Library home page Simple search mode Help
Login
Surname
Password
 

Databases


Book publications- результаты поиска

Search mode

Search area
 Найдено в других БД:Periodical publications (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=халькогениды кадмия<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 1(8)
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973
Колич.характеристики :210 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): выращивание монокристаллов--пленки железо-иттриевого граната--кристаллы корунда--метод чухрайского--растворимость--энертные газы--диффузия--поверхностный слой
Содержание : Выращивание монокристаллов смешанных феррошпинелей из раствора в расплаве/ Е. Ф. Квятковская, С. Ф. Прокопович. Эпитаксиальный рост пленок железо-иттриевого граната из раствора в расплаве/ О. М. Коновалов [и др.]. Выращивание монокристаллов железо-иттриевого граната в атмосфере кислорода/ О. М. Коновалов [и др.]. Исследование диффузии железо-иттриевого граната в растворителе BaO-B2O3/ О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. П. Воронов. Образование вакуумных полостей в кристаллах корунда, выращенных методом Чохральского/ М. И. Мусатов. Анизотропия неоднородной и однородной ширины линий поглощения иона Nd3+ в кристаллах CaWO4 и LaNa(WO4)2/ В. И. Бончковский, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Электронные центры окраски в кристаллах NaJ(TI)/ А. Н. Панова, Р. Х. Мустафина, Е. М. Быкова. Поглощение V3 -центра в кристалле LiF/ В. В. Угланова. Соотношение между концентрациями F- и M -центров в кристаллах LiF/ Т. А. Чаркина, В. В. Угланова. Диаграмма состояния системы HgSe-Ca2Se3/ П. Н. Метлинский [и др.]. Растворимость Mn в In2Te3/ Е. Е. Овечкина. Влияние давления инертного газа на фазовую устойчивость конденсированных сульфидов цинка и кадмия/ Л. А. Сысоев, О. П. Вербицкий. О характеристиках фототока монокристаллов селенида кадмия, легированных медью/ В. Е. Мащенко [и др.]. Спектральная фоточувствительность монокристаллов селенида цинка/ Н. И. Глущенко [и др.]. Корелляция изменения светорассеяния и плотности монокристаллов CdS при термообработке/ Л. А. Сысоев, А. Д. Ковалева. О возможной природе загрязнения углеродом монокристаллов полупроводниковых халькогенидов, выращенных из расплава под давлением инертного газа/ Л. А. Сысоев, Ю. М. Коган, Б. Г. Носачев. Диффузия в приповерхностный слой соединений типа АIIBVI/ В. Б. Гайсинский [и др.]. Оптические постоянные сурьмы в аморфной фазе/ А. И. Усоскин, И. Н. Шкляревский. Исследование влияния термообработки на оптические и сцинтилляционные свойства монокристаллов CsJ(Na)/ А. Н. Панова, К. В. Шахова. Влияние температуры подложки на сцинтилляционные характеристики тонкопленочных детекторов на основе монокристаллов CsJ(Na)/ Э. Ф. Чайковский [и др.]. Расчет световыхода сцинтилляторов с учетом эффективной зеркальности отражателя. Случай отсутствия оптического контакта/ М. Е. Глобус. Улучшение спектрометричности сцинтилляционных ɣ-детекторов/ В. В. Померанцев, Ю. А. Цирлин. Зависимость сцинтилляционных параметров монокристаллов CsJ(TI) от основности расплава/ Ю. Ф. Рыбкин, А. С. Середенко. Определение α- и β-форм кремниевой кислоты в йодиде натрия и монокристаллах на его основе/ А. Б. Бланк, И. Г. Коган. Концентрирование сульфатов при нормальной направленной кристаллизации криотектических растворов хлорида и бромида калия/ А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. Определение микропримесей Cr, Mo, Ti и W в шихте и монокристаллах алюмо-иттриевых гранатов/ М. З. Несанелис, Н. В. Кисилевская, Э. С. Золотовицкая. Высокочувствительная рентгенографическая методика фазового анализа для фаз с близкой рассеивающей способностью/ И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. Получение омических контактов на халькогенидах кадмия электролитическим восстановлением/ В. Г. Демченко [и др.]. Влияние контактного слоя при измерении коэффициента поглощения ультразвуковых волн в кристаллах импульсным методом/ А. Р. Дудник, Р. В. Коваленок, В. Н. Лагутина. Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира/ В. И. Зайцева, М. Е. Довгань. Влияние многократного облучения гамма-радиацией на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием/ А. Л. Лифиц [и др.]. Счетные характеристики сцинтилляционных счетчиков с детекторами на основе монокристаллов NaJ(TI) при регистрации обратно рассеянного гамма-излучения/ Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. Исследование динамических характеристик компрессионной печи выращивания монокристаллов соединений АIIBVI/ В. Я. Маликов, В. И. Костенко, Л. А. Сысоев. Регулятор температуры повышенной надежности/ И. Т. Берданов, П. Е. Стадник. Приставка к прибору ПКС-125/ В. И. Бончковский [и др.]. Устройство для измерения параметров высокочастотных широкополосных пьезопреобразователей/ В. Б. Гайсинский [и др.].
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315.5/Н 76
Автор(ы) : Новоселова, Александра Васильевна, Пашинкин, Андрей Сергеевич
Заглавие : Давление пара летучих халькогенидов металлов
Выходные данные : Москва: Наука, 1978
Колич.характеристики :110 с.: рис., табл.
Коллективы : АН СССР. Институт общей и неорганической химии
Цена : 0.70 р.
ГРНТИ : 45.09.35
УДК : 621.315.5 + 537.3 + 669.7
Keywords (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--халькогениды алюминия--халькогениды цинка--халькогениды кадмия--халькогениды ртути--халькогениды галлия--халькогениды индия--халькогениды таллия
Экземпляры :аб.1(1)
Свободны : аб.1(1)
Find similar

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315.5/С 54
Автор(ы) : Соболев, Валентин Викторович
Заглавие : Зоны и экситоны соединений группы АIIВVI
Выходные данные : Кишинев: Штиинца, 1980
Колич.характеристики :255 с.: ил.
Коллективы : АН МолССР. Институт прикладной физики
Цена : 2.40 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 621.315.5 + 537.3
Keywords (''Своб.индексиров.''): полупроводники--структуры решетки--халькогениды цинка--халькогениды кадмия
Экземпляры :аб.1(1)
Свободны : аб.1(1)
Find similar

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.32/Х 46
Заглавие : Химия и технология люминофоров и чистых неорганических материалов : науч.-техн. реф. сб. Вып. 2
Выходные данные : Москва: НИИТЭХИМ, 1979
Колич.характеристики :19 с.: табл.
Коллективы : Научно-исследовательский институт технико-экономических исследований в химическом комплексе
Серия: Химическая промышленность
ISSN: 0203-753Х
Цена : 0.11 р.
ГРНТИ : 47.09.43
УДК : 621.32 + 621.35
Keywords (''Своб.индексиров.''): халькогениды цинка--халькогениды кадмия--примеси углерода--оптическая керамика
Экземпляры :аб.1(1)
Свободны : аб.1(1)
Find similar

5.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Демченко В. Г., Гаплевская С. П., Завертанная Л. С., Рвачев А. Л.
Заглавие : Получение омических контактов на халькогенидах кадмия электролитическим восстановлением
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973. - Вып. 1(8). - С. 143-149 (Шифр 548.5/М 77-654173)
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): халькогениды кадмия--контакты омические--электрохимическое восстановление
Find similar

 

Наш адрес: 61000, Харьков, ул. Кирпичева, 2
Научно-техническая библиотека НТУ "ХПИ"
Контактный телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua