Library home page Simple search mode Help
Login
Surname
Password
 

Databases


Book publications- результаты поиска

Search mode

Search area
 Найдено в других БД:Periodical publications (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=монокристаллы лейкосапфира<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 1(8)
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973
Колич.характеристики :210 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): выращивание монокристаллов--пленки железо-иттриевого граната--кристаллы корунда--метод чухрайского--растворимость--энертные газы--диффузия--поверхностный слой
Содержание : Выращивание монокристаллов смешанных феррошпинелей из раствора в расплаве/ Е. Ф. Квятковская, С. Ф. Прокопович. Эпитаксиальный рост пленок железо-иттриевого граната из раствора в расплаве/ О. М. Коновалов [и др.]. Выращивание монокристаллов железо-иттриевого граната в атмосфере кислорода/ О. М. Коновалов [и др.]. Исследование диффузии железо-иттриевого граната в растворителе BaO-B2O3/ О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. П. Воронов. Образование вакуумных полостей в кристаллах корунда, выращенных методом Чохральского/ М. И. Мусатов. Анизотропия неоднородной и однородной ширины линий поглощения иона Nd3+ в кристаллах CaWO4 и LaNa(WO4)2/ В. И. Бончковский, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Электронные центры окраски в кристаллах NaJ(TI)/ А. Н. Панова, Р. Х. Мустафина, Е. М. Быкова. Поглощение V3 -центра в кристалле LiF/ В. В. Угланова. Соотношение между концентрациями F- и M -центров в кристаллах LiF/ Т. А. Чаркина, В. В. Угланова. Диаграмма состояния системы HgSe-Ca2Se3/ П. Н. Метлинский [и др.]. Растворимость Mn в In2Te3/ Е. Е. Овечкина. Влияние давления инертного газа на фазовую устойчивость конденсированных сульфидов цинка и кадмия/ Л. А. Сысоев, О. П. Вербицкий. О характеристиках фототока монокристаллов селенида кадмия, легированных медью/ В. Е. Мащенко [и др.]. Спектральная фоточувствительность монокристаллов селенида цинка/ Н. И. Глущенко [и др.]. Корелляция изменения светорассеяния и плотности монокристаллов CdS при термообработке/ Л. А. Сысоев, А. Д. Ковалева. О возможной природе загрязнения углеродом монокристаллов полупроводниковых халькогенидов, выращенных из расплава под давлением инертного газа/ Л. А. Сысоев, Ю. М. Коган, Б. Г. Носачев. Диффузия в приповерхностный слой соединений типа АIIBVI/ В. Б. Гайсинский [и др.]. Оптические постоянные сурьмы в аморфной фазе/ А. И. Усоскин, И. Н. Шкляревский. Исследование влияния термообработки на оптические и сцинтилляционные свойства монокристаллов CsJ(Na)/ А. Н. Панова, К. В. Шахова. Влияние температуры подложки на сцинтилляционные характеристики тонкопленочных детекторов на основе монокристаллов CsJ(Na)/ Э. Ф. Чайковский [и др.]. Расчет световыхода сцинтилляторов с учетом эффективной зеркальности отражателя. Случай отсутствия оптического контакта/ М. Е. Глобус. Улучшение спектрометричности сцинтилляционных ɣ-детекторов/ В. В. Померанцев, Ю. А. Цирлин. Зависимость сцинтилляционных параметров монокристаллов CsJ(TI) от основности расплава/ Ю. Ф. Рыбкин, А. С. Середенко. Определение α- и β-форм кремниевой кислоты в йодиде натрия и монокристаллах на его основе/ А. Б. Бланк, И. Г. Коган. Концентрирование сульфатов при нормальной направленной кристаллизации криотектических растворов хлорида и бромида калия/ А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. Определение микропримесей Cr, Mo, Ti и W в шихте и монокристаллах алюмо-иттриевых гранатов/ М. З. Несанелис, Н. В. Кисилевская, Э. С. Золотовицкая. Высокочувствительная рентгенографическая методика фазового анализа для фаз с близкой рассеивающей способностью/ И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. Получение омических контактов на халькогенидах кадмия электролитическим восстановлением/ В. Г. Демченко [и др.]. Влияние контактного слоя при измерении коэффициента поглощения ультразвуковых волн в кристаллах импульсным методом/ А. Р. Дудник, Р. В. Коваленок, В. Н. Лагутина. Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира/ В. И. Зайцева, М. Е. Довгань. Влияние многократного облучения гамма-радиацией на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием/ А. Л. Лифиц [и др.]. Счетные характеристики сцинтилляционных счетчиков с детекторами на основе монокристаллов NaJ(TI) при регистрации обратно рассеянного гамма-излучения/ Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. Исследование динамических характеристик компрессионной печи выращивания монокристаллов соединений АIIBVI/ В. Я. Маликов, В. И. Костенко, Л. А. Сысоев. Регулятор температуры повышенной надежности/ И. Т. Берданов, П. Е. Стадник. Приставка к прибору ПКС-125/ В. И. Бончковский [и др.]. Устройство для измерения параметров высокочастотных широкополосных пьезопреобразователей/ В. Б. Гайсинский [и др.].
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

2.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 3
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1970
Колич.характеристики :270 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): получение нитевидных кристаллов--выращивание монокристаллов--йодистый натрий--сцинтилляционные детекторы--гигроскопические монокристаллы--синтез кварца
Содержание : Получение и исследование монокристаллов CeF3:TR3+/ В. В. Азаров, Е. В. Щербина. Тепловое поле расплавов щелочных галогенидов при выращивании по методу Киропулоса/ В. В. Караваев [и др.]. Получение нитевидных кристаллов Al2O3/ Г. И. Волкодав, Э. М. Надгорный. Влияние градиентного и зонно-диффузионного отжига на распределение включений в монокристаллах железо-иттриевого граната/ О. П. Бальва, О. М. Коновалов, М. Б. Космына. Рентгенографическое исследование раствор-расплавленых сред, применяемых для выращивания монокристаллов железо-иттриевого граната/ О. М. Коновалов [и др.]. Исследование механизма очистки при выращивании монокристаллов лейкосапфира методом направленной кристаллизации/ В. В. Пишик [и др.]. Влияние световых потоков на дислокационную структуру щелочногалоидных монокристаллов/ Т. В. Кускова, Е. И. Райхельс, М. И. Руденко. Масс-спектрометрическое определеник состава положительных ионов, образующихся при поверхностной ионизации молекул KCl на грани (100) монокристаллического вольфрама/ Э. Ф. Чайковский, В. А. Власенко, Ю. Ф. Деркач. Спектр характеристических потерь энергии электронов в монокристаллах кремния и его карбиде/ Э. Ф. Чайковский, В. Т. Сотников. О центрах захвата в монокристаллах LaF3:TR3+/ В. В. Азаров, Е. В. Щербина. Исследование цикличности оптического создания и разрушения F-центров в кристаллах KBr-H/ А. Н. Панова, Л. Ф. Шпилинский. Исследование природы термолюминесценции, возникающей в окрашенных кристаллах LiF(MgF2)/ А. Н. Панова, В. В. Угланова, Т. А. Чаркина. Роль примесных микродефектов в низкотемпературном послесвечении кристаллов йодистого цезия/ А. Н. Панова, Н. В. Ширан. Центры дополнительного свечения в кристаллах NaJ, NaJ(Tl) b NaJ(In), содержащих кислородные примеси/ А. М. Астопиева, Р. Х. Мустафина, А. Н. Панова. Распределение примесей щелочных металлов в монокристаллах CsJ/ А. Н. Панова, К. В. Шахова. Термоэлектронная эмиссия и положительная поверхностная ионизация атомов щелочных металлов на монокристаллах германия/ Э. Ф. Чайковский, Л. И. Кайшева. Изучение кинетики испарения расплавов, применяемых для выращивания монокристаллов железо-иттриевого граната/ Е. Ф. Квятковская [и др.]. Вхождение и распределение редкоземельных элементов в кристаллах АИГ : Nd3+ и АИГ : Nd3+ : Ce3+/ Б. Г. Иванов, Н. С. Ковалева. Температурное уширение уровней термов 4I9/2, 4F3/2 и 2Р1/2 иона Nd3+ в кристаллах алюмо-иттриевого граната/ Е. М. Островская, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Температурное уширение линий люминесценции группы 4F3/24I11/2 иона Nd3+ в кристаллах алюмо-иттриевого граната/ Е. М. Островская, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Кристаллографическое условие стабильности модификаций вюрцита и сфалерита в полупроводниковых кристаллах с тетраэдрической координацией атомов/ Л. А. Сысоев, Л. В. Атрощенко. Анизотропия упругости кубических кристаллов (на примере LiF, CaF2 и BaF2)/ И. И. Афанасьев. К теории затухания и дисперсии электрических и магнитных колебаний в двухфазных смесях/ С. Я. Гегузина. Теоретический анализ условий роста кристаллов во вращающемся кристаллизаторе/ Б. И. Бирман. Исследование связи между физическим и техническим световыходом кристаллов CsJ(Na) и CsJ(TI)/ Ю. А. Цирлин [и др.]. Детекторы рентгеновского и мягкого гамма-излучения на основе монокристаллов NaJ(TI) диаметром до 140 мм/ В. Ф. Евтушенко, Н. С. Костенко, Е. П. Мохир. Улучшение сцинтилляционных характеристик поверхностноактивированных альфа-детекторов большой площади/ Я. А. Захарин [и др.]. Исследование факторов, влияющих на изменение оптических и сцинтилляционных характеристик монокристаллов йодистого натрия, активированных таллием, при облучении их Υ-радиацией/ Н. Ю. Гуревич [и др.]. Об ориентации кристаллов лейкосапфира, выращенных методом направленной кристаллизации/ Г. М. Цигельницкий [и др.]. Влияние способа сепарации на содержание примесей в порошке Al2O3/ Л. А. Литвинов, И. Б. Казимирова. Исследование характера уноса порошка Al2O3 из псевдоожиженного слоя/ Л. А. Литвинов. Влияние параметров исходного материала сульфида кадмия на эффективность работы пьезопреобразователей на диффузионном слое/ Я. А. Обуховский [и др.]. Исследование влияния фактора времени на сцинтилляционные характеристики детекторов на основе монокристаллов йодистого натрия, активированных таллием/ Р. А. Никулина, Р. А. Говорова, С. А. Шеховцов. К вопросу о работоспособности вибротермопрочных детекторов на основе монокристаллов йодистого натрия, активированных таллием/ Р. А. Никулина, Р. А. Говорова. Качество сцинтилляционных детекторов и проблема его определения/ А. Я. Берловский, В. Я. Чериковская. Установка для исследования прочностных характеристик гигроскопических монокристаллов/ Н. П. Иванов, Н. И. Крайнюков, Д. Л. Строилова. К вопросу создания автоклавов для промышленного синтеза кварца/ В. П. Бутузов [и др.]. Выращивание монокристаллов π-диэтилбензола из газовой фазы/ Е. А. Синевич. Выращивание монокристаллов ReO3 из паровой фазы/ А. Н. Жуков, Р. К. Николаев, В. Т. Ушаковский. О радиационной устойчивости монокристаллов лейкосапфира/ А. А. Бурштейн [и др.].
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

3.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Пишик В. В., Бурштейн А. А., Бурая Л. А., Бирман Б. И., Добровинская Е. Р., Зотовицкая Э. С., Несанелис М. З.
Заглавие : Исследование механизма очистки при выращивании монокристаллов лейкосапфира методом направленной кристаллизации
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1970. - Вып. 3. - С. 41-47 (Шифр 548.5/М 77-592881)
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): очистка монокристаллов--монокристаллы лейкосапфира--метод направленной кристаллизации
Find similar

4.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Зайцева В. И., Довгань М. Е.
Заглавие : Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973. - Вып. 1(8). - С. 158-163 (Шифр 548.5/М 77-654173)
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): процесс шлифовки--монокристаллы лейкосапфира--профиль шероховатости
Find similar

 

Наш адрес: 61000, Харьков, ул. Кирпичева, 2
Научно-техническая библиотека НТУ "ХПИ"
Контактный телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua