Library home page Simple search mode Help
Login
Surname
Password
 

Databases


Book publications- результаты поиска

Search mode

Search area
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.383(062)<.>)
Общее количество найденных документов : 77
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
   621.382.049.77
   Ф 50


   
    Физико-химические аспекты технологии микро- и оптоэлектроники [Текстььь] : межвуз. сб. науч. трудов / ВПИ ; отв. ред. Ю. П. Хухрянский. - Воронеж : ВПИ, 1991. - 133 с. - ISBN 5-230-04430-6 : 2.50 р.
ГРНТИ
УДК

Keywords:
микроэлектроника -- оптоэлектроника -- оптоэлектронные устройства
Доп.точки доступа:
Хухрянский, Ю. П. \отв. ред.\
Воронежский политехнический институт

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

2.
   621.383
   О-62


    Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [Текстььь] = Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка : межвед. сб. науч. тр. / ИП АН Украины; отв. ред. С. В. Свечников.
   Вып. 26. - Киев : Наук. думка, 1993. - 112 с. : рис., табл. - ISSN 0233-7577. - 270.00 крб
ГРНТИ
УДК

Keywords:
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ДИЭЛЕКТРИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- РАДИОФИЗИКА
Доп.точки доступа:
Свечников, С. В. \отв. ред.\
АН Украины. Институт полупроводников. Отделение оптоэлектроники

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

3.
   062
   Х 23


Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т

    Василенко, О. В.
    Спектральний аналіз в ECAD [Текстььь] / О. В. Василенко, Д. О. Кузнєцов // Вестник Национального технического университета “ХПИ” : сб. науч. тр. : темат. вып. / Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т. - Харьков : НТУ “ХПИ”, 2010. - Вып. 31: Информатика и моделирование. - С. 30-36. - Бібліогр.: с. 36 (9 назв.)
УДК

Keywords:
електроніка -- математични моделі
Доп.точки доступа:
Дмитриенко, В. Д. \отв. ред.\
Кузнєцов, Д. О.
Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

4.
   062
   Х 23


Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т

   
    Определение оптимальных значений элементов матрицы размытия для метода сложения ПЗС-кадров с накоплением сигнала от движущегося объекта [Текстььь] / В. Е. Саваневич, А. М. Кожухов, А. Б. Брюховецкий // Вестник Национального технического университета “ХПИ” : сб. науч. тр. : темат. вып. / Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т. - Харьков : НТУ “ХПИ”, 2011. - Вып. 34: Новые решения в современных технологиях. - С. 107-115. - Библиогр.: с. 115 (8 назв.)
УДК

Keywords:
оптико-электронные средства -- оптические средства
Доп.точки доступа:
Сокол, Е. И. \отв. ред.\
Саваневич, В. Е.
Кожухов, А. М.
Брюховецкий, А. Б.
Харьковский политехнический ин-т, нац. техн. ун-т

Экземпляры всего: 5
аб.1 (5)
Свободны: аб.1 (5)

Find similar

5.
   621.383
   О-62


    Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [Текстььь] = Optoelectronics and Semiconductor Technics : сб. науч. тр.
   Вып. 45 / ИФП НАНУ ; гл. ред. С. В. Свечников. - Киев : Наук. думка, 2010. - 144 с. - 133.00 грн
    Содержание:
Мачулін, В. Ф. Інституту фізики напівпровідників ім. В. Є. Лошкарьова НАН України - 50 років / В. Ф. Мачулін. - С .5-10
фывфыв: фізика напівпровідників, історія фізики, розвиток інституту фізики напівпровідників
Свечников, Г. С. Наноинтеграция и самосборка в наноэлектронике / Г. С. Свечников, А. Н. Морозовская. - С .11-26
фывфыв: нанотрубки, графен, самосборка наноразмерные элементы
Толмачев, И. Д. Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / И. Д. Толмачев, А. В. Стронский. - С .27-47
фывфыв: нелинейные оптические свойства, полупроводнико стеклообразные, оптическая обработка сигнала
Хмиль, Д. Н. Экспресс-метод определения наименьшей разницы цветов испытуемого люминофора и белого света / Д. Н. Хмиль [и др.]. - С .49-53
Другие авторы: Камуз А. М., Олексенко П. Ф., Алексенко Н. Г., Камуз В. Г.
фывфыв: люминофорная суспензия, светодиод белый, люминофоры
Литовченко, Н. М. Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1-xZnxTe, облученных ɣ-квантами / Н. М. Литовченко [и др.]. - С .54-60
Другие авторы: Насека Ю. Н., Прохорович А. В., Рашковецкий Л. В., Стрильчук О. Н., Сизов Ф. Ф., Войциховская О. О., Данильченко Б. А.
фывфыв: низкотемпературная фотолюминесценция, радиационные дефекты, облучение
Венгер, Є. Ф. Поверхневі поляритони в монокристалах 6Н-SiC, розміщених у сильному однорідному магнітному полі / Є. Ф. Венгер [та ін.]. - С .61-68
Другие авторы: Євтушенко А. І., Мельничук Л. Ю., Мельничук О. В.
фывфыв: анізотропія, карбід кремнію, поляритони поверхневі
Баранський, П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар. - С .69-75
фывфыв: радіаційна фізика, гетероструктури, тонкі шари
Власенко, Н. А. Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н. А. Власенко [и др.]. - С .76-82
Другие авторы: Сопинский Н. В., Гуле Е. Г., Велигура Л. И., Братусь В. Я., Мельник Р. С., Денисова З. Л., Мухльо М. А.
фывфыв: люминесценция краевая, кремний, испарение термическое
Данько, В. А. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si-SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько [та ін.]. - С .83-90
Другие авторы: Індутний І. З., Михайловська К. В., Шепелявий П. Є.
фывфыв: фотолюмінесценція, оксид кремнію, нанокристали
Павлюченко, А. С. Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов / А. С. Павлюченко [и др.]. - С .90-99
Другие авторы: Кукла А. Л., Голтвянский Ю. В., Архипова В. М., Дзядевич С. В., Солдаткин А. П.
фывфыв: ионоселективный полевой транзистор, нитрид кремния, пороговое напряжение
Венгер, Е. Ф. Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов. - С .100-108
фывфыв: физика контактов, спектральная характеристика, контакт Шоттки
Сукач, А. В. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p-n-переходів / А. В. Сукач [та ін.]. - С .109-116
Другие авторы: Тетьоркін В. В., Мазарчук І. О., Кролевець М. М., Лук’яненко В. І., Луцишин І. Г.
фывфыв: поверхева провідність, p-n-перехід, хімічна обробка мезаструктур
Павлович, І. І. Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик. - С .117-121
фывфыв: носії струму, електропровідність, термоелектричний матеріал
Вахула, О. А. Оптоелектронний колориметричний сенсор аміаку / О. А. Вахула [та ін.]. - С .122-129
Другие авторы: Хоруженко В. Ю., Кукла О. Л., Самойлова І. О., Шульженко О. В., Манорик П. А.
фывфыв: колориметричний аналіз, стрічковий хімічний сенсор, бромкрезоловий індикатор
Костюкевич, Е. В. Сенсор поверхностного плазменного резонанса для определения уровня барбитуратов в жидкой пробе / Е. В. Костюкевич, С. А. Костюкевич. - С .130-136
фывфыв: резонанс плазмонный, самоорганизованные монослои, барбитураты
Христосенко, Р. В. Газовый сенсор на поверхностных плазмонах для распознавания спиртов с использованием чувствительных пленок каликсаренов / Р. В. Христосенко [и др.]. - С .137-144
Другие авторы: Костюкевич Е. В., Зыньо С. А., Павлюченко А. С., Самойлов А. В., Ушенин Ю. В., Костюкевич С. А., Кальченко В. И.
фывфыв: газовый сенсор, каликсарены, плазмонный резонанс
ГРНТИ
УДК

Keywords:
наноструктуры -- наноэлектроника -- стеклообразные проводники -- полевые транзисторы -- газовые сенсоры -- напівпровідникові сполуки
Доп.точки доступа:
Свечников, С. В. \гл. ред.\
Алексенко, Н. Г.
Камуз, В. Г.
Рашковецкий, Л. В.
Стрильчук, О. Н.
Сизов, Ф. Ф.
Войциховская, О. О.
Данильченко, Б. А.
Мельничук, О. В.
Велигура, Л. И.
Братусь, В. Я.
Мельник, Р. С.
Денисова, З. Л.
Мухльо, М. А.
Шепелявий, П. Є.
Архипова, В. М.
Дзядевич, С. В.
Солдаткин, А. П.
Кролевець, М. М.
Лук’яненко, В. І.
Луцишин, І. Г.
Самойлова, І. О.
Шульженко, О. В.
Манорик, П. А.
Павлюченко, А. С.
Самойлов, А. В.
Ушенин, Ю. В.
Костюкевич, С. А.
Кальченко, В. И.
НАН Украины. Институт физики полупроводников

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

6.
   621.383
   О-62


    Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [Текстььь] = Optoelectronics and Semiconductor Technics : сб. науч. тр.
   Вып. 46 / ИФП НАНУ ; гл. ред. С. В. Свечников. - Киев : Наук. думка, 2011. - 141 с. - 200.00 грн
    Содержание:
Коваленко, А. В. Лазерные квантово-размерные структуры на основе соединений А2В6 / А. В. Коваленко, Д. В. Корбутяк. - С .7-27
фывфыв: полупроводниковый лазер, молекулярно-лучевая эпитаксия, сверхрешетка
Власенко, Н. А. Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре / Н. А. Власенко [и др.]. - С .28-34
Другие авторы: Олексенко П. Ф., Мухльо М. А., Литвин П. М., Велигура Л. И., Денисова З. Л.
фывфыв: генерация лазерная, плоский волновод, тонкие пленки
Ушенин, Ю. В. Планарные волноводные структуры на основе нанопористых пленок оксида алюминия в условиях поверхностного плазменного резонанса / Ю. В. Ушенин [и др.]. - С .35-42
Другие авторы: Христосенко Р. В., Самойлов А. В., Громовой Ю. С., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г., Кравченко С. А., Снопок Б. А.
фывфыв: импульсное лазерное осаждение, газовый сенсор, плазмон-поляритонный резонанс
Венгер, Е. Ф. Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба. - С .43-48
фывфыв: износостойкость, фуллерены, гетеросистемы
Індутний, І. З. Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І. З. Індутний [та ін.]. - С .49-56
Другие авторы: Минько В. І., Шепелявий П. Є., Сопінський М. В., Ткач В. М., Данько В. А.
фывфыв: осадження, фотонні структури, літографія інтерференційна
Асніс, Ю. А. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю. А. Асніс [та ін.]. - С .57-61
Другие авторы: Баранський П. І., Бабич В.М., Піскун Н. В., Статкевич І. І.
фывфыв: плавка зонна, плавильна камера, домішки фонові
Паюк, О. П. Зміна властивостей стекол As2S3 при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія / О. П. Паюк [та ін.]. - С .62-67
Другие авторы: Ліщинський І. М., Стронський О. В., Влчек М., Губанова А. О., Криськов Ц. А., Олексенко П. Ф.
фывфыв: напівпровідникові системи, фазовий перехід, енергія активації
Павлович, И. И. Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями / И. И. Павлович [и др.]. - С .68-73
Другие авторы: Томашик В. Н., Томашик З. Ф., Стратийчук И. Б., Копыл А. И.
фывфыв: твердые растворы, процесс полирования, термоэлектрический материал
Круковський, С. І. Властивості подвійних гетеропереходів p+-InP / n-InGaAsP / n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С. І. Круковський [та ін.]. - С .74-80
Другие авторы: Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С.
фывфыв: рідинно-фазна епітаксія, тунельний струм, гетероперехіди подвійні
Хмиль, Д. Н. Влияние трансформации индикатрисы рассеяния света на измеряемое значение коэффициента поглощения пленки фотолюминофорной суспензии / Д. Н. Хмиль [и др.]. - С .81-87
Другие авторы: Камуз А. М., Олексенко П. Ф., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А.
фывфыв: фотолюминофоры, белый светодиод, коэффициент поглощения
Венгер, Е. Ф. Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов. - С .88-94
фывфыв: термический отжиг, гетеросистемы, контакт Шоттки
Христосенко, Р. В. Иммуносенсор на основе поверхностного плазменного резонанса для определения антител против вируса Эпштейна-Барр / Р. В. Христосенко [и др.]. - С .95-102
Другие авторы: Нестерова Н. В., Костюкевич Е. В., Загородняя С. Д., Баранова Г. В., Головань А. В., Ушенин Ю. В., Самойлов А. В., Костюкевич С. А.
фывфыв: сыворотка крови, резонанс плазменный, вирус Эпштейна-Барр
Данько, В. А. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx / В. А. Данько [та ін.]. - С .103-110
Другие авторы: Індутний І. З., Коломис О. Ф., Стрельчук В. В., Шепелявий П. Є.
фывфыв: фотопотемніння, халькогенідні стекла, наночастинки
Сукач, А. В. Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А. В. Сукач [та ін.]. - С .111-118
Другие авторы: Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Лук’яненко В. І., Луцишин І. Г.
фывфыв: тунельний струм, протікання струму, фотодіоди
Хмиль, Д. Н. Модель композитной пленки фотолюминофорной суспензии и определение коэффициента поглощения среднего микрокристаллика фотолюминофора / Д. Н. Хмиль [и др.]. - С .119-125
Другие авторы: Камуз А. М., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А.
фывфыв: фотолюминофоры, белый светодиод, пленки композитные
Костюкевич, Е. В. Реакционный отжиг как способ пассивации и стабилизации поверхностей биосенсоров / Е. В. Костюкевич, С. А. Костюкевич. - С .126-133
фывфыв: биосенсоры, плазмонный резонанс, отжиг реакционный
Стратійчук, І. Б. Хіміко-механічне полірування монокристалів CdTe бромвиділяючими розчинами H2O2-HBr-етиленгліколь / І. Б. Стратійчук. - С .134-139
фывфыв: хімічне розчинення , травильні композиції, полірування
ГРНТИ
УДК

Keywords:
композитные пленки -- монокристаллы -- физика полупроводников -- радиоэлектронные устройства
Доп.точки доступа:
Свечников, С. В. \гл. ред.\
Литвин, П. М.
Велигура, Л. И.
Денисова, З. Л.
Громовой, Ю. С.
Каганович, Э. Б.
Манойлов, Э. Г.
Кравченко, С. А.
Снопок, Б. А.
Сопінський, М. В.
Ткач, В. М.
Данько, В. А.
Піскун, Н. В.
Статкевич, І. І.
Влчек, М.
Губанова, А. О.
Криськов, Ц. А.
Олексенко, П. Ф.
Стратийчук, И. Б.
Копыл, А. И.
Мрихін, І. О.
Михащук, Ю. С.
Камуз, В. Г.
Алексенко, Н. Г.
Камуз, О. А.
Загородняя, С. Д.
Баранова, Г. В.
Головань, А. В.
Ушенин, Ю. В.
Самойлов, А. В.
Костюкевич, С. А.
Стрельчук, В. В.
Шепелявий, П. Є.
Кравецький, М. Ю.
Лук’яненко, В. І.
Луцишин, І. Г.
НАН Украины. Институт физики полупроводников

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

7.
   621.383
   О-62


    Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [Текстььь] = Optoelectronics and Semiconductor Technics : сб. науч. тр.
   Вып. 44 / ИФП НАНУ ; гл. ред. С. В. Свечников. - Киев : Наук. думка, 2009. - 118 с. - 100.00 грн
    Содержание:
Толмачев, И. Д. Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в сенсорах и сенсорных системах / И. Д. Толмачев, А. В. Стронский. - С .5-22
фывфыв: сенсорные элементы, полупроводники стеклообразные халькогнидные, полупроводниковая техника
Охрименко, О. Б. Дефектные состояния на границе диэлектрический слой / карбид кремния / О. Б. Охрименко. - С .23-40
фывфыв: структура дефектов, карбид кремния, твердотельная электроника
Шеремет, В. Н. Особенности создания и электрофизические свойства омических контактов к нитриду галлия / В. Н. Шеремет. - С .41-59
фывфыв: тугоплавкие металлы, омический контакт, нитрид галлия
Вахула, А. А. Моделирование параметров тонкопленочных структур для колориметрического анализа жидких сред / А. А. Вахула. - С .60-67
фывфыв: фленелевские коэффициенты, многослойная тонкопленочная структура, анализ колориметрический
Данько, В. А. Застосування двошарового халькогенідного фоторезисту для інтерференційної фотолітографії / В. А. Данько [та ін.]. - С .68-73
Другие авторы: Індутний І. З., Минько В. І., Литвин О. С., Шепелявий П. Є.
фывфыв: літографія інтерференційна, селективне травлення, фоторезист халькогенідний
Індутний, І. З. Вплив селективного травлення на спектр фотолюмінесценції поруватих nc-SI-SIOx структур / І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий. - С .74-79
фывфыв: фотолюмінесценція, оксид кремнію, нанокристали
Денисюк, Р. А. Химико-динамическое полирование монокристаллов Cd1-xMnxTe травителями H2O2-HI-винная кислота / Р. А. Денисюк [и др.]. - С .80-83
Другие авторы: Томашик В. Н., Томашик З. Ф., Чрнюк А. С., Грыцив В. И.
фывфыв: твердые растворы, химическое травление, полирование монокристаллов
Сукач, А. В. Исследование природы избыточного тока в InSb-фотодиодах / А. В. Сукач, В. В. Тетеркин. - С .84-91
фывфыв: туннельный ток, фотодиоды, полупроводниковая техника
Сукач, А. В. Спектральная фоточувствительность охлаждаемых InAs p-n-переходов / А. В. Сукач [и др.]. - С .92-99
Другие авторы: Тетеркин В. В., Ворощенко А. Т., Лукьяненко В. И., Луцишин И. Г.
фывфыв: арсенид индия, фоточувствительность спектральная, полупроводниковая техника
Тріщук, Л. І. Вирощування монокристалів телуридів цинку та кадмію кристалізацією із розчинів-розплавів / Л. І. Тріщук. - С .100-108
фывфыв: тверді розчини, монокристали, метод кристалізації
Литовченко, Н. М. Вплив наноструктур, сформованих на поверхні кристалів CdZnTe методом лазерного сканування, на спектри їх низькотемпературної фотолюмінесценції / Н. М. Литовченко [та ін.]. - С .109-113
Другие авторы: Литвин П. М., Медвідь А. П., Мичко А. М., Насєка Ю. М., Стрільчук О. М.
фывфыв: ефект квантового обмеження, фотолюмінесценція, наноструктури
Далиев, Х. С. Особенности дефектообразования в кремнии при легировании никелем различными методами / Х. С. Далиев [и др.]. - С .114-118
Другие авторы: Даулетмуратов Б. К., Утамурадова Ш. Б., Мирзаирова И. К., Далиев Ш. Х., Акимова Ж. О., Олимбеков З. О.
фывфыв: процесс легирования, свойства кремния, спектроскопия
ГРНТИ
УДК

Keywords:
сенсорные системы -- стеклообразные полупроводники -- лазерне сканування -- фотолітографія -- фотодіоди
Доп.точки доступа:
Свечников, С. В. \гл. ред.\
Литвин, О. С.
Шепелявий, П. Є.
Чрнюк, А. С.
Грыцив, В. И.
Лукьяненко, В. И.
Луцишин, И. Г.
Мичко, А. М.
Насєка, Ю. М.
Стрільчук, О. М.
Мирзаирова, И. К.
Далиев, Ш. Х.
Акимова, Ж. О.
Олимбеков, З. О.
НАН Украины. Институт физики полупроводников

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

8.
   062
   М 38


    Всесоюзный заочный машиностроительный институт. Кафедра физики.
    Радиоэлектроника оптического диапазона [Текстььь] : труды / ВЗМИ ; общ. ред. Б. Н. Трубников. - Москва : ВЗМИ, 1971. - 198 с. : ил. - 1.60 р.
ГРНТИ
УДК

Keywords:
ВОЛНОВОДЫ -- СТЕРЕОВИДЕНИЕ -- СТЕРЕОСКОПИЧЕСКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ -- ВОЛОКОННАЯ ОПТИКА -- ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР СВЕТА -- ОПТИКО-АКУСТИЧЕСКИЕ ПРИЕМНИКИ -- РАДИОВОЛНЫ СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА -- АТМОСФЕРИКИ
Доп.точки доступа:
Трубников, Б. Н. \общ. ред.\

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

9.
   062
   Х 23


Харьковский политехнический ин-т

    Сагайда, И. М.
    К вопросу о потенциальной помехоустойчивости первичных фотоэлектрических преобразователей в экстремальных условиях [Текстььь] / И. М. Сагайда, В. Н. Изотов // Вестник Харьковского политехнического института : сб. науч. тр. / Харьковский политехнический ин-т. - Х. : Вища шк., 1988. - № 256: Автоматика и приборостроение, Вып. 14. - С. 88-91. - Библиогр. в конце ст.
УДК

Keywords:
КОМПЛЕКСНАЯ АВТОМАТИЗАЦИЯ -- ТЕПЛОТЕХНИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ -- ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Доп.точки доступа:
Воронов, В. Г. \отв. ред.\
Изотов, В. Н.
Харьковский политехнический ин-т

Экземпляры всего: 4
аб.1 (4)
Свободны: аб.1 (4)

Find similar

10.
   661.8
   Ф 81


   
    Фотопроводящие окислы свинца [Текстььь] : сб. науч. тр. / ЛГПИ ; отв. ред. В. А. Извозчиков. - Ленинград : ЛГПИ, 1976. - 136 с. - 0.80 р.
ГРНТИ
УДК

Keywords:
свинец -- соединения свинца -- окись свинца -- фотопроводимость -- пленки сурика -- керамики окислов свинца -- фотоэлектроника
Доп.точки доступа:
Извозчиков, В. А. \отв. ред.\
Ленинградский государственный педагогический институт

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Наш адрес: 61000, Харьков, ул. Кирпичева, 2
Научно-техническая библиотека НТУ "ХПИ"
Контактный телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua