О-62 Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [Текстььь] = Optoelectronics and Semiconductor Technics : сб. науч. тр. Вып. 45 / ИФП НАНУ ; гл. ред. С. В. Свечников. - Киев : Наук. думка, 2010. - 144 с. - 133.00 грн Содержание: Мачулін, В. Ф. Інституту фізики напівпровідників ім. В. Є. Лошкарьова НАН України - 50 років / В. Ф. Мачулін. - С .5-10 фывфыв: фізика напівпровідників, історія фізики, розвиток інституту фізики напівпровідників Свечников, Г. С. Наноинтеграция и самосборка в наноэлектронике / Г. С. Свечников, А. Н. Морозовская. - С .11-26 фывфыв: нанотрубки, графен, самосборка наноразмерные элементы Толмачев, И. Д. Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / И. Д. Толмачев, А. В. Стронский. - С .27-47 фывфыв: нелинейные оптические свойства, полупроводнико стеклообразные, оптическая обработка сигнала Хмиль, Д. Н. Экспресс-метод определения наименьшей разницы цветов испытуемого люминофора и белого света / Д. Н. Хмиль [и др.]. - С .49-53 Другие авторы: Камуз А. М., Олексенко П. Ф., Алексенко Н. Г., Камуз В. Г. фывфыв: люминофорная суспензия, светодиод белый, люминофоры Литовченко, Н. М. Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd[[d]]1-x[[/d]]Zn[[d]]x[[/d]]Te, облученных ɣ-квантами / Н. М. Литовченко [и др.]. - С .54-60 Другие авторы: Насека Ю. Н., Прохорович А. В., Рашковецкий Л. В., Стрильчук О. Н., Сизов Ф. Ф., Войциховская О. О., Данильченко Б. А. фывфыв: низкотемпературная фотолюминесценция, радиационные дефекты, облучение Венгер, Є. Ф. Поверхневі поляритони в монокристалах 6Н-SiC, розміщених у сильному однорідному магнітному полі / Є. Ф. Венгер [та ін.]. - С .61-68 Другие авторы: Євтушенко А. І., Мельничук Л. Ю., Мельничук О. В. фывфыв: анізотропія, карбід кремнію, поляритони поверхневі Баранський, П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар. - С .69-75 фывфыв: радіаційна фізика, гетероструктури, тонкі шари Власенко, Н. А. Влияние пленки SiO[[d]]x[[/d]], нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н. А. Власенко [и др.]. - С .76-82 Другие авторы: Сопинский Н. В., Гуле Е. Г., Велигура Л. И., Братусь В. Я., Мельник Р. С., Денисова З. Л., Мухльо М. А. фывфыв: люминесценция краевая, кремний, испарение термическое Данько, В. А. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si-SiO[[d]]x[[/d]] наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько [та ін.]. - С .83-90 Другие авторы: Індутний І. З., Михайловська К. В., Шепелявий П. Є. фывфыв: фотолюмінесценція, оксид кремнію, нанокристали Павлюченко, А. С. Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов / А. С. Павлюченко [и др.]. - С .90-99 Другие авторы: Кукла А. Л., Голтвянский Ю. В., Архипова В. М., Дзядевич С. В., Солдаткин А. П. фывфыв: ионоселективный полевой транзистор, нитрид кремния, пороговое напряжение Венгер, Е. Ф. Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов. - С .100-108 фывфыв: физика контактов, спектральная характеристика, контакт Шоттки Сукач, А. В. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p-n-переходів / А. В. Сукач [та ін.]. - С .109-116 Другие авторы: Тетьоркін В. В., Мазарчук І. О., Кролевець М. М., Лук’яненко В. І., Луцишин І. Г. фывфыв: поверхева провідність, p-n-перехід, хімічна обробка мезаструктур Павлович, І. І. Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик. - С .117-121 фывфыв: носії струму, електропровідність, термоелектричний матеріал Вахула, О. А. Оптоелектронний колориметричний сенсор аміаку / О. А. Вахула [та ін.]. - С .122-129 Другие авторы: Хоруженко В. Ю., Кукла О. Л., Самойлова І. О., Шульженко О. В., Манорик П. А. фывфыв: колориметричний аналіз, стрічковий хімічний сенсор, бромкрезоловий індикатор Костюкевич, Е. В. Сенсор поверхностного плазменного резонанса для определения уровня барбитуратов в жидкой пробе / Е. В. Костюкевич, С. А. Костюкевич. - С .130-136 фывфыв: резонанс плазмонный, самоорганизованные монослои, барбитураты Христосенко, Р. В. Газовый сенсор на поверхностных плазмонах для распознавания спиртов с использованием чувствительных пленок каликсаренов / Р. В. Христосенко [и др.]. - С .137-144 Другие авторы: Костюкевич Е. В., Зыньо С. А., Павлюченко А. С., Самойлов А. В., Ушенин Ю. В., Костюкевич С. А., Кальченко В. И. фывфыв: газовый сенсор, каликсарены, плазмонный резонанс
Keywords: наноструктуры -- наноэлектроника -- стеклообразные проводники -- полевые транзисторы -- газовые сенсоры -- напівпровідникові сполуки Доп.точки доступа: Свечников, С. В. \гл. ред.\ Алексенко, Н. Г. Камуз, В. Г. Рашковецкий, Л. В. Стрильчук, О. Н. Сизов, Ф. Ф. Войциховская, О. О. Данильченко, Б. А. Мельничук, О. В. Велигура, Л. И. Братусь, В. Я. Мельник, Р. С. Денисова, З. Л. Мухльо, М. А. Шепелявий, П. Є. Архипова, В. М. Дзядевич, С. В. Солдаткин, А. П. Кролевець, М. М. Лук’яненко, В. І. Луцишин, І. Г. Самойлова, І. О. Шульженко, О. В. Манорик, П. А. Павлюченко, А. С. Самойлов, А. В. Ушенин, Ю. В. Костюкевич, С. А. Кальченко, В. И. НАН Украины. Институт физики полупроводников Экземпляры всего: 1 аб.1 (1) Свободны: аб.1 (1) |