Library home page Simple search mode Help
Login
Surname
Password
 

Databases


Book publications- результаты поиска

Search mode

Search area
 Найдено в других БД:Periodical publications (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=напівпровідникові системи<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
   621.383
   О-62


    Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [Текстььь] = Optoelectronics and Semiconductor Technics : сб. науч. тр.
   Вып. 46 / ИФП НАНУ ; гл. ред. С. В. Свечников. - Киев : Наук. думка, 2011. - 141 с. - 200.00 грн
    Содержание:
Коваленко, А. В. Лазерные квантово-размерные структуры на основе соединений А2В6 / А. В. Коваленко, Д. В. Корбутяк. - С .7-27
фывфыв: полупроводниковый лазер, молекулярно-лучевая эпитаксия, сверхрешетка
Власенко, Н. А. Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре / Н. А. Власенко [и др.]. - С .28-34
Другие авторы: Олексенко П. Ф., Мухльо М. А., Литвин П. М., Велигура Л. И., Денисова З. Л.
фывфыв: генерация лазерная, плоский волновод, тонкие пленки
Ушенин, Ю. В. Планарные волноводные структуры на основе нанопористых пленок оксида алюминия в условиях поверхностного плазменного резонанса / Ю. В. Ушенин [и др.]. - С .35-42
Другие авторы: Христосенко Р. В., Самойлов А. В., Громовой Ю. С., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г., Кравченко С. А., Снопок Б. А.
фывфыв: импульсное лазерное осаждение, газовый сенсор, плазмон-поляритонный резонанс
Венгер, Е. Ф. Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба. - С .43-48
фывфыв: износостойкость, фуллерены, гетеросистемы
Індутний, І. З. Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І. З. Індутний [та ін.]. - С .49-56
Другие авторы: Минько В. І., Шепелявий П. Є., Сопінський М. В., Ткач В. М., Данько В. А.
фывфыв: осадження, фотонні структури, літографія інтерференційна
Асніс, Ю. А. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю. А. Асніс [та ін.]. - С .57-61
Другие авторы: Баранський П. І., Бабич В.М., Піскун Н. В., Статкевич І. І.
фывфыв: плавка зонна, плавильна камера, домішки фонові
Паюк, О. П. Зміна властивостей стекол As2S3 при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія / О. П. Паюк [та ін.]. - С .62-67
Другие авторы: Ліщинський І. М., Стронський О. В., Влчек М., Губанова А. О., Криськов Ц. А., Олексенко П. Ф.
фывфыв: напівпровідникові системи, фазовий перехід, енергія активації
Павлович, И. И. Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями / И. И. Павлович [и др.]. - С .68-73
Другие авторы: Томашик В. Н., Томашик З. Ф., Стратийчук И. Б., Копыл А. И.
фывфыв: твердые растворы, процесс полирования, термоэлектрический материал
Круковський, С. І. Властивості подвійних гетеропереходів p+-InP / n-InGaAsP / n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С. І. Круковський [та ін.]. - С .74-80
Другие авторы: Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С.
фывфыв: рідинно-фазна епітаксія, тунельний струм, гетероперехіди подвійні
Хмиль, Д. Н. Влияние трансформации индикатрисы рассеяния света на измеряемое значение коэффициента поглощения пленки фотолюминофорной суспензии / Д. Н. Хмиль [и др.]. - С .81-87
Другие авторы: Камуз А. М., Олексенко П. Ф., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А.
фывфыв: фотолюминофоры, белый светодиод, коэффициент поглощения
Венгер, Е. Ф. Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов. - С .88-94
фывфыв: термический отжиг, гетеросистемы, контакт Шоттки
Христосенко, Р. В. Иммуносенсор на основе поверхностного плазменного резонанса для определения антител против вируса Эпштейна-Барр / Р. В. Христосенко [и др.]. - С .95-102
Другие авторы: Нестерова Н. В., Костюкевич Е. В., Загородняя С. Д., Баранова Г. В., Головань А. В., Ушенин Ю. В., Самойлов А. В., Костюкевич С. А.
фывфыв: сыворотка крови, резонанс плазменный, вирус Эпштейна-Барр
Данько, В. А. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx / В. А. Данько [та ін.]. - С .103-110
Другие авторы: Індутний І. З., Коломис О. Ф., Стрельчук В. В., Шепелявий П. Є.
фывфыв: фотопотемніння, халькогенідні стекла, наночастинки
Сукач, А. В. Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А. В. Сукач [та ін.]. - С .111-118
Другие авторы: Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Лук’яненко В. І., Луцишин І. Г.
фывфыв: тунельний струм, протікання струму, фотодіоди
Хмиль, Д. Н. Модель композитной пленки фотолюминофорной суспензии и определение коэффициента поглощения среднего микрокристаллика фотолюминофора / Д. Н. Хмиль [и др.]. - С .119-125
Другие авторы: Камуз А. М., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А.
фывфыв: фотолюминофоры, белый светодиод, пленки композитные
Костюкевич, Е. В. Реакционный отжиг как способ пассивации и стабилизации поверхностей биосенсоров / Е. В. Костюкевич, С. А. Костюкевич. - С .126-133
фывфыв: биосенсоры, плазмонный резонанс, отжиг реакционный
Стратійчук, І. Б. Хіміко-механічне полірування монокристалів CdTe бромвиділяючими розчинами H2O2-HBr-етиленгліколь / І. Б. Стратійчук. - С .134-139
фывфыв: хімічне розчинення , травильні композиції, полірування
ГРНТИ
УДК

Keywords:
композитные пленки -- монокристаллы -- физика полупроводников -- радиоэлектронные устройства
Доп.точки доступа:
Свечников, С. В. \гл. ред.\
Литвин, П. М.
Велигура, Л. И.
Денисова, З. Л.
Громовой, Ю. С.
Каганович, Э. Б.
Манойлов, Э. Г.
Кравченко, С. А.
Снопок, Б. А.
Сопінський, М. В.
Ткач, В. М.
Данько, В. А.
Піскун, Н. В.
Статкевич, І. І.
Влчек, М.
Губанова, А. О.
Криськов, Ц. А.
Олексенко, П. Ф.
Стратийчук, И. Б.
Копыл, А. И.
Мрихін, І. О.
Михащук, Ю. С.
Камуз, В. Г.
Алексенко, Н. Г.
Камуз, О. А.
Загородняя, С. Д.
Баранова, Г. В.
Головань, А. В.
Ушенин, Ю. В.
Самойлов, А. В.
Костюкевич, С. А.
Стрельчук, В. В.
Шепелявий, П. Є.
Кравецький, М. Ю.
Лук’яненко, В. І.
Луцишин, І. Г.
НАН Украины. Институт физики полупроводников

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

2.
   621.383
   О-62


   
    Зміна властивостей стекол As2S3 при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія [Текстььь] / О. П. Паюк [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника = Optoelectronics and Semiconductor Technics : сб. науч. тр. / ИФП НАНУ; гл. ред. С. В. Свечников. - Киев : Наук. думка, 2011. - Вып. 46. - С. 62-67
УДК

Keywords:
напівпровідникові системи -- фазовий перехід -- енергія активації
Доп.точки доступа:
Свечников, С. В. \гл. ред.\
Паюк, О. П.
Ліщинський, І. М.
Стронський, О. В.
Влчек, М.
Губанова, А. О.
Криськов, Ц. А.
Олексенко, П. Ф.
НАН Украины. Институт физики полупроводников

Экземпляры всего: 1
аб.1 (1)
Свободны: аб.1 (1)

Find similar

 

Наш адрес: 61000, Харьков, ул. Кирпичева, 2
Научно-техническая библиотека НТУ "ХПИ"
Контактный телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua