О-62 Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [Текстььь] = Optoelectronics and Semiconductor Technics : сб. науч. тр. Вып. 46 / ИФП НАНУ ; гл. ред. С. В. Свечников. - Киев : Наук. думка, 2011. - 141 с. - 200.00 грн Содержание: Коваленко, А. В. Лазерные квантово-размерные структуры на основе соединений А[[d]]2[[/d]]В[[d]]6[[/d]] / А. В. Коваленко, Д. В. Корбутяк. - С .7-27 фывфыв: полупроводниковый лазер, молекулярно-лучевая эпитаксия, сверхрешетка Власенко, Н. А. Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре / Н. А. Власенко [и др.]. - С .28-34 Другие авторы: Олексенко П. Ф., Мухльо М. А., Литвин П. М., Велигура Л. И., Денисова З. Л. фывфыв: генерация лазерная, плоский волновод, тонкие пленки Ушенин, Ю. В. Планарные волноводные структуры на основе нанопористых пленок оксида алюминия в условиях поверхностного плазменного резонанса / Ю. В. Ушенин [и др.]. - С .35-42 Другие авторы: Христосенко Р. В., Самойлов А. В., Громовой Ю. С., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г., Кравченко С. А., Снопок Б. А. фывфыв: импульсное лазерное осаждение, газовый сенсор, плазмон-поляритонный резонанс Венгер, Е. Ф. Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба. - С .43-48 фывфыв: износостойкость, фуллерены, гетеросистемы Індутний, І. З. Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І. З. Індутний [та ін.]. - С .49-56 Другие авторы: Минько В. І., Шепелявий П. Є., Сопінський М. В., Ткач В. М., Данько В. А. фывфыв: осадження, фотонні структури, літографія інтерференційна Асніс, Ю. А. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю. А. Асніс [та ін.]. - С .57-61 Другие авторы: Баранський П. І., Бабич В.М., Піскун Н. В., Статкевич І. І. фывфыв: плавка зонна, плавильна камера, домішки фонові Паюк, О. П. Зміна властивостей стекол As[[d]]2[[/d]]S[[d]]3[[/d]] при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія / О. П. Паюк [та ін.]. - С .62-67 Другие авторы: Ліщинський І. М., Стронський О. В., Влчек М., Губанова А. О., Криськов Ц. А., Олексенко П. Ф. фывфыв: напівпровідникові системи, фазовий перехід, енергія активації Павлович, И. И. Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями / И. И. Павлович [и др.]. - С .68-73 Другие авторы: Томашик В. Н., Томашик З. Ф., Стратийчук И. Б., Копыл А. И. фывфыв: твердые растворы, процесс полирования, термоэлектрический материал Круковський, С. І. Властивості подвійних гетеропереходів p[[p]]+[[/p]]-InP / n-InGaAsP / n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С. І. Круковський [та ін.]. - С .74-80 Другие авторы: Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С. фывфыв: рідинно-фазна епітаксія, тунельний струм, гетероперехіди подвійні Хмиль, Д. Н. Влияние трансформации индикатрисы рассеяния света на измеряемое значение коэффициента поглощения пленки фотолюминофорной суспензии / Д. Н. Хмиль [и др.]. - С .81-87 Другие авторы: Камуз А. М., Олексенко П. Ф., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А. фывфыв: фотолюминофоры, белый светодиод, коэффициент поглощения Венгер, Е. Ф. Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов. - С .88-94 фывфыв: термический отжиг, гетеросистемы, контакт Шоттки Христосенко, Р. В. Иммуносенсор на основе поверхностного плазменного резонанса для определения антител против вируса Эпштейна-Барр / Р. В. Христосенко [и др.]. - С .95-102 Другие авторы: Нестерова Н. В., Костюкевич Е. В., Загородняя С. Д., Баранова Г. В., Головань А. В., Ушенин Ю. В., Самойлов А. В., Костюкевич С. А. фывфыв: сыворотка крови, резонанс плазменный, вирус Эпштейна-Барр Данько, В. А. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As[[d]]2[[/d]]S[[d]]3[[/d]]/SiO[[d]]x[[/d]] / В. А. Данько [та ін.]. - С .103-110 Другие авторы: Індутний І. З., Коломис О. Ф., Стрельчук В. В., Шепелявий П. Є. фывфыв: фотопотемніння, халькогенідні стекла, наночастинки Сукач, А. В. Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А. В. Сукач [та ін.]. - С .111-118 Другие авторы: Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Лук’яненко В. І., Луцишин І. Г. фывфыв: тунельний струм, протікання струму, фотодіоди Хмиль, Д. Н. Модель композитной пленки фотолюминофорной суспензии и определение коэффициента поглощения среднего микрокристаллика фотолюминофора / Д. Н. Хмиль [и др.]. - С .119-125 Другие авторы: Камуз А. М., Камуз В. Г., Алексенко Н. Г., Камуз О. А. фывфыв: фотолюминофоры, белый светодиод, пленки композитные Костюкевич, Е. В. Реакционный отжиг как способ пассивации и стабилизации поверхностей биосенсоров / Е. В. Костюкевич, С. А. Костюкевич. - С .126-133 фывфыв: биосенсоры, плазмонный резонанс, отжиг реакционный Стратійчук, І. Б. Хіміко-механічне полірування монокристалів CdTe бромвиділяючими розчинами H[[d]]2[[/d]]O[[d]]2[[/d]]-HBr-етиленгліколь / І. Б. Стратійчук. - С .134-139 фывфыв: хімічне розчинення , травильні композиції, полірування
Keywords: композитные пленки -- монокристаллы -- физика полупроводников -- радиоэлектронные устройства Доп.точки доступа: Свечников, С. В. \гл. ред.\ Литвин, П. М. Велигура, Л. И. Денисова, З. Л. Громовой, Ю. С. Каганович, Э. Б. Манойлов, Э. Г. Кравченко, С. А. Снопок, Б. А. Сопінський, М. В. Ткач, В. М. Данько, В. А. Піскун, Н. В. Статкевич, І. І. Влчек, М. Губанова, А. О. Криськов, Ц. А. Олексенко, П. Ф. Стратийчук, И. Б. Копыл, А. И. Мрихін, І. О. Михащук, Ю. С. Камуз, В. Г. Алексенко, Н. Г. Камуз, О. А. Загородняя, С. Д. Баранова, Г. В. Головань, А. В. Ушенин, Ю. В. Самойлов, А. В. Костюкевич, С. А. Стрельчук, В. В. Шепелявий, П. Є. Кравецький, М. Ю. Лук’яненко, В. І. Луцишин, І. Г. НАН Украины. Институт физики полупроводников Экземпляры всего: 1 аб.1 (1) Свободны: аб.1 (1) |