Library home page Simple search mode Help
Login
Surname
Password
 

Databases


Book publications- результаты поиска

Search mode

Search area
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Зайцева, В. И.$<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 1(8)
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973
Колич.характеристики :210 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): выращивание монокристаллов--пленки железо-иттриевого граната--кристаллы корунда--метод чухрайского--растворимость--энертные газы--диффузия--поверхностный слой
Содержание : Выращивание монокристаллов смешанных феррошпинелей из раствора в расплаве/ Е. Ф. Квятковская, С. Ф. Прокопович. Эпитаксиальный рост пленок железо-иттриевого граната из раствора в расплаве/ О. М. Коновалов [и др.]. Выращивание монокристаллов железо-иттриевого граната в атмосфере кислорода/ О. М. Коновалов [и др.]. Исследование диффузии железо-иттриевого граната в растворителе BaO-B2O3/ О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. П. Воронов. Образование вакуумных полостей в кристаллах корунда, выращенных методом Чохральского/ М. И. Мусатов. Анизотропия неоднородной и однородной ширины линий поглощения иона Nd3+ в кристаллах CaWO4 и LaNa(WO4)2/ В. И. Бончковский, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Электронные центры окраски в кристаллах NaJ(TI)/ А. Н. Панова, Р. Х. Мустафина, Е. М. Быкова. Поглощение V3 -центра в кристалле LiF/ В. В. Угланова. Соотношение между концентрациями F- и M -центров в кристаллах LiF/ Т. А. Чаркина, В. В. Угланова. Диаграмма состояния системы HgSe-Ca2Se3/ П. Н. Метлинский [и др.]. Растворимость Mn в In2Te3/ Е. Е. Овечкина. Влияние давления инертного газа на фазовую устойчивость конденсированных сульфидов цинка и кадмия/ Л. А. Сысоев, О. П. Вербицкий. О характеристиках фототока монокристаллов селенида кадмия, легированных медью/ В. Е. Мащенко [и др.]. Спектральная фоточувствительность монокристаллов селенида цинка/ Н. И. Глущенко [и др.]. Корелляция изменения светорассеяния и плотности монокристаллов CdS при термообработке/ Л. А. Сысоев, А. Д. Ковалева. О возможной природе загрязнения углеродом монокристаллов полупроводниковых халькогенидов, выращенных из расплава под давлением инертного газа/ Л. А. Сысоев, Ю. М. Коган, Б. Г. Носачев. Диффузия в приповерхностный слой соединений типа АIIBVI/ В. Б. Гайсинский [и др.]. Оптические постоянные сурьмы в аморфной фазе/ А. И. Усоскин, И. Н. Шкляревский. Исследование влияния термообработки на оптические и сцинтилляционные свойства монокристаллов CsJ(Na)/ А. Н. Панова, К. В. Шахова. Влияние температуры подложки на сцинтилляционные характеристики тонкопленочных детекторов на основе монокристаллов CsJ(Na)/ Э. Ф. Чайковский [и др.]. Расчет световыхода сцинтилляторов с учетом эффективной зеркальности отражателя. Случай отсутствия оптического контакта/ М. Е. Глобус. Улучшение спектрометричности сцинтилляционных ɣ-детекторов/ В. В. Померанцев, Ю. А. Цирлин. Зависимость сцинтилляционных параметров монокристаллов CsJ(TI) от основности расплава/ Ю. Ф. Рыбкин, А. С. Середенко. Определение α- и β-форм кремниевой кислоты в йодиде натрия и монокристаллах на его основе/ А. Б. Бланк, И. Г. Коган. Концентрирование сульфатов при нормальной направленной кристаллизации криотектических растворов хлорида и бромида калия/ А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. Определение микропримесей Cr, Mo, Ti и W в шихте и монокристаллах алюмо-иттриевых гранатов/ М. З. Несанелис, Н. В. Кисилевская, Э. С. Золотовицкая. Высокочувствительная рентгенографическая методика фазового анализа для фаз с близкой рассеивающей способностью/ И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. Получение омических контактов на халькогенидах кадмия электролитическим восстановлением/ В. Г. Демченко [и др.]. Влияние контактного слоя при измерении коэффициента поглощения ультразвуковых волн в кристаллах импульсным методом/ А. Р. Дудник, Р. В. Коваленок, В. Н. Лагутина. Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира/ В. И. Зайцева, М. Е. Довгань. Влияние многократного облучения гамма-радиацией на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием/ А. Л. Лифиц [и др.]. Счетные характеристики сцинтилляционных счетчиков с детекторами на основе монокристаллов NaJ(TI) при регистрации обратно рассеянного гамма-излучения/ Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. Исследование динамических характеристик компрессионной печи выращивания монокристаллов соединений АIIBVI/ В. Я. Маликов, В. И. Костенко, Л. А. Сысоев. Регулятор температуры повышенной надежности/ И. Т. Берданов, П. Е. Стадник. Приставка к прибору ПКС-125/ В. И. Бончковский [и др.]. Устройство для измерения параметров высокочастотных широкополосных пьезопреобразователей/ В. Б. Гайсинский [и др.].
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

2.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 1(10)
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1974
Колич.характеристики :185 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): оптически активные кристаллы--светорассеяние в монокристаллах--тонкие пленки--пластичность кристаллов--тонкопленочные детекторы--радиационные дефекты
Содержание : Исследование напряжений в оптически активных кристаллах/ М. С. Каплан, И. В. Смушков, В. И. Сумки. О фотоупругих свойствах кристаллов кубических классов 23 и m3/ И. И. Афанасьев, Л. К. Андрианова. Исследование светорассеяния в монокристаллах CdS, выращенных из расплава/ Л. А. Сысоев [и др.]. Оптические свойства монокристаллов ZnS-MgS/ Л. А. Cысоев, Н. Ф. Обухова. Влияние рекомбинации на деформационное взаимодействие носителей со звуковой волной в полупроводниках/ Б. Л. Тиман, И. Н. Сидоров. Расчет поглощения продольных звуковых волн в монокристаллах NaCl в области низких температур/ Р. В. Коваленок. Монокристаллические сплавы вольфрама с молибденом и некоторые их свойства/ Г. П. Ковтун [и др.]. Термическая десорбция водорода из молибдена/ Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц, Г. Т. Адонкин. Получение и люминесцентные свойства монокристаллов PbF2(РЗЭ)/ Н. К. Агеева, В. В. Азаров. Получение люминесцирующих тонких пленок CdF2(Eu3+)/ В. В. Азаров, Л. Б. Кольнер, Л. Г. Мельник. Рентгенолюминесценция ионов редкоземельных элементов в монокристаллах и порошковых люминофорах Y3Al5O12/ В. В. Азаров [и др.]. Роль сложных активаторных центров в рекомбинационной люминесценции криталлов NaJ(TI)/ А. Н. Панова, Р. Х. Мустафина. Температурные и концентрационные зависимости пластичности кристаллов NaCl(Pb)/ К. Бектурганов, А. А. Блистанов, М. П. Шаскольская. Выращивание кристаллических нитей из йодистого цезия/ Я. А. Захарин, Л. В. Ковалева, Н. С. Королевская. Некоторые сцинтилляционные характеристики тонкопленочных детекторов на основе CsJ(TI)/ Ю. Т. Выдай, Ю. А. Цирлин, Э. Ф. Чайковский. Исследование накопления радиационных дефектов в кристаллах йодистого натрия/ А. В. Андрющенко [и др.]. Аттестация по световому выходу детекторов, упакованных без оптического контакта/ Е. П. Сысоева [и др.]. Волоконные экраны на основе щелочногалоидных сцинтилляционных кристаллов/ И. В. Гладкова [и др.]. Расчет профиля внутреннего магнитного поля в аксиально намагниченном цилиндрическом элементе железо-иттриевого граната, легированном галлием/ О. М. Коновалов, М. Б. Космына, Е. Н. Пирогов. Влияние температуры изотермического отжига на разрешающую способность элементов оптических систем из корунда/ В. С. Коневский, Л. А. Литвинов, В. П. Токмакова. Кислотно-основное потенциометрическое титрование в расплавленном йодистом натрии/ Ю. Ф. Рыбкин, В. В. Баник. Очистка хлоридов щелочных металлов и метод контроля ее с помощью электрохимической ячейки с твердым электролитом/ Ю. Ф. Рыбкин, О. В. Демирская. Сравнительная оценка методов получения окиси алюминия особой чистоты/ Л. А. Квичко [и др.]. Полярографическое определение бария и стронция при совместном присутствии/ Е. К. Салийчук, Т. И. Андрущенко, Л. А. Коток. Распределение примесей меди и железа при направленной кристаллизации водных растворов йодида цезия/ А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. О возможности повышения оптической прочности и структурного совершенства поверхности монокристаллов корунда/ С. З. Арушанов [и др.]. О характере разрушения лейкосапфира, выращенного методом направленной кристаллизации/ М. Е. Довгань, В. И. Зайцева. Терморезисторы на основе In2Te3 и Ga2Te3/ В. М. Кошкин [и др.]. Исследование графитового нагревателя компрессионной печи в процессе роста монокристаллов с высокой температурой кристаллизации/ В. Я. Маликов [и др.]. Измерение диэлектрической проницаемости растворов железо-иттриевого граната в растворителе состава 1, OBaO-O, 6B2O3 при высоких температурах/ М. Я. Коновалова, О. М. Коновалов, В. И. Костенко. Прибор для определения неравномерности хода вытягивающих устройств кристаллизационных аппаратов/ А. Г. Носоновский [и др.]. Механические свойства монокристаллов дигидрофосфата аммония (ADP)/ А. И. Савинков, М. П. Шаскольская. К выбору типа кристаллизационных аппаратов для производства ювелирного рубина/ Л. В. Кин, Л. А. Литвинов, В. Н. Извеков.
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

3.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 2(9)
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973
Колич.характеристики :224 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): кристаллизация--монокристаллы молибдена--способ вернейля--сцинтилляционные кристаллы--пластическая деформация кристаллов--пленочные детекторы--метод направленной кристаллизации--кристаллизационные печи
Содержание : Флотационный метод измерения плотности твердых тел и его применения/ Г. А. Андреев. Влияние скорости кристаллизации на структуру и свойства монокристаллов вольфрама, выращенных в глубоком вакууме/ Н. П. Катрич [и др.]. Получение монокристаллов молибдена из тонкого слоя расплава с использованием электроннолучевого нагрева/ Н. П. Катрич, А. Я. Данько, В. Н. Канищев. Изучение механизмов рассеяния порошка над расплавом в процессе кристаллизации/ Н. П. Катрич, А. Я. Данько. Управление характером распределения активирующей примеси в кристаллах рубина/ Г. И. Романова [и др.]. Устойчивость кристаллизации в способе Вернейля/ В. А. Татарченко, Г. И. Романова. Получение и исследование некоторых свойств монокристаллов ZnS-MgS/ Л. А. Сысоев, Н. Ф. Обухова. Влияние фазового состава шихты на процесс выращивания кристаллов фторфосфата кальция/ С. А. Шварцман [и др.]. Теоретическое изучение тепловых полей в сцинтилляционных кристаллах с большим отношением длины к диаметру/ Б. И. Бирман, В. М. Фесенко, В. Г. Проценко. Пластическая деформация монокристаллов йодистого цезия, активированных натрием и таллием/ Я. А. Захарин [и др.]. Рентгендифрактометрическая методика исследования дефектов упаковки кристаллических плоскостей в монокристаллах/ В. В. Куколь, Е. Е. Лакин. Влияние легирования на структуру и концентрацию дефектов упаковки монокристаллов сульфида цинка, выращенных из расплава/ В. В. Куколь [и др.]. Рентгеновское исследование изменений структуры и параметров кристаллической решетки при термической обработке чистых и легированных монокристаллов сульфида цинка/ В. В. Куколь, Е. Е. Лакин, Л. А. Сысоев. Возникновение микротрещин в локально деформированных монокристаллах ZnSe/ О. А. Федоренко, Л. В. Атрощенко. Об использовании соотношения (∆x)2 ~Dt для определения коэффициента диффузии/ Л. П. Подус, И. В. Смушков. Применение вторичной ионно-ионной эмиссии для анализа состава непроводящих твердых тел/ Э. Ф. Чайковский, В. М. Евсеев. Температурное уширение и смещение энергетических уровней Nd3+ в ряду вольфраматов со структурой шеелита/ В. И. Бончковский, С. А. Сазонова. Температурная зависимость вероятности излучательных переходов иона Nd3+ в кристаллах со структурой шеелита/ В. И. Бончковский, С. А. Сазонова, Б. С. Скоробогатов. Декорирование электрически активных центров в процессе диффузии адсорбированных атомов золота по поверхности CsJ/ Г. В. Птицын, Г. Х. Розенберг, Э. Ф. Чайковский. Влияние дозировки активатора на сцинтилляционные характеристики детекторов на основе NaJ(TL)/ А. Л. Лифиц [и др.]. Сцинтилляционные характеристики пленочных детекторов на основе CsJ(Na)/ Э. Ф. Чайковский [и др.]. Поверхностная энергия некоторых кристаллов, определенная методом взаимного шлифования/ Р. А. Говорова, В. И. Лукашенко, В. И. Зайцева. Шкала основности в расплавленном йодистом натрии/ Ю. Ф. Рыбкин, В. В. Баник. Определение цинка, кобальта и никеля в хлориде калия методом многокомпонентной спектрофотометрии/ Н. П. Комарь, Л. С. Манжелий. Определение содержания воды в йодиде цезия/ Л. С. Манжелий, Л. М. Никитина, А. М. Булгакова. Применение регрессионного анализа для исследования распределения примесей при направленной кристаллизации йодида натрия/ Т. И. Дарвойд, Г. Н. Веселая, А. Б. Бланк. Экстракционно-фотометрическое определение микропримесей меди и железа в окиси алюминия и алюмо-аммонийных квасцах/ Л. А. Каулько, Л. И. Сорока, Н. Т. Сизоненко. Поведение примесей лития и рубидия при направленной кристаллизации раствора бромида калия криотектического состава/ А. Б. Бланк, В. Г. Чепурная. О критериях эффективности очистки материалов или концентрирования примесей методом направленной кристаллизации/ А. Б. Бланк. Исследование процесса получения молибдата свинца/ А. И. Карамышева [и др.]. К исследованию теплопередачи в газопламенной кристаллизационной печи/ Ш. О. Арзуманян, Л. А. Литвинов, С. Н. Шорин.
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

4.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 548.5/М 77
Заглавие : Монокристаллы и техника : сб. ст. Вып. 6
Выходные данные : Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1972
Колич.характеристики :270 с.: рис.
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Цена : 0.50 р.
ГРНТИ : 31.15.17
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): монокристаллы корунда--монокристаллы йодистого цезия--монокристаллы сульфида цинка--монокристаллы йодистого натрия--монокристаллы сульфида кадмия--пластическая деформация--сцинтилляционные детекторы--железо-иттриевый гранат--тугоплавкие металлы--печи выращивания монокристаллов
Содержание : Современные тенденции в развитии методов кристаллизации и возможность получения совершенных монокристаллов корунда/ Х. С. Багдасаров, Е. Р. Добровинская, В. В. Пищик. Рентгенографическое исследование деформированного состояния фтористого лития/ И. В. Смушков, В. Ф. Ткаченко. О желтой люминесценции кристаллов йодистого цезия/ А. Н. Панова, Н. В. Ширан. Электропроводность кристалла хлористого калия, содержащего анионные примеси/ М. М. Тагиева, М. П. Шаскольская. Легирование полупроводников типа In2Te3 методом зонного выравнивания/ Л. С. Адамов, Л. П. Гальчинецкий, А. И. Корин. Неэквивалентные sp3-гибриды в полупроводниках с тетраэдрической координацией атомов/ Ю. М. Коган, В. М. Кошкин, Л. А. Сысоев. Явление рекомбинационного усиления звука в полупроводниках. 1. Случай прямой рекомбинации зона-зона/ Б. Л. Тиман. Явление рекомбинационного усиления звука в полупроводниках. 2. Случай рекомбинации через уровни локальных центров в запрещенной зоне/ Б. Л. Тиман. Об изменении структурного совершенства монокристаллов корунда в процессе высокотемпературного отжига/ Е. Р. Добровинская [и др.]. Определение природы дислокаций в монокристаллах корунда методом избирательного травления/ И. П. Бабийчук [и др.]. Двойная инжекция в полупроводник при больших напряженностях электрического поля/ В. М. Фесенко. Статическая вольт-амперная характеристика диэлектрического диода с ловушками при учете зависимости подвижности электронов от напряженности электрического поля/ Б. Л. Тиман, В. М. Фесенко. Выращивание и некоторые свойства монокристаллов сульфида цинка, легированных донорными примесями/ Л. С. Адамов, Л. А. Саркисов, Л. А. Сысоев. Действие быстрых нейтронов на полупроводниковые кристаллы типа A2IIIB3VI/ Л. П. Гальчинецкий [и др.]. О природе и механизме образования собственных дефектов при отжиге кристаллов CdS/ Л. А. Cысоев, А. Д. Ковалева. Ионное легирование монокристаллов сульфида кадмия/ В. Б. Гайсинский [и др.]. Влияние концентрации акцепторной примеси в приповерхностном высокоомном слое монокристалла селенида кадмия на процессы фотопроводимости и инерционность/ Л. А. Сысоев, А. Г. Гусаченко. Временная зависимость ионного тока при ионизаци на грани (100) вольфрама щелочного металла и щелочногалоидной соли/ Э. Ф. Чайковский, Г. М. Пятигорский, Ю. Ф. Деркач. Уменьшение концентрации углерода на поверхности карбида МоС при нагреве по данным спектров Оже-электронов/ В. С. Редькин [и др.]. Исследование доменной и дислокационной структуры монокристаллов ниобата бария-стронция/ М. Ф. Дубовик [и др.]. Пластическая деформация монокристаллов йодистого натрия/ Н. И. Крайнюков, Д. Л. Строилова, Л. Н. Ковтун. Влияние температуры облучения на инерционность фона спектрометра с кристаллом йодистого натрия, активированным таллием/ М. М. Бродский [и др.]. К вопросу об анализе сигналов сцинтилляционных детекторов различных типов/ Ю. А. Цирлин [и др.]. О влиянии многократного рассеяния γ-квантов на энергетическое разрешение сцинтилляционного спектрометра/ М. Е. Глобус. Физика отказов сцинтилляционных детекторов/ В. Н. Бурцев [и др.]. Исследование фазового состава систем, применяемых для выращивания монокристаллов кальций-висмут-ванадиевого феррограната/ О. М. Коновалов [и др.]. Изготовление ориентированных ферритовых элементов из монокристаллов железо-иттриевого граната/ О. М. Коновалов, М. Б. Космына, А. С. Зибров. Некоторые исследования микрорельефа пластин корунда в процессе обработки/ М. Е. Довгань, В. И. Зайцева, М. Т. Карпенко. Установка для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов методом плавающей зоны/ Н. П. Катрич, А. Я. Данько, Г. М. Пугач. Установка для выращивания тугоплавких монокристаллов из тонкого слоя расплава/ Н. П. Катрич, А. Я. Данько, Г. М. Пугач. Анализ газов, растворенных в тугоплавких металлах/ Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц. Влияние качества поверхности на световыход сцинтиллятора CsJ(TI) с малым отношением высоты к диаметру/ А. Р. Дайч, В. А. Суслопаров, Ю. А. Цирлин. Влияние выходной цепи ФЭУ на счетную характеристику/ Г. А. Кибальчич, Ю. А. Цирлин. К вопросу об идеальной поверхности шихты окиси алюминия/ Л. А. Литвинов, И. Б. Казимирова. Контроль сопротивления нагревателя печи в процессе выращивания монокристаллов/ В. Я. Маликов, Л. А. Сысоев. Датчики действующего значения напряжения переменного тока и их использование в системах регулирования теплового режима печей выращивания монокристаллов/ А. В. Костенко, В. Я. Маликов. Установка для исследования электрических свойств твердых диэлектриков в широком интервале температур/ В. Г. Васильчук, Л. С. Зубенко, Э. М. Мадикян. Применение алкоголятов алюминия для получения окиси алюминия высокой чистоты/ В. А. Смирнов [и др.]. Влияние микроискажений кристаллической решетки LaF3 на концентрационное тушение люминесценции неодима/ В. В. Азаров [и др.]. О потерях дозиметрической информации в фосфорах CaS(Bi, Zn, Na)/ З. Б. Батуричева, А. А. Бондаренко. Влияние концентрации донорных примесей на проводимость монокристаллов CdS/ Л. С. Адамов [и др.]. Влияние свойств контактов на потери в высокочастотных пьезопреобразователях с диффузионным слоем в CdS/ В. Б. Гайсинский [и др.]. Обнаружение полифосфатов в дигидрофосфате калия/ Я. А. Обуховский, М. И. Колыбаева. К определению состава газовых включений в монокристаллах из окиси алюминия и бромистого калия/ Н. П. Катрич, Н. М. Лифшиц. Устройство программного управления двигателем/ В. Н. Звягинцев, В. С. Суздаль, П. И. Корнилич. Диапазонный генератор низкочастотных прямоугольных импульсов для программных устройств/ А. В. Костенко, В. Я. Маликов.
Экземпляры : всего : аб.1(2)
Свободны : аб.1(2)
Find similar

5.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Зайцева В. И., Довгань М. Е.
Заглавие : Исследование механизма шлифовки синтетического лейкосапфира
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973. - Вып. 1(8). - С. 158-163 (Шифр 548.5/М 77-654173)
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): процесс шлифовки--монокристаллы лейкосапфира--профиль шероховатости
Find similar

6.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Говорова Р. А., Лукашенко В. И., Зайцева В. И.
Заглавие : Поверхностная энергия некоторых кристаллов, определенная методом взаимного шлифования
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1973. - Вып. 2(9). - С. 147-152 (Шифр 548.5/М 77-246273)
Примечания : Библиогр. в конце ст.
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): метод взаимного шлифования--кристаллография--шлифовка кристаллов
Find similar

7.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Довгань М. Е., Зайцева В. И., Карпенко М. Т.
Заглавие : Некоторые исследования микрорельефа пластин корунда в процессе обработки
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1972. - Вып. 6. - С. 169-173 (Шифр 548.5/М 77-853043)
Примечания : Библиогр. в конце ст.
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): кристаллография--корунд--процесс шлифовки
Find similar

8.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 548.5/М 77
Автор(ы) : Довгань М. Е., Зайцева В. И.
Заглавие : О характере разрушения лейкосапфира, выращенного методом направленной кристаллизации
Коллективы : Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых веществ
Место публикации : Монокристаллы и техника: сб. ст./ ВНИИ монокристаллов. - Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1974. - Вып. 1(10). - С. 138-143 (Шифр 548.5/М 77-840122)
Примечания : Библиогр. в конце ст.
УДК : 548.5
Keywords (''Своб.индексиров.''): кристаллизация направленная--рост монокристаллов--кристаллография
Find similar

 

Наш адрес: 61000, Харьков, ул. Кирпичева, 2
Научно-техническая библиотека НТУ "ХПИ"
Контактный телефон: (057) 707-63-07
E-mail: library@khpi.edu.ua