МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ

НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

«Харьковский политехнический институт»

 

 

 

А. Н. Огурцов

 

МОДИФИКАЦИЯ КРИОКРИСТАЛЛОВ

ЭЛЕКТРОННЫМИ ВОЗБУЖДЕНИЯМИ

 

 

Монография

 

 

 

 

Харьков НТУ «ХПИ» 2009

 

ББК 22.37 0-39

УДК 538.9,543.06,544.54

 

 

Рецензенты:

Ю. В. Мапюкин, д-р физ.-мат. наук, проф., Институт сцинтилляционных материалов Национальной академии наук Украины,

А. И. Ильинский, д-р. физ.-мат. наук, проф., Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»

 

Публикуется по решению Ученого совета Национального технического университета «ХПИ», протокол № 7 от 29.05.2009 г.

 

 

Огурцов, А. Н.

0-39 Модификация криокристаллов электронными возбуждениями [Текст] : монография / А. Н. Огурцов. - Харьков : НТУ «ХПИ». 2009. - 368 с - На рус. яз.

 

ISBN 978-966-593-741-8

 

В монографии обобщены экспериментальные работы автора, посвященные исследованию подпороговых радиационных неупругих процессов и механизмов модификации кристаллической структуры, стимулированных релаксацией электронных возбуждений в криокристаллах.

Предназначено для научных сотрудников, аспирантов и студентов, специализирующихся в области физики твердого тела, радиационной физики и химии, и спектроскопии криокристаллов.

 

Ил. 168.   Табл. 16.   Библиогр.: 350 назв.

©   А. Н. Огурцов, 2009

 

 

 

Содержание

Предисловие

Глава 1. Электронные возбуждения и элементарные неупругие процессы в криокристаллах

1.1.Некоторые физические характеристики криокристаллов инертных элементов

1.2.Электронные возбуждения в атомарных криокристаллах

1.3.Автолокализация экситонов в атомарных криокристаллах

1.4.Экситонная люминесценция атомарных криокристаллов

1.5.Спектроскопия заряженных центров в криокристаллах инертных элементов

1.6.Радиационно-индуцированное образование дефектов в криокристаллах инертных элементов

1.7.Десорбция криокристаллов стимулированная электронными возбуждениями

Глава 2. Аналитические методы исследования подпороговых процессов радиационной модификации криокристаллов

2.1.Фотолюминесцентная спектроскопия с временным разрешением

2.2.Катодолюминесцентная спектроскопия

2.3.Термолюминесцентная спектроскопия

2.4.Масс-спектрометрия фотостимулированной десорбции

2.5.Лазерно-индуцированная флюоресценция и термоактиваци-онная спектроскопия ионных центров

Глава 3. Каналы релаксации электронных возбуждений

3.1.Релаксация дырок

3.2.Неупругое рассеяние фотоэлектронов в зоне проводимости

3.3.Локализация электронов на ловушках

3.4.Иерархия электронных возбуждений и каналы релаксации

3.5.Влияние ловушек различного типа на релаксационные каналы

Глава 4. Экситонные и электронные механизмы образования дефектов

4.1.Молекулярные центры в атомарных криокристаллах

4.2.Дефектообразование, стимулированное квазимолекулярной автолокализацией экситонов

4.3.Механизм образования пар Френкеля в результате квазимолекулярной автолокализацией экситонов

4.4.Особенности дефектообразования в криокристаллах аргона

Глава 5. Локальные центры в решётке криокристаллов

5.1.Трехатомные молекулярные центры

5.2.Кинетика люминесценции молекулярных центров

5.3.Возбуждение локальных центров в криокристаллах

5.4.Экситонно-стимулированная аннигиляция дефектов

5.5.Агрегация радиационных дефектов

Глава 6. Модификация криокристаллов ридберговскими возбуждениями

6.1.Квазиатомная автолокализация экситонов

6.2.Возбуждение примесных атомов экситонами

6.3.Резонансное возбуждение примесных атомов

Глава 7. Рекомбинационные механизмы модификации криокристаллов

7.1.Формирование и люминесценция ионных центров

7.2.Рекомбинационная примесная люминесценция

7.3.Фотонная накачка криокристаллов

7.4.Термостимулированная электрон-дырочная рекомбинация

7.5.Кинетический анализ дозовых кривых

Глава 8. Подпороговые механизмы модификации поверхности атомарных криокристаллов

8.1.Десорбция возбужденных атомов, стимулированная квазиатомной локализацией экситонов

8.2.Десорбция эксимеров, стимулированная электрон-дырочной рекомбинацией

8.3.Моделирование переноса энергии к поверхности образца электронными возбуждениями

Глава 9. Модификация молекулярных пленок возбуждением внутриатомных электронных оболочек

9.1.Десорбция, стимулированная электронными возбуждениями внутренних оболочек атома

9.2.Десорбция, стимулированная возбуждением К-оболочек кислорода в молекулах СО

9.3.Десорбция, стимулированная возбуждением К-оболочек азота в молекулах N2

9.4.Десорбция нейтральных атомов водорода из молекулярных пленок Н0 и NH3 при возбуждении К-оболочек

Литература

Afterword