Library home page Simple search mode Help
Login
Surname
Password
 

Databases


Book publications- результаты поиска

Search mode

Search area
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=детекторы сцинтилляционные<.>)
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20  
1.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 1(8)
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973
Колич.характеристики :210 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): выращивание монокристаллов--пленки железо-иттриевого граната--кристаллы корунда--метод чухрайского--растворимость--энертные газы--диффузия--поверхностный слой
Содержание : Выращивание монокристаллов смешанных феррошпинелей из раствора в расплаве/ Е. Ф. Квятковская, С. Ф. Прокопович. Эпитаксиальный рост пленок железо-иттриевого граната из раствора в расплаве/ О. М. Коновалов [и др.]. Выращивание монокристаллов железо-иттриевого граната в атмосфере кислорода/ О. М. Коновалов [и др.]. Исследование диффузии железо-иттриевого граната в растворителе BaO-B2O3/ О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. П. Воронов. Образование вакуумных полостей в кристаллах корунда, выращенных методом Чохральского/ М. И. Мусатов. Анизотропия неоднородной и однородной ширины линий поглощения иона Nd3+ в кристаллах CaWO4 и LaNa(WO4)2/ В. И. Бончковский, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Электронные центры окраски в кристаллах NaJ(TI)/ А. Н. Панова, Р. Х. Мустафина, Е. М. Быкова. Поглощение V3 -центра в кристалле LiF/ В. В. Угланова. Соотношение между концентрациями F- и M -центров в кристаллах LiF/ Т. А. Чаркина, В. В. Угланова. Диаграмма состояния системы HgSe-Ca2Se3/ П. Н. Метлинский [и др.]. Растворимость Mn в In2Te3/ Е. Е. Овечкина. Влияние давления инертного газа на фазовую устойчивость конденсированных сульфидов цинка и кадмия/ Л. А. Сысоев, О. П. Вербицкий. О характеристиках фототока монокристаллов селенида кадмия, легированных медью/ В. Е. Мащенко [и др.]. Спектральная фоточувствительность монокристаллов селенида цинка/ Н. И. Глущенко [и др.]. Корелляция изменения светорассеяния и плотности монокристаллов CdS при термообработке/ Л. А. Сысоев, А. Д. Ковалева. О возможной природе загрязнения углеродом монокристаллов полупроводниковых халькогенидов, выращенных из расплава под давлением инертного газа/ Л. А. Сысоев, Ю. М. Коган, Б. Г. Носачев. Диффузия в приповерхностный слой соединений типа АIIBVI/ В. Б. Гайсинский [и др.]. Оптические постоянные сурьмы в аморфной фазе/ А. И. Усоскин, И. Н. Шкляревский. Исследование влияния термообработки на оптические и сцинтилляционные свойства монокристаллов CsJ(Na)/ А. Н. Панова, К. В. Шахова. Влияние температуры подложки на сцинтилляционные характеристики тонкопленочных детекторов на основе монокристаллов CsJ(Na)/ Э. Ф. Чайковский [и др.]. Расчет световыхода сцинтилляторов с учетом эффективной зеркальности отражателя. Случай отсутствия оптического контакта/ М. Е. Глобус. Улучшение спектрометричности сцинтилляционных ɣ-детекторов/ В. В. Померанцев, Ю. А. Цирлин. Зависимость сцинтилляционных параметров монокристаллов CsJ(TI) от основности расплава/ Ю. Ф. Рыбкин, А. С. Середенко. Определение α- и β-форм кремниевой кислоты в йодиде натрия и монокристаллах на его основе/ А. Б. Бланк, И. Г. Коган. Концентрирование сульфатов при нормальной направленной кристаллизации криотектических растворов хлорида и бромида калия/ А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. Определение микропримесей Cr, Mo, Ti и W в шихте и монокристаллах алюмо-иттриевых гранатов/ М. З. Несанелис, Н. В. Кисилевская, Э. С. Золотовицкая. Высокочувствительная рентгенографическая методика фазового анализа для фаз с близкой рассеивающей способностью/ И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. Получение омических контактов на халькогенидах кадмия электролитическим восстановлением/ В. Г. Демченко [и др.]. Влияние контактного слоя при измерении коэффициента поглощения ультразвуковых волн в кристаллах импульсным методом/ А. Р. Дудник, Р. В. Коваленок, В. Н. Лагутина. Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира/ В. И. Зайцева, М. Е. Довгань. Влияние многократного облучения гамма-радиацией на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием/ А. Л. Лифиц [и др.]. Счетные характеристики сцинтилляционных счетчиков с детекторами на основе монокристаллов NaJ(TI) при регистрации обратно рассеянного гамма-излучения/ Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. Исследование динамических характеристик компрессионной печи выращивания монокристаллов соединений АIIBVI/ В. Я. Маликов, В. И. Костенко, Л. А. Сысоев. Регулятор температуры повышенной надежности/ И. Т. Берданов, П. Е. Стадник. Приставка к прибору ПКС-125/ В. И. Бончковский [и др.]. Устройство для измерения параметров высокочастотных широкополосных пьезопреобразователей/ В. Б. Гайсинский [и др.].
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

2.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 3
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1970
Колич.характеристики :270 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): получение нитевидных кристаллов--выращивание монокристаллов--йодистый натрий--сцинтилляционные детекторы--гигроскопические монокристаллы--синтез кварца
Содержание : Получение и исследование монокристаллов CeF3:TR3+/ В. В. Азаров, Е. В. Щербина. Тепловое поле расплавов щелочных галогенидов при выращивании по методу Киропулоса/ В. В. Караваев [и др.]. Получение нитевидных кристаллов Al2O3/ Г. И. Волкодав, Э. М. Надгорный. Влияние градиентного и зонно-диффузионного отжига на распределение включений в монокристаллах железо-иттриевого граната/ О. П. Бальва, О. М. Коновалов, М. Б. Космына. Рентгенографическое исследование раствор-расплавленых сред, применяемых для выращивания монокристаллов железо-иттриевого граната/ О. М. Коновалов [и др.]. Исследование механизма очистки при выращивании монокристаллов лейкосапфира методом направленной кристаллизации/ В. В. Пишик [и др.]. Влияние световых потоков на дислокационную структуру щелочногалоидных монокристаллов/ Т. В. Кускова, Е. И. Райхельс, М. И. Руденко. Масс-спектрометрическое определеник состава положительных ионов, образующихся при поверхностной ионизации молекул KCl на грани (100) монокристаллического вольфрама/ Э. Ф. Чайковский, В. А. Власенко, Ю. Ф. Деркач. Спектр характеристических потерь энергии электронов в монокристаллах кремния и его карбиде/ Э. Ф. Чайковский, В. Т. Сотников. О центрах захвата в монокристаллах LaF3:TR3+/ В. В. Азаров, Е. В. Щербина. Исследование цикличности оптического создания и разрушения F-центров в кристаллах KBr-H/ А. Н. Панова, Л. Ф. Шпилинский. Исследование природы термолюминесценции, возникающей в окрашенных кристаллах LiF(MgF2)/ А. Н. Панова, В. В. Угланова, Т. А. Чаркина. Роль примесных микродефектов в низкотемпературном послесвечении кристаллов йодистого цезия/ А. Н. Панова, Н. В. Ширан. Центры дополнительного свечения в кристаллах NaJ, NaJ(Tl) b NaJ(In), содержащих кислородные примеси/ А. М. Астопиева, Р. Х. Мустафина, А. Н. Панова. Распределение примесей щелочных металлов в монокристаллах CsJ/ А. Н. Панова, К. В. Шахова. Термоэлектронная эмиссия и положительная поверхностная ионизация атомов щелочных металлов на монокристаллах германия/ Э. Ф. Чайковский, Л. И. Кайшева. Изучение кинетики испарения расплавов, применяемых для выращивания монокристаллов железо-иттриевого граната/ Е. Ф. Квятковская [и др.]. Вхождение и распределение редкоземельных элементов в кристаллах АИГ : Nd3+ и АИГ : Nd3+ : Ce3+/ Б. Г. Иванов, Н. С. Ковалева. Температурное уширение уровней термов 4I9/2, 4F3/2 и 2Р1/2 иона Nd3+ в кристаллах алюмо-иттриевого граната/ Е. М. Островская, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Температурное уширение линий люминесценции группы 4F3/24I11/2 иона Nd3+ в кристаллах алюмо-иттриевого граната/ Е. М. Островская, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Кристаллографическое условие стабильности модификаций вюрцита и сфалерита в полупроводниковых кристаллах с тетраэдрической координацией атомов/ Л. А. Сысоев, Л. В. Атрощенко. Анизотропия упругости кубических кристаллов (на примере LiF, CaF2 и BaF2)/ И. И. Афанасьев. К теории затухания и дисперсии электрических и магнитных колебаний в двухфазных смесях/ С. Я. Гегузина. Теоретический анализ условий роста кристаллов во вращающемся кристаллизаторе/ Б. И. Бирман. Исследование связи между физическим и техническим световыходом кристаллов CsJ(Na) и CsJ(TI)/ Ю. А. Цирлин [и др.]. Детекторы рентгеновского и мягкого гамма-излучения на основе монокристаллов NaJ(TI) диаметром до 140 мм/ В. Ф. Евтушенко, Н. С. Костенко, Е. П. Мохир. Улучшение сцинтилляционных характеристик поверхностноактивированных альфа-детекторов большой площади/ Я. А. Захарин [и др.]. Исследование факторов, влияющих на изменение оптических и сцинтилляционных характеристик монокристаллов йодистого натрия, активированных таллием, при облучении их Υ-радиацией/ Н. Ю. Гуревич [и др.]. Об ориентации кристаллов лейкосапфира, выращенных методом направленной кристаллизации/ Г. М. Цигельницкий [и др.]. Влияние способа сепарации на содержание примесей в порошке Al2O3/ Л. А. Литвинов, И. Б. Казимирова. Исследование характера уноса порошка Al2O3 из псевдоожиженного слоя/ Л. А. Литвинов. Влияние параметров исходного материала сульфида кадмия на эффективность работы пьезопреобразователей на диффузионном слое/ Я. А. Обуховский [и др.]. Исследование влияния фактора времени на сцинтилляционные характеристики детекторов на основе монокристаллов йодистого натрия, активированных таллием/ Р. А. Никулина, Р. А. Говорова, С. А. Шеховцов. К вопросу о работоспособности вибротермопрочных детекторов на основе монокристаллов йодистого натрия, активированных таллием/ Р. А. Никулина, Р. А. Говорова. Качество сцинтилляционных детекторов и проблема его определения/ А. Я. Берловский, В. Я. Чериковская. Установка для исследования прочностных характеристик гигроскопических монокристаллов/ Н. П. Иванов, Н. И. Крайнюков, Д. Л. Строилова. К вопросу создания автоклавов для промышленного синтеза кварца/ В. П. Бутузов [и др.]. Выращивание монокристаллов π-диэтилбензола из газовой фазы/ Е. А. Синевич. Выращивание монокристаллов ReO3 из паровой фазы/ А. Н. Жуков, Р. К. Николаев, В. Т. Ушаковский. О радиационной устойчивости монокристаллов лейкосапфира/ А. А. Бурштейн [и др.].
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

3.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 4
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1971
Колич.характеристики :229 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): монокристаллы сульфида цинка--микротвердость--микроупругость--блочная структура кристаллов--нафталин--сцинтиллятор--выращивание монокристаллов--диэлектрическая дисперсия--синтетический корунд--выращивание монокристаллов--йодистый натрий--сцинтилляционные детекторы--гигроскопические монокристаллы--синтез кварца
Содержание : Кристаллооптические и структурные особенности монокристаллов сульфида цинка, выращенных из расплава/ Л. В. Атрощенко [и др.]. О закономерностях изменения микротвердости и микроупругости при стабилизации гексагональной модификации сульфида цинка/ Л. В. Атрощенко [и др.]. Ошибки определения параметров блочной структуры кристаллов при измерении интенсивности отраженного пучка рентгеновских лучей/ А. Д. Подлесная, Е. И. Райхельс. Влияние γ-облучения на спектроскопические свойства монокристаллов LaF3:Nd3+/ В. В. Азаров, М. И. Руденко, Е. В. Щербина. Влияние геометрии связи на форму полярной розетки микротвердости кристаллов/ Л. Г. Цинзерлинг [и др.]. О ползучести монокристаллов нафталина/ Е. Р. Добровинская, Н. Н. Спендкаров, Д. Л. Строилова. О доменной и дислокационной структуре монокристаллов ниобата лития/ Е. Р. Добровинская [и др.]. О макронеоднородностях в монокристаллах CsJ(Na), выращенных в горизонтальной вращающейся ампуле/ И. И. Кисиль, Н. И. Крайнюков. Определение коэффициента светособирания сцинтиллятора/ Т. И. Соколовская, А. И. Копелиович, Ю. А. Цирлин. Определение энергетического разрешения сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов NaJ(TI) диаметром 200 мм/ Н. Г. Кравченко, Е. П. Мохир, Ю. А. Цирлин. Влияние дозы гамма-излучения на изменение спектрометрических характеристик сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов NaJ(TI)/ Н. Ю. Гуревич, С. П. Вершинина, Ю. А. Цирлин. Отражение света в сцинтилляционных монокристаллах и отражателях/ А. Р. Дайч, Ю. А. Цирлин. Эффективная зеркальность рассеивающих поверхностей и учет ее в задачах прикладной оптики сцинтилляторов/ М. Е. Глобус. К вопросу о размерной зависимости световыхода сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов NaJ(TI)/ Ю. А. Цирлин, М. Е. Глобус, И. С. Будилов. Теоретическое исследование тепловых условий выращивания монокристаллов по методу Киропулоса/ Б. И. Бирман, Б. Л. Тиман. Некоторые особенности спектра ЭПР ионов Mn2+ и Gd3+ в монокристаллах CaWO4/ В. А. Ямпольский [и др.]. Vk - центр в кристалле LiF/ В. В. Рожков, В. В. Угланова. Исследование методом ЭПР валентности ионов европия в монокристаллах LaF3/ В. В. Азаров, Е. Ф. Приставко, В. А. Ямпольский. О термических характеристиках глубоких ловушек носителей заряда в фосфоре CaS(Bi)/ З. Б. Батуричева, А. А. Бондаренко, Е. А. Майданова. Вклад анормальности распределения числа фотонов в сцинтилляционной вспышке в собственное разрешение кристалла/ Б. К. Дамитов. Численный способ определения энергетического разрешения сцинтилляционного спектрометра/ Б. К. Дамитов. О легировании монокристаллов сульфида кадмия литием при изготовлении диффузионных акустоэлектрических преобразователей/ М. Ш. Файнер [и др.]. Аномальная диэлектрическая дисперсия в монокристаллах синтетического кварца/ С. В. Колодиева, А. А. Фотченков, В. Е. Хаджи. О нелинейности диэлектрических свойств монокристаллов слюды/ Б. Н. Колодиев, Я. П. Смук, И. Н. Аникин. Определение уровня качества и нормативных значений аппаратурного энергетического разрешения сцинтилляционных детекторов/ Г. И. Яхнис [и др.]. Влияние микропримесей меди и калия, содержащихся в йодистом натрии, на радиационную прочность детекторов/ А. Л. Лифиц [и др.]. Получение йодистого натрия “ос.ч.” из йодистоводородной кислоты/ А. Л. Лифиц, Е. А. Бугай, Г. А. Креймер. Пределы объективности абсолютного метода измерения собственного энергетического разрешения сцинтилляционных детекторов нейтральными светофильтрами/ А. Я. Берловский, В. Я. Чериковская. О взаимозаменяемости сцинтилляционных детекторов/ А. Я. Берловский, В. Я. Чериковская. Применение метода планирования экстремальных экспериментов для экономико-математического моделирования процесса производства синтетического корунда/ Б. Ю. Черкасский, Е. Е. Кришталь. О сколообразовании изделий из монокристаллов корунда/ Е. Р. Добровинская [и др.]. Измерение спектра люминесценции детекторов на основе монокристаллов стильбена/ А. Я. Берловский, Г. Р. Посошков. Устройство для подъема и опускания ампулы к печам выращивания монокристаллов из расплава методом направленной кристаллизации/ Ю. В. Замятин, Я. А. Захарин, В. Г. Смаль. Улучшение качества стабилизации напряжения в установках для выращивания монокристаллов лейкосапфира/ М. А. Караванова, А. В. Костромитина, В. Я. Маликов. Влияние длительности управляющих импульсов на распределение токов между параллельно включенными тиристорами в цепях питания печей для выращивания монокристаллов/ В. Я. Маликов, М. А. Караванова, И. И. Дейнека.
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

4.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 6
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1972
Колич.характеристики :270 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): монокристаллы корунда--монокристаллы йодистого цезия--монокристаллы сульфида цинка--монокристаллы йодистого натрия--монокристаллы сульфида кадмия--пластическая деформация--сцинтилляционные детекторы--железо-иттриевый гранат--тугоплавкие металлы--печи выращивания монокристаллов
Содержание : Современные тенденции в развитии методов кристаллизации и возможность получения совершенных монокристаллов корунда/ Х. С. Багдасаров, Е. Р. Добровинская, В. В. Пищик. Рентгенографическое исследование деформированного состояния фтористого лития/ И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. О желтой люминесценции кристаллов йодистого цезия/ А. Н. Панова, Н. В. Ширан. Электропроводность кристалла хлористого калия, содержащего анионные примеси/ М. М. Тагиева, М. П. Шаскольская. Легирование полупроводников типа In2Te3 методом зонного выравнивания/ Л. С. Адамов, Л. П. Гальчинецкий, А. И. Корин. Неэквивалентные sp3-гибриды в полупроводниках с тетраэдрической координацией атомов/ Ю. М. Коган, В. М. Кошкин, Л. А. Сысоев. Явление рекомбинационного усиления звука в полупроводниках. 1. Случай прямой рекомбинации зона-зона/ Б. Л. Тиман. Явление рекомбинационного усиления звука в полупроводниках. 2. Случай рекомбинации через уровни локальных центров в запрещенной зоне/ Б. Л. Тиман. Об изменении структурного совершенства монокристаллов корунда в процессе высокотемпературного отжига/ Е. Р. Добровинская [и др.]. Определение природы дислокаций в монокристаллах корунда методом избирательного травления/ И. П. Бабийчук [и др.]. Двойная инжекция в полупроводник при больших напряженностях электрического поля/ В. М. Фесенко. Статическая вольт-амперная характеристика диэлектрического диода с ловушками при учете зависимости подвижности электронов от напряженности электрического поля/ Б. Л. Тиман, В. М. Фесенко. Выращивание и некоторые свойства монокристаллов сульфида цинка, легированных донорными примесями/ Л. С. Адамов, Л. А. Саркисов, Л. А. Сысоев. Действие быстрых нейтронов на полупроводниковые кристаллы типа A2IIIB3VI/ Л. П. Гальчинецкий [и др.]. О природе и механизме образования собственных дефектов при отжиге кристаллов CdS/ Л. А. Cысоев, А. Д. Ковалева. Ионное легирование монокристаллов сульфида кадмия/ В. Б. Гайсинский [и др.]. Влияние концентрации акцепторной примеси в приповерхностном высокоомном слое монокристалла селенида кадмия на процессы фотопроводимости и инерционность/ Л. А. Сысоев, А. Г. Гусаченко. Временная зависимость ионного тока при ионизаци на грани (100) вольфрама щелочного металла и щелочногалоидной соли/ Э. Ф. Чайковский, Г. М. Пятигорский, Ю. Ф. Деркач. Уменьшение концентрации углерода на поверхности карбида МоС при нагреве по данным спектров Оже-электронов/ В. С. Редькин [и др.]. Исследование доменной и дислокационной структуры монокристаллов ниобата бария-стронция/ М. Ф. Дубовик [и др.]. Пластическая деформация монокристаллов йодистого натрия/ Н. И. Крайнюков, Д. Л. Строилова, Л. Н. Ковтун. Влияние температуры облучения на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием/ М. М. Бродский [и др.]. К вопросу об анализе сигналов сцинтилляционных детекторов различных типов/ Ю. А. Цирлин [и др.]. О влиянии многократного рассеяния γ-квантов на энергетическое разрешение сцинтилляционного спектрометра/ М. Е. Глобус. Физика отказов сцинтилляционных детекторов/ В. Н. Бурцев [и др.]. Исследование фазового состава систем, применяемых для выращивания монокристаллов кальций-висмут-ванадиевого феррограната/ О. М. Коновалов [и др.]. Изготовление ориентированных ферритовых элементов из монокристаллов железо-иттриевого граната/ О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. С. Зибров. Некоторые исследования микрорельефа пластин корунда в процессе обработки/ М. Е. Довгань, В. И. Зайцева, М. Т. Карпенко. Установка для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов методом плавающей зоны/ Н. П. Катрич, А. Я. Данько, Г. М. Пугач. Установка для выращивания тугоплавких монокристаллов из тонкого слоя расплава/ Н. П. Катрич, А. Я. Данько, Г. М. Пугач. Анализ газов, растворенных в тугоплавких металлах/ Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц. Влияние качества поверхности на световыход сцинтиллятора CsJ(TI) с малым отношением высоты к диаметру/ А. Р. Дайч, В. А. Суслопаров, Ю. А. Цирлин. Влияние выходной цепи ФЭУ на счетную характеристику/ Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. К вопросу об идеальной поверхности шихты окиси алюминия/ Л. А. Литвинов, И. Б. Казимирова. Контроль сопротивления нагревателя печи в процессе выращивания монокристаллов/ В. Я. Маликов, Л. А. Сысоев. Датчики действующего значения напряжения переменного тока и их использование в системах регулирования теплового режима печей выращивания монокристаллов/ А. В. Костенко, В. Я. Маликов. Установка для исследования электрических свойств твердых диэлектриков в широком интервале температур/ В. Г. Васильчук, Л. С. Зубенко, Э. М. Мадикян. Применение алкоголятов алюминия для получения окиси алюминия высокой чистоты/ В. А. Смирнов [и др.]. Влияние микроискажений кристаллической решетки LaF3 на концентрационное тушение люминесценции неодима/ В. В. Азаров [и др.]. О потерях дозиметрической информации в фосфорах CaS(Bi, Zn, Na)/ З. Б. Батуричева, А. А. Бондаренко. Влияние концентрации донорных примесей на проводимость монокристаллов CdS/ Л. С. Адамов [и др.]. Влияние свойств контактов на потери в высокочастотных пьезопреобразователях с диффузионным слоем в CdS/ В. Б. Гайсинский [и др.]. Обнаружение полифосфатов в дигидрофосфате калия/ Я. А. Обуховский, М. И. Колыбаева. К определению состава газовых включений в монокристаллах из окиси алюминия и бромистого калия/ Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц. Устройство программного управления двигателем/ В. Н. Звягинцев, В. С. Суздаль, П. И. Корнилич. Диапазонный генератор низкочастотных прямоугольных импульсов для программных устройств/ А. В. Костенко, В. Я. Маликов.
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

5.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 7
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1972
Колич.характеристики :205 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): микропластичность монокристаллов--микрохрупкость монокристаллов--выращивание монокристаллов--монокристаллы кремния--определение коэффициента диффузии--радиационные дефекты--процесс кристаллизации--электропроводность монокристаллов--шлифование монокристаллов--неорганические сцинтилляторы--сцинтилляционные детекторы--кристаллизация водных растворов--питатель порошковых материалов--сцинтилляционные счетчики
Содержание : Микропластичность и микрохрупкость монокристаллов типа АIIBVI при комнатной температуре/ О. А. Федоренко, Л. В. Атрощенко. Определение технологических параметров при выращивании монокристаллов из раствора в расплаве/ О. М. Коновалов, Т. Р. Мнацаканова. Термоэлектронная эмиссия грани (I I I) монокристалла кремния/ Э. Ф. Чайковский [и др.]. Определение нормального и аномального коэффициентов фотоэлектрического поглощения в монокристаллах хлористого калия/ Э. Ф. Чайковский, Л. Б. Загарий. Рентгенографический метод определения коэффициентов диффузии/ Л. П. Подус, И. В. Смушков. Радиационные дефекты в рубиновом стержне, облученном электронами/ Л. Н. Дранов [и др.]. Определение пористости кристаллов рубина по спектру ЭПР/ Л. Н. Дранов [и др.]. Некоторые условия возникновения газовых пузырей в процессе кристаллизации/ Н. П. Катрич, Ю. А. Бороденко. Диаграмма состояния In2Te3-Sn в области малых концентраций олова/ Е. Е. Овечкина, Л. В. Атрощенко. Об электропроводности кристаллов сульфида кадмия в диффузионной зоне/ Я. А. Обуховский, Л. А. Сысоев, О. А. Федоренко. Новый метод получения крупнокристаллических образцов полупроводника Ga2Se3/ Л. П. Гальчинецкий, В. Р. Гурьев, Н. В. Ходеева. Влияние температуры на протекание тока и накопление заряда в системе In-CdS-In/ Б. Л. Тиман, А. П. Карпова. Изучение зависимости прочности кристаллокерамических образцов фтористого лития от размера зерен/ И. М. Неклюдов, Л. М. Перунина. Исследование искажений, возникающих в процессе шлифования монокристаллов NaCl и KCI/ М. Г. Буравлева, И. В. Смушков. Определение оптической силы и оптической неоднородности активных элементов ОКГ по штриховым мирам/ Р. И. Вассернис [и др.]. Термическая прочность расплавов щелочноземельных молибдатов и вольфраматов/ В. А. Кобзарь-Зленко. Влияние давления инертного газа на термическую устойчивость расплавов молибдатов и вольфраматов/ В. А. Кобзарь-Зленко. Термодинамический анализ процессов взаимодействия кислородсодержащих примесей в йодистом натрии с различными раскислителями/ Н. Н. Смирнов, В. Р. Любинский. Радиолюминесценция некоторых неорганических сцинтилляторов/ С. П. Вершинина [и др.]. Определение коэффициента светособирания сцинтилляторов по их коэффициенту отражания/ Н. М. Науменко, Ю. А. Цирлин. Некоторые факторы, обуславливающие инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием/ А. Л. Лифиц [и др.]. Сравнение светового выхода сцинтилляционных детекторов различных типов/ Ю. А. Цирлин [и др.]. Сравнение светового выхода вибротермопрочных детекторов и детекторов общего назначения на основе монокристаллов NaJ(TI)/ А. П. Мешман, Е. П. Сысоева, Ю. А. Цирлин. К вопросу о старении сцинтилляционных детекторов/ В. Я. Чериковская [и др.]. Методы анализа сцинтилляционных материалов, разработанные во ВНИИ монокристаллов/ А. М. Булгакова. Методы очистки фтористого лития от кислородных примесей/ Т. В. тютюнникова, Ю. Ф. Рыбкин, А. И. Чубенко. Поведение примеси нитратов при нормальной кристаллизации водных растворов хлорида калия криотектического состава/ А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная, В. Я. Вакуленко. Концентрирование примесей лития и рубидия из расплава бромида калия/ А. Б. Бланк [и др.]. Оценка нейтральности солей типа XY/ В. А. Науменко, А. В. Старченко, Н. П. Комарь. Спектрографическое определение примесей в ниобатах лития и бария-стронция/ В. К. Шевченко, М. З. Несанелис. Питатель порошковых материалов/ А. Я. Данько, Н. П. Катрич, Г. М. Пугач. Выбор ФЭУ для сцинтилляционных счетчиков/ Г. А. Кибальчич. Влияние шумов на плато счетной характеристики сцинтилляционных счетчиков/ Г. А. Кибальчич. Система регулирования для термостатов/ И. Т. Берданов, М. И. Луценко.
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

6.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы, сцинтилляторы и органические люминофоры : сб. ст. Вып. 2
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1967
Колич.характеристики :152 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.60 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5 + 621.32 + 667.6
Keywords (''Своб.индексиров.''): выращивание монокристаллов--нагревание кристаллов--кристаллизация--рост кристаллов--производство синтетического корунда--сцинтилляторные материалы--пластмассовые сцинтилляторы--редкоземельные элементы
Содержание : Графики для определения температурных полей, возникающих при нагревании (остывании) кристаллов/ В. Н. Лагутина, И. В. Смушков. Термодинамика процессов дезоксидации окислов цинка и кадмия/ Н. И. Крайнюков, В. А. Кобзарь-Зленко. К определению скорости роста кристаллов из бинарных систем/ Б. И. Бирман. Влияние давления на некоторые реакции при выращивании кристаллов сульфида цинка из расплава/ В. А. Кобзарь-Зленко, Н. И. Крайнюков. Пневматический транспорт и воздушная сепарация шихты в производстве синтетического корунда/ В. Н. Извеков [и др.]. Инерционные и вольтамперные характеристики системы In-CdS-In/ А. С. Гершун, Л. А. Сысоев, Б. Л. Тиман. Влияние условий рентгеновской съемки на результаты гармонического анализа формы интерференционных линий/ И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. Установка для выращивания монокристаллов по способу Стокбаргера в замкнутом объеме/ А. Г. Стефанович, Ю. В. Замятин. Исследование особенностей поведения центров окраски из области М-полосы в кристаллах фтористого лития/ А. Н. Панова, В. В. Угланова, Т. А. Чаркина. О температурной зависимости образования отрицательных ионов йода и брома на поверхности текстурированного молибдена/ Л. Г. Мельник. Определение сродства к электрону атомов йода методом поверхностной ионизации/ Э. Ф. Чайковский, Л. Г. Мельник. Температурный гистерезис при положительной поверхностной ионизации калия на текстурированных лентах железа/ Э. Ф. Чайковский, Ю. Б. Скрынник. Люминесцентные и сцинтилляционные характеристики 2-арилпроизводных 3,4-дигидронафт-1, 2, 5, 4-оксазола/ О. А. Гундер, И. Ф. Михайлова, В. Ф. Подужайло. Пути повышения светового выхода пластмассовых сцинтилляторов/ Н. М. Грачев [и др.]. Электретный эффект дигидразидов кислот и 2-(п-хлорфенил) -5-фенил-оксадиазола-1, 3, 4/ В. И. Костенко [и др.]. Радиационная устойчивость некоторых жидких сцинтилляционных систем/ Л. Л. Нагорная, В. Ф. Подужайло. Определение качества обработки плоских поверхностей пластмассовых сцинтилляторов/ Р. А. Говорова [и др.]. Методы и средства измерения сцинтилляционных свойств сцинтилляторов и достоверность результатов/ А. Я. Берловский, Ю. А. Цирлин. О разработке проекта государственного стандарта “Детекторы сцинтилляционные, пластмасовые, унифицированные”/ А. Я. Берловский, А. М. Волкова, Г. И. Яхнис. Прозрачность некоторых образцов пластмассовых сцинтилляторов к собственному световому излучению/ Н. М. Грачев. Сцинтиляционная эффективность некоторых функциональных производных 2,5-дифенилоксазола в различных растворителях/ Н. П. Демченко [и др.]. О люминесцентных свойствах 1,2-диарилзамещенных этилена, содержащих группировку флуорена/ Б. М. Красовицкий, А. И. Назаренко. Спектры возбуждения люминесцентных комплексов редкоземельных элементов β-дикетонами/ Л. В. Воевода, Ю. К. Худенский. Исследование влияния растворителей на интенсивность люминесценции комплексов редкоземельных элементов/ Л. В. Воевода [и др.]. Исследование процессов миграции энергии в органических системах, содержащих ионы редких земель/ В. Ф. Морина. Люминесценция карбонильных производных бензола/ В. Г. Тищенко, Л. М. Егупова. Исследование процессов переноса энергии в органических системах с ионами редкоземельных элементов/ В. Ф. Морина, Ю. К. Худенский. Применение метильных производных бензолсульфамида для получения дневных флуоресцентных красок/ Л. М. Подгорная, Д. Г. Переяслова, Л. И. Воропай. Ненасыщенные кетоны и 1, 3, 5-триарилпиразолины - △2, содержащие флуоренильные и бифенилильные радикалы/ Н. А. Лодыгин, С. А. Ильина. К вопросу об использовании резервов производства/ Л. В. Кин, Л. В. Батыгина.
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

7.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Захарин Я. А., Добряк В. М., Подорожанская Н. М., Говорова Н. А., Гладкова И. В., Померанцев В. В., Замятин Ю. В.
Заглавие : Улучшение сцинтилляционных характеристик поверхностноактивированных альфа-детекторов большой площади
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1970. - Вып. 3. - С. 182-187 (Шифр 548.5/М 77-592881)
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): детекторы сцинтилляционные--монокристаллы--обработка кристаллов
Find similar

8.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Никулина Р. А., Говорова Р. А., Шеховцов С. А.
Заглавие : Исследование влияния фактора времени на сцинтилляционные характеристики детекторов на основе монокристаллов йодистого натрия, активированных таллием
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1970. - Вып. 3. - С. 211-214 (Шифр 548.5/М 77-592881)
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): детекторы сцинтилляционные--йодистый натрий--монокристаллы
Find similar

9.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Рыбкин Ю. Ф., Середенко А. С.
Заглавие : Зависимость сцинтилляционных параметров монокристаллов CsJ(TI) от основности расплава
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973. - Вып. 1(8). - С. 117-121 (Шифр 548.5/М 77-654173)
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): детекторы сцинтилляционные--монокристаллы--применение сцинтилляторов
Find similar

10.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Кравченко Н. Г., Мохир Е. П., Цирлин Ю. А.
Заглавие : Определение энергетического разрешения сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов NaJ(TI) диаметром 200 мм
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1971. - Вып. 4. - С. 72-78 (Шифр 548.5/М 77-485825)
Примечания : Библиогр. в конце ст.
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): детекторы сцинтилляционные--монокристаллы--органические люминофоры
Find similar

 1-10    11-20  
 

Наш адрес: 61000, Харьков, ул. Кирпичева, 2
Научно-техническая библиотека НТУ "ХПИ"
Контактный телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua