллов Сысоев, Л. А. О возможной природе загрязнения углеродом монокристаллов полупроводниковых халькогенидов, выращенных из расплава под давлением инертного газа / Л. А. Сысоев, Ю. М. Коган, Б. Г. Носачев. - С .81-83 фывфыв: полупроводниковые соединения, монокристаллы, инертные газы Гайсинский, В. Б. Диффузия в приповерхностный слой соединений типа А[[p]]II[[/p]]B[[p]]VI[[/p]] / В. Б. Гайсинский [и др.]. - С .84-87 Другие авторы: Загоруйко Ю. А., Путятин В. Д., Терейковская О. Ф., Файнер М. Ш. фывфыв: диффузия, кристаллы, химические соединения Усоскин, А. И. Оптические постоянные сурьмы в аморфной фазе / А. И. Усоскин, И. Н. Шкляревский. - С .88-91 фывфыв: пленки сурьмы, диэлектрики, молекулярная спектроскопия Панова, А. Н. Исследование влияния термообработки на оптические и сцинтилляционные свойства монокристаллов CsJ(Na) / А. Н. Панова, К. В. Шахова. - С .92-97 фывфыв: сцинтилляционные монокристаллы, термическая обработка, спектры поглощения кристаллов Чайковский, Э. Ф. Влияние температуры подложки на сцинтилляционные характеристики тонкопленочных детекторов на основе монокристаллов CsJ(Na) / Э. Ф. Чайковский [и др.]. - С .98-103 Другие авторы: Цирлин Ю. А., Выдай Ю. Т., Иванова Г. М. фывфыв: тонкие пленки, тонкопленочные детекторы, монокристаллы Глобус, М. Е. Расчет световыхода сцинтилляторов с учетом эффективной зеркальности отражателя. Случай отсутствия оптического контакта / М. Е. Глобус. - С .104-111 фывфыв: сцинтилляторы, монокристаллы, спектрометрия Померанцев, В. В. Улучшение спектрометричности сцинтилляционных ɣ-детекторов / В. В. Померанцев, Ю. А. Цирлин. - С .112-116 фывфыв: спектрометры, световоды, радиометрия Рыбкин, Ю. Ф. Зависимость сцинтилляционных параметров монокристаллов CsJ(TI) от основности расплава / Ю. Ф. Рыбкин, А. С. Середенко. - С .117-121 фывфыв: детекторы сцинтилляционные, монокристаллы, применение сцинтилляторов Бланк, А. Б. Определение α- и β-форм кремниевой кислоты в йодиде натрия и монокристаллах на его основе / А. Б. Бланк, И. Г. Коган. - С .122-126 фывфыв: йодид натрия, монокристаллы, аналитическая химия Бланк, А. Б. Концентрирование сульфатов при нормальной направленной кристаллизации криотектических растворов хлорида и бромида калия / А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. - С .127-131 фывфыв: примеси сульфатов, бромид калия, процесс кристаллизации Несанелис, М. З. Определение микропримесей Cr, Mo, Ti и W в шихте и монокристаллах алюмо-иттриевых гранатов / М. З. Несанелис, Н. В. Кисилевская, Э. С. Золотовицкая. - С .132-136 фывфыв: монокристаллы, спектральный анализ, примесные элементы Смушков, И. В. Высокочувствительная рентгенографическая методика фазового анализа для фаз с близкой рассеивающей способностью / И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. - С .137-142 фывфыв: анализ фазовый, рентгеновская дифрактометрия, рентгеноструктурный анализ Демченко, В. Г. Получение омических контактов на халькогенидах кадмия электролитическим восстановлением / В. Г. Демченко [и др.]. - С .143-149 Другие авторы: Гаплевская С. П., Завертанная Л. С., Рвачев А. Л. фывфыв: халькогениды кадмия, контакты омические, электрохимическое восстановление Дудник, А. Р. Влияние контактного слоя при измерении коэффициента поглощения ультразвуковых волн в кристаллах импульсным методом / А. Р. Дудник, Р. В. Коваленок, В. Н. Лагутина. - С .150-157 фывфыв: ультразвуковые измерения, кристаллы, коэффициент поглощения волн Зайцева, В. И. Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира / В. И. Зайцева, М. Е. Довгань. - С .158-163 фывфыв: процесс шлифовки, монокристаллы лейкосапфира, профиль шероховатости Лифиц, А. Л. Влияние многократного облучения гамма-радиацией на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием / А. Л. Лифиц [и др.]. - С .164-168 Другие авторы: Цирлин Ю. А., Гуревич Н. Ю., Бродский М. М., Будилов И. С., Шеховцов С. А., Котина Е. Г. фывфыв: малая инерционность фона , кристаллы йодистого натрия, гамма-радиация Кибальчич, Г. А. Счетные характеристики сцинтилляционных счетчиков с детекторами на основе монокристаллов NaJ(TI) при регистрации обратно рассеянного гамма-излучения / Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. - С .169-174 фывфыв: гамма-излучение, счетчики сцинтилляционные, монокристаллы Маликов, В. Я. Исследование динамических характеристик компрессионной печи выращивания монокристаллов соединений А[[p]]II[[/p]]B[[p]]VI[[/p]] / В. Я. Маликов, В. И. Костенко, Л. А. Сысоев. - С .175-181 фывфыв: рост монокристаллов, печи компрессионные, химическая технология Берданов, И. Т. Регулятор температуры повышенной надежности / И. Т. Берданов, П. Е. Стадник. - С .182-185 фывфыв: выращивание монокристаллов, регулятор температуры, работа кристаллизатора Бончковский, В. И. Приставка к прибору ПКС-125 / В. И. Бончковский [и др.]. - С .186-188 Другие авторы: Вассернис Р. И., Перли Б. С., Петиков Н. Ф., Скоробогатов Б. С. фывфыв: монокристаллы, кристаллография, напряжение в кристаллах Гайсинский, В. Б. Устройство для измерения параметров высокочастотных широкополосных пьезопреобразователей / В. Б. Гайсинский [и др.]. - С .189-190 Другие авторы: Загоруйко Ю. А., Гурьев В. Р., Файнер М. Ш. фывфыв: акустоэлектрический датчик, пьезопреобразователи широкополосные, монокристаллы
Keywords: ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ПЛЕНКИ ЖЕЛЕЗО-ИТТРИЕВОГО ГРАНАТА -- КРИСТАЛЛЫ КОРУНДА -- МЕТОД ЧУХРАЙСКОГО -- РАСТВОРИМОСТЬ -- ЭНЕРТНЫЕ ГАЗЫ -- ДИФФУЗИЯ -- ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Сало, В. И. Пузиков, В. М. Дерид, О. П. Булгаков, Б. М. Носачев, Б. Г. Рвачев, А. Л. Терейковская, О. Ф. Файнер, М. Ш. Иванова, Г. М. Бродский, М. М. Будилов, И. С. Шеховцов, С. А. Котина, Е. Г. Петиков, Н. Ф. Скоробогатов, Б. С. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Монокристаллы и техника [Текстььь] : сб. ст. Вып. 4 / ВНИИ монокристаллов ; отв. ред. Э. Ф. Чайковский. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1971. - 229 с. : рис. - 0.50 р. Содержание: Атрощенко, Л. В. Кристаллооптические и структурные особенности монокристаллов сульфида цинка, выращенных из расплава / Л. В. Атрощенко [и др.]. - С .3-9. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Бринцев Ф. И., Саркисов Л. А., Сысоев Л. А. фывфыв: сульфид цинка, кристаллография, монокристаллы Атрощенко, Л. В. О закономерностях изменения микротвердости и микроупругости при стабилизации гексагональной модификации сульфида цинка / Л. В. Атрощенко [и др.]. - С .10-17. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Бринцев Ф. И., Саркисов Л. А., Сысоев Л. А. фывфыв: судьфид цинка, кристаллография, свойства прочности Подлесная, А. Д. Ошибки определения параметров блочной структуры кристаллов при измерении интенсивности отраженного пучка рентгеновских лучей / А. Д. Подлесная, Е. И. Райхельс. - С .18-23. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: рентгеновский анализ, микродефекты, макродефекты Азаров, В. В. Влияние γ-облучения на спектроскопические свойства монокристаллов LaF[[d]]3[[/d]]:Nd[[p]]3+[[/p]] / В. В. Азаров, М. И. Руденко, Е. В. Щербина. - С .24-30. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: спектроскопия кристаллов, рост монокристаллов, фтористый лантан Цинзерлинг, Л. Г. Влияние геометрии связи на форму полярной розетки микротвердости кристаллов / Л. Г. Цинзерлинг [и др.]. - С .31-40. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Шаскольская М. П., Унксов М. Е., Сысоев Л. А. фывфыв: полупроводниковые монокристаллы, микротвердость, кристаллография Добровинская, Е. Р. О ползучести монокристаллов нафталина / Е. Р. Добровинская, Н. Н. Спендкаров, Д. Л. Строилова. - С .41-45. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, нафталин, деформация кристаллов Добровинская, Е. Р. О доменной и дислокационной структуре монокристаллов ниобата лития / Е. Р. Добровинская [и др.]. - С .46-49. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Дрогайцев Е. А., Дубовик М. Ф., Ковалев Ю. Ю. фывфыв: ниобат лития, кристаллография, монокристаллы Кисиль, И. И. О макронеоднородностях в монокристаллах CsJ(Na), выращенных в горизонтальной вращающейся ампуле / И. И. Кисиль, Н. И. Крайнюков. - С .50-54. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллизация, монокристаллы, фазовые превращения Соколовская, Т. И. Определение коэффициента светособирания сцинтиллятора / Т. И. Соколовская, А. И. Копелиович, Ю. А. Цирлин. - С .55-64. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: излучение света, фотометрия, кристаллография Кравченко, Н. Г. Определение энергетического разрешения сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов NaJ(TI) диаметром 200 мм / Н. Г. Кравченко, Е. П. Мохир, Ю. А. Цирлин. - С .72-78. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: детекторы сцинтилляционные, монокристаллы, органические люминофоры Гуревич, Н. Ю. Влияние дозы гамма-излучения на изменение спектрометрических характеристик сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов NaJ(TI) / Н. Ю. Гуревич, С. П. Вершинина, Ю. А. Цирлин. - С .79-82. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: детекторы сцинтилляционные, монокристаллы, кристаллография Дайч, А. Р. Отражение света в сцинтилляционных монокристаллах и отражателях / А. Р. Дайч, Ю. А. Цирлин. - С .65-71. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: сцинтилляторы, монокристаллы, отражатели света Глобус, М. Е. Эффективная зеркальность рассеивающих поверхностей и учет ее в задачах прикладной оптики сцинтилляторов / М. Е. Глобус. - С .83-92. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: оптика рассеивающих сред, фотометрия, оптика сцинтилляторов Цирлин, Ю. А. К вопросу о размерной зависимости световыхода сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов NaJ(TI) / Ю. А. Цирлин, М. Е. Глобус, И. С. Будилов. - С .95-97. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: детекторы сцинтилляционные, монокристаллы, спектроскопия Бирман, Б. И. Теоретическое исследование тепловых условий выращивания монокристаллов по методу Киропулоса / Б. И. Бирман, Б. Л. Тиман. - С .98-107. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: рост монокристаллов, метод Киропулоса, кристаллография Ямпольский, В. А. Некоторые особенности спектра ЭПР ионов Mn[[p]]2+[[/p]] и Gd[[p]]3+[[/p]] в монокристаллах CaWO[[d]]4[[/d]] / В. А. Ямпольский [и др.]. - С .108-113. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Николова Э. П., Дубовик М. Ф., Кобзарь-Зленко В. А. фывфыв: спектроскопия кристаллов, вольфрамат кальция, монокристаллы Рожков, В. В. V[[d]]k[[/d]] - центр в кристалле LiF / В. В. Рожков, В. В. Угланова. - С .114-123. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: фтористый литий, кристаллография, оптическое поглощение Азаров, В. В. Исследование методом ЭПР валентности ионов европия в монокристаллах LaF[[d]]3[[/d]] / В. В. Азаров, Е. Ф. Приставко, В. А. Ямпольский. - С .124-129. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание кристаллов, фтористый лантан, кристаллография Батуричева, З. Б. О термических характеристиках глубоких ловушек носителей заряда в фосфоре CaS(Bi) / З. Б. Батуричева, А. А. Бондаренко, Е. А. Майданова. - С .130-135. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: люминесценция кристаллов, фосфор, кристаллография Дамитов, Б. К. Вклад анормальности распределения числа фотонов в сцинтилляционной вспышке в собственное разрешение кристалла / Б. К. Дамитов. - С .136-139. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, фотоны, вспышка сцинтилляционная Дамитов, Б. К. Численный способ определения энергетического разрешения сцинтилляционного спектрометра / Б. К. Дамитов. - С .140-143 фывфыв: спектрометр сцинтилляционный, метод энергетического разрешения, кристаллография Файнер, М. Ш. О легировании монокристаллов сульфида кадмия литием при изготовлении диффузионных акустоэлектрических преобразователей / М. Ш. Файнер [и др.]. - С .144-148. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Сысоев Л. А., Атрощенко Л. В., Обуховский Я. А. фывфыв: сульфид кадмия, монокристаллы, преобразователи акустоэлектрические Колодиева, С. В. Аномальная диэлектрическая дисперсия в монокристаллах синтетического кварца / С. В. Колодиева, А. А. Фотченков, В. Е. Хаджи. - С .149-155. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кварц синтетический, дисперсия диэлектрическая, монокристаллы Колодиев, Б. Н. О нелинейности диэлектрических свойств монокристаллов слюды / Б. Н. Колодиев, Я. П. Смук, И. Н. Аникин. - С .156-160. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллы слюды, кристаллические диэлектрики, кристаллография Яхнис, Г. И. Определение уровня качества и нормативных значений аппаратурного энергетического разрешения сцинтилляционных детекторов / Г. И. Яхнис [и др.]. - С .161-165. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Цирлин Ю. А., Мохир Е. П., Берловский А. Я. фывфыв: детекторы сцинтилляционные, монокристаллы, аппаратурное энергетическое разрешение Лифиц, А. Л. Влияние микропримесей меди и калия, содержащихся в йодистом натрии, на радиационную прочность детекторов / А. Л. Лифиц [и др.]. - С .166-171. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Цирлин Ю. А., Козырь Г. А., Диденко Р. С., Будилов И. С., Гуревич Н. Ю., Кобленц М. Л. фывфыв: радиационная прочность, детекторы, микропримеси Лифиц, А. Л. Получение йодистого натрия “ос.ч.” из йодистоводородной кислоты / А. Л. Лифиц, Е. А. Бугай, Г. А. Креймер. - С .172-176 фывфыв: йодид натрия, выращивание монокристаллов, кристаллография Берловский, А. Я. Пределы объективности абсолютного метода измерения собственного энергетического разрешения сцинтилляционных детекторов нейтральными светофильтрами / А. Я. Берловский, В. Я. Чериковская. - С .177-179. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: метод нейтральных оптических фильтров, детекторы сцинтилляционные, метод собственного энергетического разрешения Берловский, А. Я. О взаимозаменяемости сцинтилляционных детекторов / А. Я. Берловский, В. Я. Чериковская. - С .180-184. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: детекторы сцинтилляционные, энергетическое разрешение детектора, измерительные приборы Черкасский, Б. Ю. Применение метода планирования экстремальных экспериментов для экономико-математического моделирования процесса производства синтетического корунда / Б. Ю. Черкасский, Е. Е. Кришталь. - С .185-190. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: теория планирования экспериментов, корунд синтетический, математическое моделирование Добровинская, Е. Р. О сколообразовании изделий из монокристаллов корунда / Е. Р. Добровинская [и др.]. - С .191-196. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Бабийчук И. П., Литвинов Л. А., Чукаев В. И. фывфыв: кристаллография, корунд, монокристаллы Берловский, А. Я. Измерение спектра люминесценции детекторов на основе монокристаллов стильбена / А. Я. Берловский, Г. Р. Посошков. - С .197-200. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: детекторы, люминесценция, монокристаллы Замятин, Ю. В. Устройство для подъема и опускания ампулы к печам выращивания монокристаллов из расплава методом направленной кристаллизации / Ю. В. Замятин, Я. А. Захарин, В. Г. Смаль. - С .201-203 фывфыв: метод направленной кристаллизации, выращивание монокристаллов, кристаллография Караванова, М. А. Улучшение качества стабилизации напряжения в установках для выращивания монокристаллов лейкосапфира / М. А. Караванова, А. В. Костромитина, В. Я. Маликов. - С .204-206 фывфыв: зонная плавка, выращивание монокристаллов, лейкосапфир Маликов, В. Я. Влияние длительности управляющих импульсов на распределение токов между параллельно включенными тиристорами в цепях питания печей для выращивания монокристаллов / В. Я. Маликов, М. А. Караванова, И. И. Дейнека. - С .207-209. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: управляющие импульсы, выращивание монокристаллов, тиристоры
Keywords: МОНОКРИСТАЛЛЫ СУЛЬФИДА ЦИНКА -- МИКРОТВЕРДОСТЬ -- МИКРОУПРУГОСТЬ -- БЛОЧНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ -- НАФТАЛИН -- СЦИНТИЛЛЯТОР -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ДИСПЕРСИЯ -- СИНТЕТИЧЕСКИЙ КОРУНД -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ЙОДИСТЫЙ НАТРИЙ -- СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЕ ДЕТЕКТОРЫ -- ГИГРОСКОПИЧЕСКИЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ -- СИНТЕЗ КВАРЦА Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Сысоев, Л. А. Ковалев, Ю. Ю. Кобзарь-Зленко, В. А. Обуховский, Я. А. Берловский, А. Я. Диденко, Р. С. Будилов, И. С. Гуревич, Н. Ю. Кобленц, М. Л. Чукаев, В. И. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Монокристаллы и техника [Текстььь] : сб. ст. Вып. 6 / ВНИИ монокристаллов ; отв. ред. Э. Ф. Чайковский. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1972. - 270 с. : рис. - 0.50 р. Содержание: Багдасаров, Х. С. Современные тенденции в развитии методов кристаллизации и возможность получения совершенных монокристаллов корунда / Х. С. Багдасаров, Е. Р. Добровинская, В. В. Пищик. - С .3-20. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, корунд, кристаллизация Смушков, И. В. Рентгенографическое исследование деформированного состояния фтористого лития / И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. - С .21-26. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: пластическая деформация, фтористый литий, монокристаллы Панова, А. Н. О желтой люминесценции кристаллов йодистого цезия / А. Н. Панова, Н. В. Ширан. - С .27-32. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, люминесценциия желтая , цезий Тагиева, М. М. Электропроводность кристалла хлористого калия, содержащего анионные примеси / М. М. Тагиева, М. П. Шаскольская. - С .33-37. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: щелочногалоидные кристаллы, примеси анионные, электропроводность хлористого калия Адамов, Л. С. Легирование полупроводников типа In[[d]]2[[/d]]Te[[d]]3[[/d]] методом зонного выравнивания / Л. С. Адамов, Л. П. Гальчинецкий, А. И. Корин. - С .38-45. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: зонная плавка, полупроводники, процесс легирования Коган, Ю. М. Неэквивалентные sp[[p]]3[[/p]]-гибриды в полупроводниках с тетраэдрической координацией атомов / Ю. М. Коган, В. М. Кошкин, Л. А. Сысоев. - С .46-52. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: координация тетраэдрическая, полупроводники, кристаллография Тиман, Б. Л. Явление рекомбинационного усиления звука в полупроводниках. 1. Случай прямой рекомбинации зона-зона / Б. Л. Тиман. - С .53-59. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: процесс рекомбинации, звук, полупроводники Тиман, Б. Л. Явление рекомбинационного усиления звука в полупроводниках. 2. Случай рекомбинации через уровни локальных центров в запрещенной зоне / Б. Л. Тиман. - С .60-68. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: звук, полупроводники, прямая рекомбинация Добровинская, Е. Р. Об изменении структурного совершенства монокристаллов корунда в процессе высокотемпературного отжига / Е. Р. Добровинская [и др.]. - С .69-73. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Галагуря А. Н., Литвинов Л. А., Черник М. М. фывфыв: отжиг высокотемпературный, рост кристаллов, корунд Бабийчук, И. П. Определение природы дислокаций в монокристаллах корунда методом избирательного травления / И. П. Бабийчук [и др.]. - С .74-77. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Галагуря А. Н., Добровинская Е. Р., Черник М. М. фывфыв: кристаллография, корунд, возникновение дислокаций Фесенко, В. М. Двойная инжекция в полупроводник при больших напряженностях электрического поля / В. М. Фесенко. - С .78-84. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: полупроводники, инжекция двойная, напряженность поля Тиман, Б. Л. Статическая вольт-амперная характеристика диэлектрического диода с ловушками при учете зависимости подвижности электронов от напряженности электрического поля / Б. Л. Тиман, В. М. Фесенко. - С .85-90. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: подвижность электронов, диоды диэлектрические, напряженность поля Адамов, Л. С. Выращивание и некоторые свойства монокристаллов сульфида цинка, легированных донорными примесями / Л. С. Адамов, Л. А. Саркисов, Л. А. Сысоев. - С .91-96. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание кристаллов, примеси донорные, цинк Гальчинецкий, Л. П. Действие быстрых нейтронов на полупроводниковые кристаллы типа A[[d]]2[[/d]][[p]]III[[/p]]B[[d]]3[[/d]][[p]]VI[[/p]] / Л. П. Гальчинецкий [и др.]. - С .97-102. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Кошкин В. М., Кулаков В. М., Кулик В. Н., Улманис У. А., Шаховцов В. И. фывфыв: полупроводники, примеси, кристаллы Cысоев, Л. А. О природе и механизме образования собственных дефектов при отжиге кристаллов CdS / Л. А. Cысоев, А. Д. Ковалева. - С .103-108. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, отжиг кристаллов, дефекты кристаллов Гайсинский, В. Б. Ионное легирование монокристаллов сульфида кадмия / В. Б. Гайсинский [и др.]. - С .109-112. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Гальчинецкий Л. П., Григорьев А. Н., Кошкин В. М., Кулик В. Н., Николайчук Л. И., Пивовар Л. И., Райскин Э. К., Сысоев Л. А., Файнер М. Ш. фывфыв: монокристаллы, легирование ионное, сульфид кадмия Сысоев, Л. А. Влияние концентрации акцепторной примеси в приповерхностном высокоомном слое монокристалла селенида кадмия на процессы фотопроводимости и инерционность / Л. А. Сысоев, А. Г. Гусаченко. - С .113-117. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: рост кристаллов, селенид кадмия, примеси акцепторные Чайковский, Э. Ф. Временная зависимость ионного тока при ионизаци на грани (100) вольфрама щелочного металла и щелочногалоидной соли / Э. Ф. Чайковский, Г. М. Пятигорский, Ю. Ф. Деркач. - С .118-125. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: ионизация поверхностная, щелочные металлы, монокристаллы Редькин, В. С. Уменьшение концентрации углерода на поверхности карбида МоС при нагреве по данным спектров Оже-электронов / В. С. Редькин [и др.]. - С .126-129. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Зашквара В. В., Корсунский М. И., Чайковский Э. Ф., Власенко В. А., Сотников В. Т. фывфыв: электроны Оже, углерод, спектры Оже Дубовик, М. Ф. Исследование доменной и дислокационной структуры монокристаллов ниобата бария-стронция / М. Ф. Дубовик [и др.]. - С .130-133. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Дрогайцев Е. А., Мартынов В. П., Теплицкая Т. С. фывфыв: структура кристаллов, кристаллография, рост кристаллов Крайнюков, Н. И. Пластическая деформация монокристаллов йодистого натрия / Н. И. Крайнюков, Д. Л. Строилова, Л. Н. Ковтун. - С .134-139. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, деформация пластическая, йодистый натрий Бродский, М. М. Влияние температуры облучения на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием / М. М. Бродский [и др.]. - С .140-142. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Гуревич Н. Ю., Лифиц А. Л., Цирлин Ю. А. фывфыв: кристаллография, йодистый натрий, температура облучения Цирлин, Ю. А. К вопросу об анализе сигналов сцинтилляционных детекторов различных типов / Ю. А. Цирлин [и др.]. - С .143-147 Другие авторы: Грудская Л. Е., Тер-Гевондян В. Г., Мешман А. П. фывфыв: детекторы сцинтилляционные, анализаторы импульсов, кристаллография Глобус, М. Е. О влиянии многократного рассеяния γ-квантов на энергетическое разрешение сцинтилляционного спектрометра / М. Е. Глобус. - С .148-153. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: сцинтилляторы, монокристаллы, рассеяние γ-квантов Бурцев, В. Н. Физика отказов сцинтилляционных детекторов / В. Н. Бурцев [и др.]. - С .154-159. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Никулина Р. А., Говорова Р. А., Кравченко Н. Г. фывфыв: монокристаллы, сцинтилляторы, отказ элемента Коновалов, О. М. Исследование фазового состава систем, применяемых для выращивания монокристаллов кальций-висмут-ванадиевого феррограната / О. М. Коновалов [и др.]. - С .160-164. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Космына М. Б., Ли Фун-га С. Н., Нагорная Л. Л., Прокопович С. Ф. фывфыв: твердые растворы, монокристаллы, рост кристаллов Коновалов, О. М. Изготовление ориентированных ферритовых элементов из монокристаллов железо-иттриевого граната / О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. С. Зибров. - С .165-168. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: ферриты, монокристаллы, железо-иттриевый гранат Довгань, М. Е. Некоторые исследования микрорельефа пластин корунда в процессе обработки / М. Е. Довгань, В. И. Зайцева, М. Т. Карпенко. - С .169-173. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: кристаллография, корунд, процесс шлифовки Катрич, Н. П. Установка для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов методом плавающей зоны / Н. П. Катрич, А. Я. Данько, Г. М. Пугач. - С .174-180. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание кристаллов, метод плавающей зоны, тугоплавкие металлы Катрич, Н. П. Установка для выращивания тугоплавких монокристаллов из тонкого слоя расплава / Н. П. Катрич, А. Я. Данько, Г. М. Пугач. - С .181-185. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, газовые примеси, выращивание кристаллов Катрич, Н. П. Анализ газов, растворенных в тугоплавких металлах / Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц. - С .186-192. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: газовый анализ, тугоплавкие металлы, монокристаллы Дайч, А. Р. Влияние качества поверхности на световыход сцинтиллятора CsJ(TI) с малым отношением высоты к диаметру / А. Р. Дайч, В. А. Суслопаров, Ю. А. Цирлин. - С .193-198. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, сцинтилляторы, световыход пластин Кибальчич, Г. А. Влияние выходной цепи ФЭУ на счетную характеристику / Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. - С .199-202. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: сцинтилляционные счетчики, фотоумножители, сцинтилляторы Литвинов, Л. А. К вопросу об идеальной поверхности шихты окиси алюминия / Л. А. Литвинов, И. Б. Казимирова. - С .203-205. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание кристаллов, способ сепарации, окись алюминия Маликов, В. Я. Контроль сопротивления нагревателя печи в процессе выращивания монокристаллов / В. Я. Маликов, Л. А. Сысоев. - С .206-209. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание монокристаллов, компрессионная печь, процесс нагрева Костенко, А. В. Датчики действующего значения напряжения переменного тока и их использование в системах регулирования теплового режима печей выращивания монокристаллов / А. В. Костенко, В. Я. Маликов. - С .210-214. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: выращивание монокристаллов, тепловой режим печей, электрическое напряжение Васильчук, В. Г. Установка для исследования электрических свойств твердых диэлектриков в широком интервале температур / В. Г. Васильчук, Л. С. Зубенко, Э. М. Мадикян. - С .215-217 фывфыв: диэлектрики твердые, электропроводность монокристаллов, выращивание монокристаллов Смирнов, В. А. Применение алкоголятов алюминия для получения окиси алюминия высокой чистоты / В. А. Смирнов [и др.]. - С .218-224. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Колеущенко А. Г., Чичарова А. Д., Николаев Р. К. фывфыв: окись алюминия, дистилляционная очистка, изопропилат алюминия Азаров, В. В. Влияние микроискажений кристаллической решетки LaF[[d]]3[[/d]] на концентрационное тушение люминесценции неодима / В. В. Азаров [и др.]. - С .225-227. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Минков Б. И., Скоробогатов Б. С., Щербина Е. В. фывфыв: фтористый лантан, кристаллография, рост кристаллов Батуричева, З. Б. О потерях дозиметрической информации в фосфорах CaS(Bi, Zn, Na) / З. Б. Батуричева, А. А. Бондаренко. - С .228-229. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: термолюминофоры, дозиметрия, монокристаллы Адамов, Л. С. Влияние концентрации донорных примесей на проводимость монокристаллов CdS / Л. С. Адамов [и др.]. - С .230-231. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Саркисов Л. А., Сысоев Л. А., Файнер М. Ш. фывфыв: монокристаллы, примеси донорные, химический анализ Гайсинский, В. Б. Влияние свойств контактов на потери в высокочастотных пьезопреобразователях с диффузионным слоем в CdS / В. Б. Гайсинский [и др.]. - С .232-233. - Библиогр. в конце ст. Другие авторы: Загоруйко Ю. А., Сысоев Л. А., Файнер М. Ш. фывфыв: пьезопреобразователи высокочастотные, диффузионный слой, поверхностный слой Обуховский, Я. А. Обнаружение полифосфатов в дигидрофосфате калия / Я. А. Обуховский, М. И. Колыбаева. - С .234-236. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: полифосфаты, калий, монокристаллы Катрич, Н. П. К определению состава газовых включений в монокристаллах из окиси алюминия и бромистого калия / Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц. - С .237-239 фывфыв: кристаллография, газовые включения, монокристаллы Звягинцев, В. Н. Устройство программного управления двигателем / В. Н. Звягинцев, В. С. Суздаль, П. И. Корнилич. - С .240-242 фывфыв: монокристаллы, выращивание кристаллов, программное управление Костенко, А. В. Диапазонный генератор низкочастотных прямоугольных импульсов для программных устройств / А. В. Костенко, В. Я. Маликов. - С .243-245. - Библиогр. в конце ст. фывфыв: монокристаллы, программное управление, генератор диапазонный
Keywords: МОНОКРИСТАЛЛЫ КОРУНДА -- МОНОКРИСТАЛЛЫ ЙОДИСТОГО ЦЕЗИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ СУЛЬФИДА ЦИНКА -- МОНОКРИСТАЛЛЫ ЙОДИСТОГО НАТРИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ СУЛЬФИДА КАДМИЯ -- ПЛАСТИЧЕСКАЯ ДЕФОРМАЦИЯ -- СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЕ ДЕТЕКТОРЫ -- ЖЕЛЕЗО-ИТТРИЕВЫЙ ГРАНАТ -- ТУГОПЛАВКИЕ МЕТАЛЛЫ -- ПЕЧИ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Черник, М. М. Кулик, В. Н. Улманис, У. А. Шаховцов, В. И. Кошкин, В. М. Николайчук, Л. И. Пивовар, Л. И. Райскин, Э. К. Сысоев, Л. А. Файнер, М. Ш. Чайковский, Э. Ф. Власенко, В. А. Сотников, В. Т. Теплицкая, Т. С. Цирлин, Ю. А. Мешман, А. П. Кравченко, Н. Г. Нагорная, Л. Л. Прокопович, С. Ф. Николаев, Р. К. Щербина, Е. В. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Глобус, М. Е. Расчет световыхода сцинтилляторов с учетом эффективной зеркальности отражателя. Случай отсутствия оптического контакта [Текстььь] / М. Е. Глобус> // Монокристаллы и техника : сб. ст. / ВНИИ монокристаллов. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1973. - Вып. 1(8). - С. 104-111
Keywords: сцинтилляторы -- монокристаллы -- спектрометрия Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Глобус, М. Е. Эффективная зеркальность рассеивающих поверхностей и учет ее в задачах прикладной оптики сцинтилляторов [Текстььь] / М. Е. Глобус> // Монокристаллы и техника : сб. ст. / ВНИИ монокристаллов. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1971. - Вып. 4. - С. 83-92. - Библиогр. в конце ст.
Keywords: оптика рассеивающих сред -- фотометрия -- оптика сцинтилляторов Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Цирлин, Ю. А. К вопросу о размерной зависимости световыхода сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов NaJ(TI) [Текстььь] / Ю. А. Цирлин, М. Е. Глобус, И. С. Будилов> // Монокристаллы и техника : сб. ст. / ВНИИ монокристаллов. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1971. - Вып. 4. - С. 95-97. - Библиогр. в конце ст.
Keywords: детекторы сцинтилляционные -- монокристаллы -- спектроскопия Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Глобус, М. Е. Будилов, И. С. Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |
М 77 Глобус, М. Е. О влиянии многократного рассеяния γ-квантов на энергетическое разрешение сцинтилляционного спектрометра [Текстььь] / М. Е. Глобус> // Монокристаллы и техника : сб. ст. / ВНИИ монокристаллов. - Харьков : ВНИИ монокристаллов, 1972. - Вып. 6. - С. 148-153. - Библиогр. в конце ст.
Keywords: сцинтилляторы -- монокристаллы -- рассеяние γ-квантов Доп.точки доступа: Чайковский, Э. Ф. \отв. ред.\ Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ Экземпляры всего: 2 аб.1 (2) Свободны: аб.1 (2) |